本发明专利技术提供一种发光峰值波长良好、光谱半峰宽窄、和/或发光强度高的荧光体。另外，提供演色性、颜色再现性和/或转换效率良好的发光装置、照明装置、图像显示装置和车辆用显示灯。本发明专利技术涉及荧光体和具备该荧光体的发光装置，所述荧光体包含具有由特定组成式表示的组成的结晶相，且在X射线粉末衍射图谱中将在2θ＝38～39度的区域出现的峰值强度设为Ix、将在2θ＝37～38度的区域出现的峰值强度设为Iy时，Ix相对于Iy的相对强度即Ix/Iy为0.140以下。Ix相对于Iy的相对强度即Ix/Iy为0.140以下。Ix相对于Iy的相对强度即Ix/Iy为0.140以下。
【技术实现步骤摘要】
荧光体、发光装置、照明装置、图像显示装置和车辆用显示灯
[0001]本申请是申请号为202280005274.2、申请日为2022年8月19日、专利技术名称为“荧光体、发光装置、照明装置、图像显示装置和车辆用显示灯”的专利技术申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及荧光体、发光装置、照明装置、图像显示装置和车辆用显示灯。
技术介绍
[0003]近年来，受到节能趋势的影响，使用了LED的照明、背光灯的需求不断增加。在此使用的LED为在发出蓝或近紫外波长的光的LED芯片上配置有荧光体的白色发光LED。
[0004]作为这种类型的白色发光LED，近年来一直使用在蓝色LED芯片上采用以来自蓝色LED芯片的蓝色光为激发光而发出红色光的氮化物荧光体和发出绿色光的荧光体而得到的LED。作为LED，不断要求更高的发光效率，期望红色荧光体的发光特性也优异的荧光体和具备这样的荧光体的发光装置。
[0005]作为发光装置中使用的红色荧光体，已知有例如通式K2(Si，Ti)F6：Mn、K2Si
1－x
Na
x
Al
x
F6:Mn(0＜x＜1)表示的KSF荧光体、通式(Sr，Ca)AlSiN3:Eu表示的S/CASN荧光体等，但KSF荧光体为由Mn激活的剧毒物质，因此需要对人体和环境更友好的的荧光体。另外，S/CASN荧光体由于大多发光光谱中的半峰宽(以下，有时记载为“光谱半峰宽”或“A
‑‑
full width at half maximum”“FWHM”)较宽为80nm～90nm左右，发光波长区域容易包含相对视觉灵敏度低的波长区域，因此从改善转换效率的观点考虑，需要光谱半峰宽更窄的红色荧光体。
[0006]另外，作为近年来的可用于发光装置的红色荧光体，例如，专利文献1在实施例中公开了一种由SrLiAl3N4:Eu的组成式表示的荧光体。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1:日本专利第6335884号公报
技术实现思路
[0010]然而，专利文献1中记载的荧光体的发光强度不足，要求发光强度更良好的荧光体和转换效率更良好的发光装置。
[0011]鉴于上述课题，本专利技术的目的在于从一个角度提供演色性、颜色再现性和/或转换效率良好的发光装置、照明装置、图像显示装置和/或车辆用显示灯。
[0012]本专利技术人等进行深入研究，结果发现通过使用包含由特定组成表示的结晶相，并且在X射线粉末衍射图谱中2θ在特定区域的相当于异相的峰的强度与在其它特定区域的相当于由上述特定组成表示的结晶相的峰的强度的比率为规定值以下的荧光体或具备该荧光体的发光装置，能够解决上述课题，从而完成了本专利技术。以下，示出非限定性的一些实施方式。
[0013]＜1＞一种发光装置，具备荧光体，
[0014]上述荧光体包含具有下述式[1]表示的组成的结晶相，且在上述荧光体的X射线粉末衍射图谱中将在2θ＝38～39度的区域出现的峰值强度设为Ix、将在2θ＝37～38度的区域出现的峰值强度设为Iy时，Ix相对于Iy的相对强度即Ix/Iy为0.140以下。
[0015]Re
x
MA
a
MB
b
MC
c
N
d
X
e
[1][0016](上述式[1]中，
[0017]MA包含选自Sr、Ca、Ba、Na、K、Y、Gd和La中的1种以上的元素，
[0018]MB包含选自Li、Mg和Zn中的1种以上的元素，
[0019]MC包含选自Al、Si、Ga、In和Sc中的1种以上的元素，
[0020]X包含选自F、Cl、Br和I中的1种以上的元素，
[0021]Re包含选自Eu、Ce、Pr、Tb和Dy中的1种以上的元素，
[0022]a、b、c、d、e、x分别满足下述式。
[0023]0.7≤a≤1.3
[0024]0.7≤b≤1.3
[0025]2.4≤c≤3.6
[0026]3.2≤d≤4.8
[0027]0.0≤e≤0.2
[0028]0.0＜x≤0.2)
[0029]＜2＞一种发光装置，具备荧光体，
[0030]上述荧光体包含具有下述式[2]表示的组成的结晶相，且在上述荧光体的X射线粉末衍射图谱中将在2θ＝38～39度的区域出现的峰值强度设为Ix、将在2θ＝37～38度的区域出现的峰值强度设为Iy时，Ix相对于Iy的相对强度即Ix/Iy为0.140以下。
[0031]Re
x
MA
a
MB
b
(MC
’
1－y
MD
y
)
c
N
d
X
e
[2][0032](上述式[2]中，
[0033]MA包含选自Sr、Ca、Ba、Na、K、Y、Gd和La中的1种以上的元素，
[0034]MB包含选自Li、Mg和Zn中的1种以上的元素，
[0035]MC
’
为Al，
[0036]MD包含选自Si、Ga、In和Sc中的1种以上的元素，
[0037]X包含选自F、Cl、Br和I中的1种以上的元素，
[0038]Re包含选自Eu、Ce、Pr、Tb和Dy中的1种以上的元素，
[0039]a、b、c、d、e、x、y分别满足下述式。
[0040]0.7≤a≤1.3
[0041]0.7≤b≤1.3
[0042]2.4≤c≤3.6
[0043]3.2≤d≤4.8
[0044]0.0≤e≤0.2
[0045]0.0＜x≤0.2
[0046]0.0＜y≤1.0)
[0047]＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的发光装置，其中，上述式[1]或式[2]中，MA的80摩
尔％以上为选自Sr、Ca和Ba中的1种以上的元素。
[0048]＜4＞根据＜1＞或＜2＞所述的发光装置，其中，上述式[1]或式[2]中，MB的80摩尔％以上为Li。
[0049]＜5＞根据＜1＞所述的发光装置，其中，上述式[1]中，MC的80摩尔％以上由选自Al和Ga中的1种以上的元素构成。
[0050]＜6＞根据＜5＞所述的发光装置，其中，上述式[1]中，MC的80摩尔％以上为Al。
[0051]＜7＞根据＜2＞所述的发光装置，其中，上述式[2]中，MD的80摩尔％以上为Ga。
[0052]＜8＞根据＜1＞或＜2＞所述的发光装置，其中，上述式[1]或式[2]中，Re的80摩尔％以上为Eu。
[0053]＜9＞根据＜1＞或＜2＞所述的发光装置，其中，具有上述式[1]或式[2]表示的组成的结晶相的空间群为P－1。
[0054]＜10＞根据＜1＞或＜2＞所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，具备荧光体，所述荧光体包含具有下述式[2]表示的组成的结晶相，且在所述荧光体的X射线粉末衍射图谱中将在2θ＝38～39度的区域出现的峰值强度设为Ix、将在2θ＝37～38度的区域出现的峰值强度设为Iy时，Ix相对于Iy的相对强度即Ix/Iy为0.140以下，Re
x
MA
a
MB
b
(MC
’
1－y
MD
y
)
c
N
d
X
e
ꢀꢀꢀꢀ
[2]所述式[2]中，MA包含选自Sr、Ca、Ba、Na、K、Y、Gd和La中的1种以上的元素，MB包含选自Li、Mg和Zn中的1种以上的元素，MC
’
为Al，MD包含选自Si、Ga、In和Sc中的1种以上的元素，X包含选自F、Cl、Br和I中的1种以上的元素，Re包含选自Eu、Ce、Pr、Tb和Dy中的1种以上的元素，a、b、c、d、e、x、y分别满足下述式，0.7≤a≤1.30.7≤b≤1.32.4≤c≤3.63.2≤d≤4.80.0≤e≤0.20.0＜x≤0.20.0＜y≤1.0。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述式[2]中，MA的80摩尔％以上为选自Sr、Ca和Ba中的1种以上的元素。3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述式[2]中，MB的80摩尔％以上为Li。4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述式[2]中，MD的80摩尔％以上为Ga。5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，具有所述式[2]表示的组成的结晶相的空间群为P－1。6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述荧光体在发光光谱中在620nm～645nm的范围具有发光峰值波长。7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述荧光体的发光光谱的半峰宽即FWHM为70nm以下。8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，进一步具备黄色荧光体和/或绿色荧光体。9.根据权利要求8所述的发光装置，其中，所述黄色荧光体和/或绿色荧光体包含石榴石系荧光体、硅酸盐系荧光体、氮化物荧光体和氮氧化物荧光体中的任1种以上的荧光体。10.根据权利要求1所述的发光装置，其中，具备第1...
【专利技术属性】
技术研发人员：来岛友幸，稻田悠平，广崎尚登，
申请(专利权)人：国立研究开发法人物质，
类型：发明
国别省市：
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