银粉及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种具有能够降低焙烧后的体积电阻率的粉体物性的银粉及其制造方法。银粉的振实密度为4.8g/mL以上，该振实密度(g/mL)除以体积基准的中值粒径(μm)而得到的值即TAP/D50值为7以上且15以下，比表面积为0.75m2/g以上且1.3m2/g。/g。/g。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】银粉及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种银粉及其制造方法。

技术介绍

[0002]银糊剂作为导电性的糊剂，用于形成电子部件基板的布线图案、电极等。作为导电性糊剂的银糊剂是将银粉与赋形剂等一起混炼而制造的。为了应对电子部件的小型化、导体图案的高密度化、细线化等，要求导电糊剂用银粉具有适度小的粒径和窄的粒度分布。
[0003]专利文献1中指出如下问题：现有技术制造的银粉的涂膜状态、线性可能不良，其结果无法获得良好的焙烧膜，有时不能应对图案的高密度化、细线化。为了解决该问题，专利文献1记载了银粉及其制造方法。专利文献1记载的银粉的制造方法中，对通过湿式还原法制造的银粉实施使颗粒彼此机械碰撞的表面平滑化处理后，通过分级除去大的银的聚集体。认为，使用通过该制造方法制造的银粉的糊剂例如能够使线性良好。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2007
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186798号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]在如上所述的现有技术中，通过湿式还原法制造银粉时，银粉的银颗粒的粒径(体积基准的中值粒径)变小时，随之有银粉的比表面积增加，振实密度变小的倾向。因此，通过使用该银粉的导电性糊剂形成导电膜并焙烧后的空隙难以填埋，在降低体积电阻率等提高导电性的方面存在改善的余地。
[0009]本专利技术是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种具有能够降低焙烧后的体积电阻率的粉体物性的银粉及其制造方法。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]为了实现上述目的的本专利技术的银粉，
[0012]其振实密度为4.8g/mL以上，
[0013]所述振实密度(g/mL)除以体积基准的中值粒径(μm)而得到的值即TAP/D50值为7以上且15以下，
[0014]比表面积为0.75m2/g以上且1.3m2/g。
[0015]为了实现上述目的的本专利技术的银粉的制造方法包括：
[0016]利用高压空气流加速并粉碎通过湿式还原法制造的银粉的粉碎工序；以及，
[0017]在所述粉碎工序后进行的将所述银粉分级的分级工序，
[0018]所述粉碎工序以所述银粉的浓度为0.2kg/m3以下的方式进行，
[0019]以使得所述分级工序后的所述银粉的粉体物性如下所示的方式进行分级：
[0020]振实密度为4.8g/mL以上，
[0021]所述振实密度除以体积基准的中值粒径(μm)而得到的值即TAP/D50值为7以上且15以下，
[0022]比表面积为0.75m2/g以上且1.3m2/g。
[0023]专利技术的效果
[0024]本专利技术提供一种具有能够降低焙烧后的体积电阻率的粉体物性的银粉及其制造方法。
附图说明
[0025]图1是示出制造银粉的设备的一例的图。
具体实施方式
[0026]本实施方式的银粉是作为银微粒的聚集体的粉体。以下，对本实施方式的银粉及其制造方法进行说明。
[0027](关于银粉)
[0028]本实施方式的银粉的振实密度为4.8g/mL以上。另外，将银粉的振实密度除以银粉中的银微粒的体积基准的中值粒径(μm)而得到的值定义为TAP/D50值时，TAP/D50值为7以上且15以下。另外，银粉的比表面积为0.75m2/g以上且1.3m2/g。通过银粉具有这样的粉体物性，将银粉制成导电性糊剂，进而将其涂布、印刷等而绘制出导体图案、电极等的导电膜图案并进行焙烧，可以实现降低由此得到的导电膜的体积电阻率。
[0029]本实施方式的银粉通过如下制造方法实现，所述制造方法包括：利用高压空气流加速并粉碎通过湿式还原法制造的银粉的粉碎工序；以及，在粉碎工序后进行的将银粉分级的分级工序。
[0030]本实施方式的银粉的制造方法中，粉碎工序以银粉的浓度为0.2kg/m3以下的方式进行。以使得分级工序后的银粉的粉体物性如下所示的方式进行分级：振实密度为4.8g/mL以上，振实密度除以体积基准的中值粒径(μm)而得到的值即TAP/D50值为7以上且15以下，比表面积为0.75m2/g以上且1.3m2/g。
[0031]需要说明的是，本实施方式的银粉的比表面积更优选为0.8m2/g以上，进一步优选为0.9m2/g以上。如果比表面积超过1.3m2/g，则糊剂的粘度可能变得过大从而印刷性劣化。虽然通常难以获得保持较大的比表面积的同时具有大的振实密度的银粉，但是本专利技术可以兼顾上述范围的比表面积和高振实密度。
[0032]以往，中值粒径小且比表面积大的情况下，振实密度变小，TAP/D50值小于7。即使中值粒径大且比表面积小的情况下，振实密度也不会变大，TAP/D50值也小于7。
[0033]为了增加银粉的振实密度，需要改善银粉的填充性。一般而言，填充性良好的粉体，其粉体中的微粒的粒径(例如中值粒径)适度大，粒度分布适度宽，并且颗粒形状为球形。粉体中的微粒的粒径变小或颗粒形状扭曲时，颗粒的表面积变大，相对于颗粒质量的附着力相对变大，粉体的聚集性变大从而流动性下降。由此，粉体填充时颗粒间容易产生间隙，填充性下降，从而振实密度下降。由此可见，特征在于，流动性、填充性如振实密度这样的粉体物性与比表面积、粒径如中值粒径这样的颗粒物性是具有相关性。因此，认为通过测量振实密度、比表面积、中值粒径、评价这些物性之间的关系，可以掌握银粉的特征。例如，
振实密度大且中值粒径小的情况下，即TAP/D50值大的情况下，也可以评价为尽管粒径小但聚集性小、填充性良好的粉体。
[0034]为此，通过控制为上述适度的比表面积并且满足高振实密度和TAP/D50值的方式制备银粉，可以提供聚集性被抑制、分散性良好的银粉，由此预计可以降低体积电阻率。
[0035]以下，将银粉制成导电性糊剂、涂布、印刷、以及焙烧而得到的导电膜简称为导电膜。另外，将焙烧后的导电膜的体积电阻率简称为体积电阻率。
[0036]对于银粉的粉体物性，更优选TAP/D50值为7以上且10以下。通过TAP/D50值为该范围，体积电阻率进一步减小。
[0037]对于银粉的粉体物性，中值粒径优选为0.32μm以上且1μm以下，更优选为0.4μm以上且0.8μm以下。通过中值粒径为该范围，体积电阻率进一步减小。尤其是，中值粒径为0.8μm以下时，体积电阻率进一步减小。
[0038]银粉的振实密度是指，称取规定量的银粉，放入规定容量的容器中，以规定的落差进行规定次数的使该容器下落的动作后(以下称为振实后)的容器内的银粉的表观密度，由容器内银粉的重量除以容器内银粉的表观容量来求出。
[0039]对于本实施方式中的银粉的振实密度，作为银粉的振实密度，可以采用如下值：使用振实密度测定装置(柴山科学株式会社制，体积比重测定装置SS
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DA
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2)，称量30g银粉放入容器(20mL试本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种银粉，其振实密度为4.8g/mL以上，所述振实密度(g/mL)除以体积基准的中值粒径(μm)而得到的值即TAP/D50值为7以上且15以下，比表面积为0.75m2/g以上且1.3m2/g。2.根据权利要求1所述的银粉，其中，所述TAP/D50为7以上且10以下。3.根据权利要求1或2所述的银粉，其中，所述中值粒径为0.32μm以上且1μm以下。4.根据权利要求3所述的银粉，其中，所述中值粒径为0.4μm以上且0.8μm以下。5.一种银粉的制造方法，其包括：利用高压空气流加速并粉碎通过湿式还原法制造的银粉的粉碎工序；以及，在所述粉碎工序后进行的将所述银粉分级的分级工序，所述粉碎工序以所述银粉的...

【专利技术属性】
技术研发人员：德贞香织，林田光，
申请(专利权)人：同和电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：