半导体结构及其制造方法技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底，所述基底表面具有焊盘，所述焊盘远离所述基底的一侧具有凹凸表面；镀层，所述镀层位于所述焊盘的表面，所述镀层覆盖所述凹凸表面；焊球，所述焊球位于所述镀层的表面。本公开实施例提供的半导体结构及其制造方法有利于提高半导体结构的良率。体结构的良率。体结构的良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]引线键合是半导体封装工艺中一个重要步骤，用引线将芯片上的引线孔和框架衬垫上的引脚连接，使得芯片能与外部电路连接。在微电子封装中，半导体器件的失效约有25％到33.3％是由芯片互连引起的，因而，芯片互连对器件的可靠性影响很大。
[0003]芯片互连的基础是焊盘和引线的键合。焊盘作为芯片内部电路与外部引线连接的接口，对芯片的良品率及可靠性有着重要的影响。一方面，焊盘表面的状态会影响到引线键合的效果，焊盘表面的低质量会引起引线键合失效或引线键合可靠性差等问题，从而降低后段封测时芯片的良率，甚至影响最终产品的可靠性。另一方面，由于引线键合工序位于整个芯片制造工序的末尾，由于焊盘表面质量不良而造成报废的器件都已接近成品，使得报废的成本变得很高。因此，改善焊盘的表面质量，对于提高半导体结构的良率具有积极意义。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，至少有利于改善焊盘的表面质量。
[0005]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，包括：基底，基底表面具有焊盘，焊盘远离基底的一侧具有凹凸表面；镀层，镀层位于焊盘的表面，镀层覆盖凹凸表面；焊球，焊球位于镀层的表面。
[0006]在一些实施例中，镀层远离的焊盘的表面具有第一粗糙度，焊盘上的凹凸表面具有第二粗糙度，第一粗糙度大于或等于第二粗糙度。
[0007]在一些实施例中，镀层的材料与焊球的材料相同。
[0008]根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，基底表面具有焊盘；对焊盘进行预处理，预处理用于使焊盘的表面为凹凸表面；形成镀层，镀层位于焊盘表面，镀层覆盖凹凸表面。
[0009]在一些实施例中，焊盘的表面具有杂质层，对焊盘进行预处理之前，还包括：去除杂质层。
[0010]在一些实施例中，焊盘的表面具有杂质层，预处理包括：去除杂质层；对焊盘进行粗糙化处理，以使焊盘的表面为凹凸表面；其中，去除杂质层与粗糙化处理为同一设备。
[0011]在一些实施例中，去除杂质层的同时，对焊盘进行粗糙化处理。
[0012]在一些实施例中，去除所述杂质层时，保留部分所述杂质层作为残留杂质层。
[0013]在一些实施例中，未经过预处理的焊盘的表面具有第三粗糙度，经过预处理后的焊盘的表面具有第二粗糙度，第二粗糙度大于第三粗糙度。
[0014]在一些实施例中，采用气相沉积工艺形成镀层。
[0015]本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
[0016]本公开实施例提供的半导体结构中，基底表面具有焊盘，焊盘远离基底的一侧具有凹凸表面，镀层位于焊盘的表面，且覆盖凹凸表面。凹凸表面的表面形貌能够提供较大的接触面积，有利于提高焊盘与镀层的接合效果。此外，凹凸表面在一定程度上能够吸收镀层的材料冷却时产生的拉伸应力，使得镀层不易产生裂纹，降低焊盘被杂质污染或被杂质腐蚀的风险，且焊盘在一段时间的保存后还能具有良好的表面质量，维持焊盘的良好的焊接性，使得半导体结构具有良好的可靠性。焊球位于镀层的表面，可以作为引线与镀层连接的媒介，且镀层与焊球可以具有较大的接合面积，镀层与焊球的接合效果得到提升，进而引线的可靠性也得到提高。
附图说明
[0017]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本公开实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本公开一实施例提供的半导体结构的一种剖面结构示意图；
[0019]图2为本公开一实施例提供的半导体结构的另一种剖面结构示意图；
[0020]图3为本公开一实施例提供的半导体结构的又一种剖面结构示意图；
[0021]图4为本公开一实施例提供的焊盘的一种剖面结构示意图；
[0022]图5为本公开一实施例提供的焊盘的另一种剖面结构示意图；
[0023]图6至图11为本公开一实施例提供的制造方法中各步骤对应的半导体结构的剖面结构示意图。
具体实施方式
[0024]由
技术介绍
可知，在半导体工艺中，引线键合是其中的一项重要工序，引线通常与焊盘表面键合，而控制焊盘的表面质量，对于提高半导体结构的良率具有积极意义。
[0025]本公开实施例提供一种半导体结构，至少有利于提高焊盘的表面质量。
[0026]下面将结合附图对本公开的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本公开各实施例中，为了使读者更好地理解本公开而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本公开所要求保护的技术方案。
[0027]在本公开实施例的描述中，技术术语“第一”“第二”等仅用于区别不同对象，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量、特定顺序或主次关系。在本公开实施例的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0028]图1为本公开一实施例提供的半导体结构的剖面结构示意图；图2为本公开一实施例提供的半导体结构的另一种剖面结构示意图；图3为本公开一实施例提供的半导体结构的又一种剖面结构示意图；图4为本公开一实施例提供的焊盘的一种剖面结构示意图；图5为本公开一实施例提供的焊盘的另一种剖面结构示意图。以下将结合附图对本公开实施例
进行更为详细的说明。
[0029]参考图1至图3，半导体结构包括：基底101，基底101表面具有焊盘102，焊盘102远离基底101的一侧具有凹凸表面112；镀层103，镀层103位于焊盘102的表面，镀层103覆盖凹凸表面112；焊球104，焊球104位于镀层103的表面。
[0030]在一些实施例中，基底可以为包括层叠的衬底以及隔离层。焊盘位于隔离层表面。
[0031]在一些实施例中，衬底的材料包括半导体材料，半导体材料包括硅、锗或者锗硅等。
[0032]在一些实施例中，隔离层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或者其他的绝缘材料的任意一种或者多种。
[0033]在一些实施例中，隔离层可以为单层膜层结构或者多层层叠膜层结构。
[0034]在一些实施例中，隔离层内形成有有源区、字线、位线、电容结构以及重布线层。其中，位线与有源区的第一掺杂区电性连接，电容结构与有源区的第二掺杂区电性连接，字线与有源区的沟道区对应，重布线层与字线、位线或者重布线层的任意一者电性连接。有源区的第一掺杂区用于形成晶体管的源极，有源区的第二掺杂区用于形成晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底表面具有焊盘，所述焊盘远离所述基底的一侧具有凹凸表面；镀层，所述镀层位于所述焊盘的表面，所述镀层覆盖所述凹凸表面；焊球，所述焊球位于所述镀层的表面。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述镀层远离的所述焊盘的表面具有第一粗糙度，所述焊盘上的所述凹凸表面具有第二粗糙度，所述第一粗糙度大于或等于所述第二粗糙度。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述镀层的材料与所述焊球的材料相同。4.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面具有焊盘；对所述焊盘进行预处理，所述预处理用于使所述焊盘的表面为凹凸表面；形成镀层，所述镀层位于所述焊盘表面，所述镀层覆盖所述凹凸表面。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述焊盘的表面具有杂质层，对所述焊盘进行预处理之前，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王隽，吴玉雷，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：