气相沉积装置及极板制造方法及图纸

本申请涉及一种气相沉积装置及极板，其中，气相沉积装置包括：箱体，具有工艺腔体以及与其连通的进气口；极板组件，包括第一极板和第二极板，第一极板将工艺腔体分隔形成第一腔室和第二腔室，第一极板上设置有多个连通第一腔室以及第二腔室的分散孔；分散孔包括沿自身轴向相继分布的连接段和第一孔段，第一孔段延伸至第一极板朝向第二腔室的表面，连接段设置于第一孔段背离第二腔室的一端，沿轴向，第一孔段的孔径呈增大趋势且朝向第二腔室一端的孔径大于背离第二腔室一端的孔径，连接段的孔径小于第一孔段背离第二腔室一侧的孔径。本申请实施例提供的气相沉积装置能够快速、均匀地形成等离子体，进而提高成膜厚度的均匀性。进而提高成膜厚度的均匀性。进而提高成膜厚度的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
气相沉积装置及极板


[0001]本申请涉及化学气相沉积领域，特别是涉及一种气相沉积装置及极板。

技术介绍

[0002]在现有的显示面板中，常需要进行较大面积、较高精度的膜层蒸镀，在此基础上，PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强型化学气相沉积法)因其成膜质量好、所需温度低、沉积速度快而得到了广泛的应用。PECVD装置中设置有将工艺气体混合并放电使其形成等离子体的第一极板，在使用时，工艺气体穿过第一极板中的通孔并扩散、离化，形成等离子体云团，随后发生反应、沉积成膜。现有的第一极板中间隔设置有多个直通通孔，气体穿过通孔后再进行扩散，由此在相邻通孔之间形成了圆锥形盲区，盲区中的等离子体较为稀薄，使得空间中的等离子体分布密度不均，由此造成了沉积形成的膜层厚度均匀性下降的问题。
[0003]因此，亟需一种能够改善成膜厚度不均匀问题的气相沉积装置及相应的极板。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种气相沉积装置及极板，能够以较快的速度形成更均匀的等离子体云团，进而提高成膜的均匀性。
[0005]第一方面，根据本申请实施例提出了一种气相沉积装置，包括：箱体，具有工艺腔体以及与工艺腔体连通的进气口；极板组件，设置于工艺腔体，极板组件包括间隔设置的第一极板以及第二极板，第一极板与箱体连接并将工艺腔体分隔形成第一腔室以及第二腔室，进气口与第一腔室连通，第二极板位于第二腔室，第一极板上设置有多个分别连通第一腔室以及第二腔室的分散孔；其中，分散孔包括沿自身轴向相继分布的连接段以及第一孔段，第一孔段延伸至第一极板朝向第二腔室的表面，连接段设置于第一孔段背离第二腔室的一端，沿轴向，第一孔段的孔径呈增大趋势且朝向第二腔室一端的孔径大于背离第二腔室一端的孔径，连接段的孔径小于第一孔段背离第二腔室一侧的孔径。
[0006]根据本申请实施例的一个方面，第一孔段包括多个沿轴向相继分布的第一子孔段，相邻两个第一子孔段中，靠近第二腔室一侧的第一子孔段的最小孔径大于或者等于背离第二腔室一侧的第一子孔段的最大孔径。
[0007]根据本申请实施例的一个方面，每个第一子孔段靠近第二腔室一端的孔径大于背离第二腔室一端的孔径。
[0008]根据本申请实施例的一个方面，第一子孔段的径向尺寸沿轴向逐渐增加。
[0009]根据本申请实施例的一个方面，连接段沿轴向各处的孔径相同。
[0010]根据本申请实施例的一个方面，分散孔还包括沿轴向设置于连接段背离第一孔段一侧的第二孔段，第二孔段延伸至第一极板朝向第一腔室的表面，沿轴向，第二孔段的孔径呈增大趋势且朝向第一腔室一端的孔径大于背离第一腔室一端的孔径。
[0011]根据本申请实施例的一个方面，第二孔段包括多个第二子孔段，相邻两个第二子
孔段中，靠近第一腔室一侧的第二子孔段的最小孔径大于或者等于背离第一腔室一侧的第二子孔段的最大孔径。
[0012]根据本申请实施例的一个方面，每个第二子孔段靠近第一腔室一端的孔径大于背离第一腔室一端的孔径。
[0013]根据本申请实施例的一个方面，第二子孔段的径向尺寸沿轴向逐渐增加。
[0014]根据本申请实施例的一个方面，其特征在于，第二孔段与第一孔段的结构相同且在轴向上对称设置。
[0015]根据本申请实施例的一个方面，连接段的孔径小于第二孔段的最小孔径。
[0016]根据本申请实施例的一个方面，多个分散孔阵列排布，各相邻两个分散孔之间的最小距离相等。
[0017]根据本申请实施例的一个方面，第一极板还包括多个分别连通第一腔室以及第二腔室的补充孔，补充孔设置于相邻分散孔之间。
[0018]根据本申请实施例的一个方面，补充孔的孔径为400μm～800μm。
[0019]第二方面，本申请实施例提供一种极板，应用于气相沉积装置，极板具有相对设置的第一表面和第二表面，且极板设置有多个在自身厚度方向上贯穿极板的分散孔，分散孔包括沿自身轴向相继分布的连接段和第一孔段，第一孔段延伸至第一表面，连接段设置于第一孔段背离第一表面的一端，沿轴向，第一孔段的孔径呈增大趋势且靠近第一表面一端的孔径大于背离第一表面一端的孔径，连接段的孔径小于第一孔段背离第一表面一侧的孔径。
[0020]根据本申请实施例的一个方面，分散孔还包括第二孔段，第二孔段设置于连接段背离第一孔段的一侧且延伸至第二表面；沿轴向，第二孔段的孔径呈增大趋势且靠近第二表面一端的孔径大于背离第二表面一端的孔径。
[0021]本申请实施例提供的气相沉积装置具有工艺腔体及设置于腔体中的第一极板和第二极板，其中的第一极板将工艺腔体分割为第一、第二腔室且设置有多个在厚度方向上孔径逐渐变化的分散孔，在使用该气相沉积装置时，工艺气体自第一腔室经由这些分散孔流向第二腔室，分散孔在靠近第二腔室一侧设置的第一孔段中孔径逐渐增大，使得穿过该孔的气体能够较早开始改变流向，得到充分的扩散；并且，与第一孔段相接设置的连接段的孔径小于第一孔段靠近连接段一侧的孔径，即在下孔区第一孔段的交界处形成孔径差，由此能够形成一处新的放电尖端，增大了气体与尖端放电的接触面积，使得产生等离子体的速度增大且等离子体能够覆盖更大的空间。由此，本申请实施例提供的气相沉积装置能够使得等离子体得到更好的扩散分布效果，进而提高成膜厚度的均匀性。
附图说明
[0022]下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。
[0023]图1是本申请实施例提供的气相沉积装置的结构示意图；
[0024]图2是本申请一个实施例提供的第一极板的仰视图；
[0025]图3是图2中A
‑
A
’
处的剖视图；
[0026]图4是本申请另一个实施例提供的第一极板的剖视图；
[0027]图5是本申请另一个实施例提供的第一极板的剖视图；
[0028]图6是本申请另一个实施例提供的第一极板的剖视图；
[0029]图7是本申请另一个实施例提供的第一极板的仰视图；
[0030]图8是图7中B
‑
B
’
处的剖视图；
[0031]图9是本申请实施例提供的极板的结构示意图。
[0032]其中：
[0033]1000
‑
气相沉积装置；
[0034]100
‑
箱体；200
‑
极板组件；
[0035]10
‑
工艺腔体；20
‑
进气口；30
‑
第一极板；40
‑
第二极板；50
‑
第一表面；60
‑
第二表面；
[0036]11
‑
第一腔室；12
‑
第二腔室；31
‑
分散孔；32
‑
补充孔；
[0037]311...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气相沉积装置，其特征在于，包括：箱体，具有工艺腔体以及与所述工艺腔体连通的进气口；极板组件，设置于所述工艺腔体，所述极板组件包括间隔设置的第一极板以及第二极板，所述第一极板与所述箱体连接并将所述工艺腔体分隔形成第一腔室以及第二腔室，所述进气口与所述第一腔室连通，所述第二极板位于所述第二腔室，所述第一极板上设置有多个分别连通所述第一腔室以及所述第二腔室的分散孔；其中，所述分散孔包括沿自身轴向相继分布的连接段以及第一孔段，所述第一孔段延伸至所述第一极板朝向所述第二腔室的表面，所述连接段设置于所述第一孔段背离所述第二腔室的一端，沿所述轴向，所述第一孔段的孔径呈增大趋势且朝向所述第二腔室一端的孔径大于背离所述第二腔室一端的孔径，所述连接段的孔径小于所述第一孔段背离所述第二腔室一侧的孔径。2.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，所述第一孔段包括多个沿所述轴向相继分布的第一子孔段，相邻两个所述第一子孔段中，靠近所述第二腔室一侧的所述第一子孔段的最小孔径大于或者等于背离所述第二腔室一侧的所述第一子孔段的最大孔径；优选地，每个所述第一子孔段靠近所述第二腔室一端的孔径大于背离所述第二腔室一端的孔径；优选地，所述第一子孔段的径向尺寸沿所述轴向逐渐增加；优选地，所述连接段沿所述轴向各处的孔径相同。3.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，所述分散孔还包括沿所述轴向设置于所述连接段背离所述第一孔段一侧的第二孔段，所述第二孔段延伸至所述第一极板朝向所述第一腔室的表面，沿所述轴向，所述第二孔段的孔径呈增大趋势且朝向所述第一腔室一端的孔径大于背离所述第一腔室一端的孔径。4.根据权利要求3所述的气相沉积装置，其特征在于，所述第二孔段包括多个第二子孔段，相邻两个所述第二子孔段中，靠近...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖善春，曹桃，李亮，张春柳，王燕锋，蒲宇飞，崔永鑫，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：