一种基板处理方法，对基板进行处理，该基板具有包含形成凹部的凹部形成面的主面，且在上述凹部内形成了被去除层。上述基板处理方法包含：蚀刻步骤，将含有蚀刻离子的蚀刻液供给至上述基板的主面，对上述被去除层进行蚀刻；浓缩步骤，将上述基板的主面上的上述蚀刻液进行浓缩；亲水化步骤，将通过上述蚀刻液的浓缩而露出的上述凹部形成面进行亲水化；离子扩散步骤，在上述亲水化步骤后，通过对上述基板的主面供给冲洗液，使上述蚀刻离子扩散至上述冲洗液中；以及，冲洗液去除步骤，从上述基板的主面去除上述冲洗液。面去除上述冲洗液。面去除上述冲洗液。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法及基板处理装置
[0001]本专利技术涉及处理基板的基板处理方法及处理基板的基板处理装置。
[0002]成为处理对象的基板包含例如半导体晶片、液晶显示设备及有机EL(Electroluminescence，电致发光)显示设备等的FPD(Flat Panel Display，平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
技术介绍
[0003]通过蚀刻所形成的图案形状为各式各样。随着图案的细微化或电子零件的三维构造化，而要求通过蚀刻形成开口狭窄的凹部。
[0004]因此，下述专利文献1揭示为了促进蚀刻液进入至开口狭窄的凹部，而将凹部表面亲水化的技术。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2020
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155612号公报
技术实现思路
[0008]专利技术所要解决的问题
[0009]蚀刻液在狭窄处移动受限。因此，专利文献1中，有进入至开口狭窄的凹部中的蚀刻液无法从凹部内被充分去除的担心。
[0010]因此，本专利技术的一个目的在于提供一种基板处理方法及基板处理装置，在对形成于基板主面的凹部内的被去除层进行蚀刻的构成中，可抑制凹部内的蚀刻液残存。
[0011]用于解决问题的手段
[0012]本专利技术的一实施方式提供一种基板处理方法，对基板进行处理，该基板具有包含形成凹部的凹部形成面的主面，且在上述凹部内形成了被去除层。
[0013]上述基板处理方法包含：蚀刻步骤，将含有蚀刻离子的蚀刻液供给至上述基板的主面，对上述被去除层进行蚀刻；浓缩步骤，将上述基板的主面上的上述蚀刻液进行浓缩；亲水化步骤，将通过上述蚀刻液的浓缩而露出的上述凹部形成面进行亲水化；离子扩散步骤，在上述亲水化步骤后，通过对上述基板的主面供给冲洗液，使上述蚀刻离子扩散至上述冲洗液中；以及，冲洗液去除步骤，从上述基板的主面去除上述冲洗液。
[0014]根据此基板处理方法，将金属层等被去除层由蚀刻液去除后，使蚀刻液浓缩。因此，蚀刻液残存于凹部内，另一方面，露出凹部形成面。因此，通过其后的亲水化步骤，可使凹部形成面良好地亲水化。
[0015]凹部形成面被亲水化后，在基板的主面供给冲洗液，故冲洗液容易进入至凹部内。由于进入至凹部内的冲洗液与被浓缩的蚀刻液接触，故产生离子浓度的差(离子浓度梯度)。详细而言，因浓缩而蚀刻离子浓度增高的蚀刻液、与不含蚀刻离子的冲洗液接触。因
此，为了蚀刻离子浓度的均匀化，蚀刻离子扩散至冲洗液中。由此，蚀刻离子移动至凹部外，可抑制凹部内的蚀刻液残存。其后，通过从基板的主面将冲洗液去除，可从基板的主面上去除蚀刻离子。因此，可抑制冲洗液被浓缩而蚀刻离子残留于凹部内的情形。
[0016]本专利技术一实施方式中，凹部的宽度为5nm以下。如此，冲洗液向凹部内的移动受到限制。因此，若在蚀刻液的浓缩后将凹部形成面亲水化，可促进冲洗液向凹部内的进入。
[0017]本专利技术一实施方式中，在上述冲洗液去除步骤后，将上述离子扩散步骤及上述冲洗液去除步骤各重复至少一次。根据此方法，即使有仅通过一次的利用冲洗液进行的扩散仍无法将残存于凹部内的蚀刻离子充分去除的情况，通过将利用冲洗液进行的扩散执行多次，可将残存于凹部内的蚀刻离子充分去除。
[0018]本专利技术一实施方式中，上述亲水化步骤包含：对上述凹部形成面进行氧化的氧化步骤。
[0019]本专利技术一实施方式中，上述氧化步骤包含；对上述基板的主面供给液状氧化剂的液状氧化剂供给步骤。根据此方法，在蚀刻液的供给、及冲洗液的供给之间所执行的凹部形成面的亲水化通过液状氧化剂、亦即液体的供给而达成。因此，与通过气体状氧化剂的供给或紫外线的照射而对凹部形成面进行亲水化的情况不同，不需要为了亲水化而将基板移动至其他腔室。因此，可迅速执行基板处理。
[0020]本专利技术一实施方式中，上述基板处理方法还包含：在上述离子扩散步骤前，将供给至上述基板的主面的液状氧化剂从上述基板的主面去除的氧化剂去除步骤。
[0021]根据此方法，在对基板的主面供给冲洗液前，从基板的主面去除液状氧化剂。因此，可抑制在供给于基板的主面的冲洗液中混入氧化剂而冲洗液中的离子浓度上升的情形。从而，可抑制被浓缩的蚀刻液与冲洗液接触而发生的离子浓度梯度减少的情形。其结果，可抑制凹部内的蚀刻液残存。
[0022]本专利技术一实施方式中，上述氧化步骤包含：执行气体状氧化剂对上述基板的主面的供给、及光对上述基板的主面的照射中的至少任一者的干式氧化步骤。根据此方法，不需使用液体而可将凹部形成面亲水化。因此，可防止基板亲水化所使用的液体混入至冲洗液而造成冲洗液中的离子浓度上升的情形。
[0023]本专利技术一实施方式中，上述浓缩步骤包含：使上述基板的主面干燥的干燥步骤。
[0024]本专利技术一实施方式中，上述蚀刻步骤包含：从蚀刻液喷嘴朝基板保持构件所保持的上述基板的主面喷出上述蚀刻液，将上述蚀刻液供给至上述基板的主面的蚀刻液供给步骤。并且，上述干燥步骤包含：通过使上述基板保持构件围绕通过上述基板的主面的中心部且与上述基板的主面正交的旋转轴线进行旋转而使上述基板旋转，使上述蚀刻液所含有的溶媒成分从上述基板的主面蒸发的旋转蒸发步骤。
[0025]蚀刻液对基板的主面的供给、以及蚀刻液的溶媒成分从基板的主面的蒸发，均在由基板保持构件保持着基板的状态下执行。因此，在蚀刻结束后，可迅速地将蚀刻液进行浓缩。
[0026]本专利技术一实施方式中，上述干燥步骤包含：通过对与上述基板的主面接触的空间进行减压，使上述蚀刻液所含有的溶媒成分从上述基板的主面蒸发的减压蒸发步骤。根据此方法，通过与基板的主面接触的空间的减压可迅速地将蚀刻液进行浓缩。
[0027]本专利技术的其他实施方式，提供一种基板处理装置，对基板进行处理，该基板具有包
含形成凹部的凹部形成面的主面，且在上述凹部内形成了被去除层。上述基板处理装置包含：蚀刻液供给构件，将含有蚀刻离子并对上述被去除层进行蚀刻的蚀刻液供给至上述基板的主面；蚀刻液浓缩构件，将上述基板的主面上的上述蚀刻液进行浓缩；亲水化构件，对通过上述蚀刻液的浓度而露出的上述凹部形成面进行亲水化；冲洗液供给构件，将使上述蚀刻离子扩散至液体中的冲洗液供给至上述基板的主面；以及，冲洗液去除构件，从上述基板的主面去除上述冲洗液。根据此基板处理装置，可发挥与上述基板处理方法相同的效果。
[0028]本专利技术的上述、或进而其他目的、特征及效果，将通过参照附图、下述的实施方式的说明而进一步阐明。
附图说明
[0029]图1A为用于说明成为处理对象的基板的器件面的表层部构造的概略性剖面图。
[0030]图1B为从图1A所示箭头IB观察的图。
[0031]图2A为用于说明本专利技术第1实施方式的基板处理装置的构成的俯视图。
[0032]图2B为用于说明上述基板处理装置的构成的正视图。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理方法，对基板进行处理，该基板具有包含形成凹部的凹部形成面的主面，且在上述凹部内形成了被去除层，该基板处理方法包含：蚀刻步骤，将含有蚀刻离子的蚀刻液供给至上述基板的主面，对上述被去除层进行蚀刻；浓缩步骤，将上述基板的主面上的上述蚀刻液进行浓缩；亲水化步骤，将通过上述蚀刻液的浓缩而露出的上述凹部形成面进行亲水化；离子扩散步骤，在上述亲水化步骤后，通过对上述基板的主面供给冲洗液，使上述蚀刻离子扩散至上述冲洗液中；以及冲洗液去除步骤，从上述基板的主面去除上述冲洗液。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，上述凹部的宽度为5nm以下。3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，上述被去除层为金属层。4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，上述离子扩散步骤包含：利用通过在上述凹部内上述冲洗液与上述蚀刻液接触而产生的离子浓度梯度，使上述蚀刻离子扩散至上述冲洗液中的步骤。5.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，在上述冲洗液去除步骤后，将上述离子扩散步骤及上述冲洗液去除步骤各重复至少一次。6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其中，上述亲水化步骤包含：对上述凹部形成面进行氧化的氧化步骤。7.如权利要求6所述的基板处理方法，其中，上述氧化步骤包含：对上述基板的主面供给液状氧化剂的液状氧化剂供给步骤。8.如权利要求7所述的基板处理方法，其中，还包含：在上述离子扩散步骤前，将供给至上述基板的主面的液状氧化剂从上述基板的主面去除的氧化剂去除步骤。9....
【专利技术属性】
技术研发人员：田中孝佳，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：
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