本公开提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法的步骤包括提供半导体基底，该基底包括主动区，设置在该半导体基底上或是在该半导体基底中；将图案化光刻胶层设置在该半导体基底上；移除该半导体基底经由图案化光刻胶层而暴露的第一部分，以形成第一沟槽；移除图案化光刻胶层；形成第一绝缘组件在第一沟槽内；将能量可分解遮罩设置在半导体基底以及第一绝缘组件上；以电磁辐射照射能量可分解遮罩的一部分；移除以电磁辐射照射的能量分解遮罩的该部分，以形成图案化能量可分解遮罩；移除半导体基底经由图案化能量可分解遮罩而暴露的第二部分，以形成第二沟槽；移除图案化能量可分解遮罩；以及形成第二绝缘组件在第二沟槽内。以及形成第二绝缘组件在第二沟槽内。以及形成第二绝缘组件在第二沟槽内。
【技术实现步骤摘要】
具有长形主动区的存储器元件的制备方法
[0001]交叉引用
[0002]本申请案主张美国第17/737,722及17/737,703号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年5月5日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。
[0003]本公开关于一种半导体元件的制备方法。特别涉及一种具有长形主动区(AA)的存储器元件的制备方法。
技术介绍
[0004]非易失性存储器元件即使在其电源被切断时亦可保留数据。一种类型的非易失性存储器元件是一次性可程序化(OTP)存储器元件。使用OTP存储器元件，一使用者仅能对OTP存储器元件进行一次程序化，并且不能修改存储在OTP存储器元件中的数据。一信号被传输到设置在一半导体基底上方的一金属互连。
[0005]然而，该金属互连的这种布线对增加存储器元件的布线密度存在有障碍。这样的布线可能导致一更窄的工艺窗口并且可能导致在该存储器元件中的多个存储器单元之间的未对准或泄漏，因此限制了最小特征尺寸的减小。因此，希望发展出解决相关制造挑战的改进。
[0006]上文“的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文“的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文“的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
[0007]本公开的一实施例提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法的步骤包括提供一半导体基底，该半导体基底包括一主动区以集一图案化光刻胶层，该主动区设置在该半导体基底上或是在该半导体基底上，该图案化光刻胶层设置在该半导体基底上；移除该半导体基底经由该图案化光刻胶层而暴露的一第一部分，以形成一第一沟槽；移除该图案化光刻胶层；形成一第一绝缘组件在该第一沟槽内；将一能量可分解遮罩设置在该半导体基底与该第一绝缘组件上；以一电磁辐射照射该能量可分解遮罩的一部分；移除以该电磁辐射照射该能量可分解遮罩的该部分，以形成一图案化能量可分解遮罩；移除该半导体基底经由该图案化能量可分解遮罩而暴露的一第二部分，以形成一第二沟槽；移除该图案化能量可分解遮罩；以及形成一第二绝缘组件在该第二沟槽内。
[0008]在一些实施例中，在形成该第一绝缘组件之后，执行设置该能量可分解遮罩。
[0009]在一些实施例中，该能量可分解遮罩是热可分解、光可分解或是电子束(e
‑
beam)可分解。
[0010]在一些实施例中，该能量可分解遮罩包括一交联化合物，该交联化合物具有一功能基或是一双键结。
[0011]在一些实施例中，该能量可分解遮罩包括聚合物、聚酰亚胺、树脂或环氧树脂。
[0012]在一些实施例中，该电磁辐射垂直地朝向该能量可分解遮罩的该部分照射。
[0013]在一些实施例中，该电磁辐射是红外线、紫外线或电子束(e
‑
beam)。
[0014]在一些实施例中，该第一绝缘组件与该第二绝缘组件围绕该半导体基底的该主动区。
[0015]在一些实施例中，该第一绝缘组件与该第二绝缘组件包括一相同材料。
[0016]在一些实施例中，该第一绝缘组件与该第二绝缘组件是一体成形，以形成一浅沟隔离(STI)。
[0017]在一些实施例中，在形成该第二沟槽之前，执行形成该第一沟槽。
[0018]在一些实施例中，该第一绝缘组件的制作技术包含将一第一绝缘材料设置在该半导体基底上以及在该第一沟槽内。
[0019]在一些实施例中，该第二绝缘组件的制作技术包含将一第二绝缘材料设置在该半导体基底上以及在该第二沟槽内。
[0020]在一些实施例中，该图案化光刻胶层以及该图案化能量可分解遮罩包括不同材料。
[0021]本公开的另一实施例提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法的步骤包括提供一半导体基底，该半导体基底包括一主动区以及一第一绝缘组件，该主动区设置在该半导体基底上或是在该半导体基底中，该第一绝缘组件延伸进入该半导体基底且邻近该主动区设置；将一能量可分解遮罩设置在该半导体基底与该第一绝缘组件上；以一电磁辐射照射该能量可分解遮罩的一部分；移除以该电磁辐射照射该能量可分解遮罩的该部分，以形成一图案化能量可分解遮罩；移除该半导体基底经由该图案化能量可分解遮罩而暴露的一部分，以形成一沟槽；移除该图案化能量可分解遮罩；以及形成一第二绝缘组件在该沟槽内。
[0022]在一些实施例中，该第一绝缘组件被该能量可分解遮罩所覆盖。
[0023]在一些实施例中，该第一绝缘组件的一长度大致大于该第二绝缘组件的一长度。
[0024]在一些实施例中，该第一绝缘组件的一深度大致等于该第二绝缘组件的一深度。
[0025]在一些实施例中，该第一绝缘组件被该图案化能量可分解遮罩所覆盖。
[0026]在一些实施例中，该能量可分解遮罩的该部分通过蚀刻而移除。
[0027]在一些实施例中，该第一绝缘组件与该第二绝缘组件包括氧化物。
[0028]在一些实施例中，该半导体基底的该主动区被该第一绝缘组件与该第二绝缘组件所围绕。
[0029]在一些实施例中，该电磁辐射设置在该能量可分解遮罩上方。
[0030]在一些实施例中，该沟槽的一深度大致等于该第一绝缘组件的一深度。
[0031]本公开的再另一实施例提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法的步骤包括提供一半导体基底，该半导体基底包括一主动区，该主动区设置在该半导体基底上或是在该半导体基底中；将一能量可分解遮罩设置在该半导体基底上；处理该能量可分解遮罩的一部分；移除该能量可分解遮罩的该部分，以形成一图案化能量可分解遮罩；移除该半导体基底经由该图案化能量可分解遮罩而暴露的一部分，以形成一沟槽；移除该图案化能量可分解遮罩；以及形成一绝缘组件在该沟槽内。
[0032]在一些实施例中，该主动区邻近该沟槽设置。
[0033]在一些实施例中，该能量可分解遮罩的该部分以一电磁辐射进行处理。
[0034]在一些实施例中，该电磁辐射是红外线、紫外线或电子束(e
‑
beam)。
[0035]在一些实施例中，该电磁辐射照射在该能量可分解遮罩上。
[0036]在一些实施例中，该绝缘组件包括氧化物。
[0037]在一些实施例中，该能量可分解遮罩通过化学气相沉积(CVD)或是物理气相沉积(PVD)而设置。
[0038]在一些实施例中，该绝缘组件的制作技术包含氧化。
[0039]在一些实施例中，该绝缘组件的制作技术包含将一绝缘材料设置在该半导体基底上以及在该沟槽内。
[0040]在一些实施例中，移除在该沟槽上方的该绝缘材料。
[0041]在一些实施例中，该半导体基底包括硅。
[0042]总之，因为该半导体基底的该主动区通过将一图案化能量可分解遮罩设置在该半导体基底上然后移除该半导体基底经由该图案化能量可分解遮罩而暴露的多个预定部分所界定，所以在该移除期间可保持该主动区的一尺寸大小最小或不减小。因此，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器元件的制备方法，包括：提供一半导体基底，该半导体基底包括一主动区以及一第一绝缘组件，该主动区设置在该半导体基底上或是在该半导体基底中，该第一绝缘组件延伸进入该半导体基底且邻近该主动区设置；将一能量可分解遮罩设置在该半导体基底与该第一绝缘组件上；以一电磁辐射照射该能量可分解遮罩的一部分；移除以该电磁辐射照射该能量可分解遮罩的该部分，以形成一图案化能量可分解遮罩；移除该半导体基底经由该图案化能量可分解遮罩而暴露的一部分，以形成一沟槽；移除该图案化能量可分解遮罩；以及形成一第二绝缘组件在该沟槽内。2.如权利要求1所述的存储器元件的制备方法，其中该第一绝缘组件被该能量可分解遮罩所覆盖。3.如权利要求1所述的存储器元件的制备方法，其中该第一绝缘组件的一长度大致大于该第二绝缘组件的一长度。4.如权利要求1所述的存储器元件的制备方法，其中该第一绝缘组件的一深度大致等于该第二绝缘组件的一深度。5.如权利要求1所述的存储器元件的制备方法，其中该第一绝缘组件被该图案化能量可分解遮罩所覆盖。6.如权利要求1所述的存储器元件的制备方法，其中该能量可分解遮罩的该部分通过蚀刻而移除。7.如权利要求1所述的存储器元件的制备方法，其中该第一绝缘组件与该第二绝缘组件包括氧化物。8.如权利要求1所述的存储器元件的制备方法，其中该半导体基底的该主动区被该第一绝缘组件与该第二绝缘组件所围绕。9.如权利要求1所述的存储器元件的制备方法，其中该电磁辐射设置在该能量可分解遮罩上方。10.如权利要求1所述的存储器元...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨宬苓，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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