一种HVLP电解铜箔的生产工艺制造技术

本发明专利技术涉及铜箔加工相关技术领域，具体是一种HVLP电解铜箔的生产工艺，包括以下步骤：S1、生箔电解；S2、将电解后的生箔置于表面处理机中处理，以形成单面毛，然后依次进行酸洗、水洗、粗化、固化、水洗、合金化处理、硅烷偶联剂处理及烘干处理，以得到HVLP电解铜箔，其中，在粗化过程中加入微量元素。本发明专利技术通过在粗化阶段加入微量元素，并调整运行电流，以及电流密度，使得电镀效果好，有效的降低了铜箔的粗糙度，实用性强。实用性强。实用性强。

【技术实现步骤摘要】
一种HVLP电解铜箔的生产工艺


[0001]本专利技术涉及铜箔加工相关
，具体是一种HVLP电解铜箔的生产工艺。

技术介绍

[0002]随着在通信、云计算、云存储技术发展，以及更高的以太网、云服务器的发展，PCB将进一步向高速/高频的方向发展，PCB信号传输性能也会在一定程度上制约高速传输技术的发展。在4G时代，PCB单通道信号传输速率已由10Gbps提升至25Gbps，预计5G时代会进一步提升至50Gbps以上。信号逐渐高速/高频化是信号传输越来越集中于导线“表层”，当频率达1GHz时，其信号在导线表面的传输厚度仅为2.1μm，如果导体表面粗糙度为3
‑
5μm，信号传输仅在粗糙度的厚度范围内进行；当信号传输频率提高到10GHz时，其信号在导体表面的传输厚度为0.7μm，信号传输更是在粗糙度范围内进行。信号在粗糙度范围传输，传输信号的驻波、反射将越来越严重，并导致信号传输路径变长，损耗增加。所以对比常规铜箔，现在的一些高速材料采用低粗糙度的铜箔，像一些材料都采用反转(RTF)铜箔作为标配铜箔；但一般来说客户需求的更多是采用超低轮廓即HVLP铜箔；越来越多材料使用HVLP铜箔已成为标配。通过观察扫描电镜和金相显微镜可看出RTF和HVLP铜箔的表面形貌，STD铜箔毛面粗糙度(Rz)约为5μm，光面粗糙度3μm；RTF铜箔毛面、光面粗糙度约3μm；HVLP铜箔光面、毛面粗糙度均在2μm以内。
[0003]实际生产中发现普通的电路板箔经过表面处理阶段走出来一部分会电镀不均匀或者没有电镀上，当在普通箔加入微量元素后，铜箔电镀密集且规则。考虑到电池箔12微米在生产过程中就经过防氧化液，选择电池箔12微米主要由于：电池箔纯度较高，表面比较平整，没有明显凸起或者凹陷，另外纵向延展性和横向延展性非常好，可以有效地防止在电路板的制造过程中出现铜箔拉伸或者断裂的情况，综合而言即可以确保电路板箔性能的稳定性和可靠性。但由于HVLP的需求量逐渐增大，但工艺比较复杂，不仅需要控制电流，还需要在表面处理中加入微量元素，所以需要开发一种新的工艺来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种HVLP电解铜箔的生产工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种HVLP电解铜箔的生产工艺，包括以下步骤：
[0007]S1、生箔电解；
[0008]S2、将电解后的生箔置于表面处理机中处理，以形成单面毛，然后依次进行酸洗、水洗、粗化、固化、水洗、合金化处理、硅烷偶联剂处理及烘干处理，以得到HVLP电解铜箔，其中，在粗化过程中加入微量元素。
[0009]如上所述的HVLP电解铜箔的生产工艺：所述微量元素包括三氧化铬、硫酸亚铁及钼酸钠。
[0010]如上所述的HVLP电解铜箔的生产工艺：生箔电解时的电解液包含如下组分：铜离子92
‑
95g/L、硫酸110
‑
115g/L、氯离子18
‑
27ppm及添加剂。
[0011]如上所述的HVLP电解铜箔的生产工艺：所述添加剂包括纤维素、明胶、聚乙二醇及聚二硫二丙烷磺酸钠的一种或两种。
[0012]如上所述的HVLP电解铜箔的生产工艺：在酸洗时，酸洗液的铜离子浓度≤10g/L、硫酸浓度为90
±
10g/L，酸洗温度维持在35℃，电解液流量为8m3/h。
[0013]如上所述的HVLP电解铜箔的生产工艺：在粗化处理时，电解液的铜离子浓度25
±
0.5g/L、硫酸浓度95
±
10g/L，处理温度为25℃
‑
30℃，电解液流量为8m3/h，粗化电流为2700A
‑
3100A。
[0014]如上所述的HVLP电解铜箔的生产工艺：在固化处理时，电解液的铜离子浓度45
±
5g/L、硫酸浓度90
±
2.5g/L，处理温度为50℃，电解液流量为11m3/h，固化电流为1400A。
[0015]如上所述的HVLP电解铜箔的生产工艺：在固化处理时，电解槽进液端电流密度为20A/dm2，出液端电流密度为16A/dm2。
[0016]如上所述的HVLP电解铜箔的生产工艺：所述合金化处理包括依次进行的镀镍处理、镀锌处理及镀铬处理，其中：
[0017]镀镍处理的电解槽中镍离子浓度0.36
±
0.5g/L，钴离子浓度0.64
±
0.5g/L，焦磷酸钾浓度40
±
2g/L，温度为40
±
1℃，pH值为10.0
±
0.2，电解液流量为6m3/h，电流为10A
‑
45A；
[0018]镀锌处理的电解槽中锌离子浓度1.0
±
0.5g/L，焦磷酸钾浓度40
±
2g/L，温度为40
±
1℃，pH值为11.2
±
0.2，电解液流量为10m3/h，电流为25A
‑
120A；
[0019]镀铬处理的电解槽中Cr
6+
浓度：1
±
0.5g/L，温度：35
±
1℃，pH值为10
±
0.2，电解液流量为5m3/h，电流为60A。
[0020]如上所述的HVLP电解铜箔的生产工艺：镀镍处理时非处理面电流密度：6A/dm2,处理面电流密度为5A/dm2；
[0021]镀锌处理时非处理面电流密度：10A/dm2,处理面电流密度为5A/dm2；
[0022]镀铬处理时非处理面电流密度：10A/dm2，处理面电流密度为7A/dm2。
[0023]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术通过在粗化阶段加入微量元素，并调整运行电流，以及电流密度，使得电镀效果达到最好，有效的降低了铜箔的粗糙度，实用性强。
附图说明
[0024]图1为采用实施例1的HVLP电解铜箔的生产工艺处理后的铜箔电镜形貌。
[0025]图2为采用实施例2的HVLP电解铜箔的生产工艺处理后的铜箔电镜形貌。
[0026]图3为采用实施例3的HVLP电解铜箔的生产工艺处理后的铜箔电镜形貌。
[0027]图4为采用实施例4的HVLP电解铜箔的生产工艺处理后的铜箔电镜形貌。
[0028]图5为采用实施例5的HVLP电解铜箔的生产工艺处理后的铜箔电镜形貌。
[0029]图6为采用实施例6的HVLP电解铜箔的生产工艺处理后的铜箔电镜形貌。
[0030]图7为采用实施例7的HVLP电解铜箔的生产工艺处理后的铜箔电镜形貌。
[0031]图8为采用实施例8的HVLP电解铜箔的生产工艺处理后的铜箔电镜形貌。
具体实施方式
[0032]以下将参考附图详细说明本申请的各本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种HVLP电解铜箔的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、生箔电解；S2、将电解后的生箔置于表面处理机中处理，以形成单面毛，然后依次进行酸洗、水洗、粗化、固化、水洗、合金化处理、硅烷偶联剂处理及烘干处理，以得到HVLP电解铜箔，其中，在粗化过程中加入微量元素。2.根据权利要求1所述的一种HVLP电解铜箔的生产工艺，其特征在于，所述微量元素包括三氧化铬、硫酸亚铁及钼酸钠。3.根据权利要求1所述的一种HVLP电解铜箔的生产工艺，其特征在于，生箔电解时的电解液包含如下组分：铜离子92
‑
95g/L、硫酸110
‑
115g/L、氯离子18
‑
27ppm及添加剂。4.根据权利要求3所述的一种HVLP电解铜箔的生产工艺，其特征在于，所述添加剂包括纤维素、明胶、聚乙二醇及聚二硫二丙烷磺酸钠的一种或两种。5.根据权利要求1所述的一种HVLP电解铜箔的生产工艺，其特征在于，在酸洗时，酸洗液的铜离子浓度≤10g/L、硫酸浓度为90
±
10g/L，酸洗温度维持在35℃，电解液流量为8m3/h。6.根据权利要求1所述的一种HVLP电解铜箔的生产工艺，其特征在于，在粗化处理时，电解液的铜离子浓度25
±
0.5g/L、硫酸浓度95
±
10g/L，处理温度为25℃
‑
30℃，电解液流量为8m3/h，粗化电流为2700A
‑
3100A。7.根据权利要求1所述的一种HVLP电解铜箔的生产工艺，其特征在于，在固化处理时，电解液的铜离子浓度45
±
5g/L、硫酸浓度90
±
2.5g/L，处理温度为50℃，...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭肖林，戴桉迪，白忠波，赵原森，孟建龙，屈伟伟，冯宝鑫，杜庆庆，
申请(专利权)人：灵宝华鑫铜箔有限责任公司，
类型：发明
国别省市：