一种双开门半导体清洁设备及控制方法技术

技术编号:39307335 阅读:8 留言:0更新日期:2023-11-12 15:55
本申请实施例涉及一种双开门半导体清洁设备及控制方法,其中双开门半导体清洁设备包括:清洁腔室、进料门、出料门、以及气压控制装置;其中,进料门与出料门间隔设置,且满足在双开门半导体清洁设备被安置在跨越第一车间和第二车间的位置处时,进料门能够位于第一车间内,出料门能够位于第二车间内;进料门配置为供待清洁物料从第一车间进入清洁腔室;出料门配置为供待清洁物料清洁后从清洁腔室离开至第二车间;气压控制装置配置为,在打开进料门之前,控制清洁腔室内的气压大于第一车间的气压,以及在打开出料门之前,控制清洁腔室内的气压小于第二车间的气压;如此,避免第一车间、清洁腔室和第二车间之间相互污染,改善了清洁效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
一种双开门半导体清洁设备及控制方法


[0001]本申请涉及半导体
,特别是涉及一种双开门半导体清洁设备及控制方法。

技术介绍

[0002]半导体制造过程中,需要较高的洁净等级。外来物料所处的环境的洁净等级通常要低于高级制程区域,因此常常引入污染,降低了半导体制程的良率。通过半导体清洁设备对物料进行清洗,可以有效改善清洁度。但是现有的半导体清洁设备,由于进料门区域与清洁腔室之间存在洁净度差异,以及清洁腔室与出料门区域之间也存在清洁度差异,因此容易发生各空间之间的交叉污染,从而影响半导体清洁设备的清洁效果。
[0003]因此,如何提高半导体清洁设备的清洁效果是本领域始终致力解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此,本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种双开门半导体清洁设备及控制方法。
[0005]第一方面,本专利技术提供了一种双开门半导体清洁设备,包括清洁腔室、进料门、出料门、以及气压控制装置;
[0006]所述进料门与所述出料门间隔设置,且满足在所述双开门半导体清洁设备被安置在跨越第一车间和第二车间的位置处时,所述进料门能够位于所述第一车间内,所述出料门能够位于所述第二车间内;
[0007]所述进料门配置为供待清洁物料从所述第一车间进入所述清洁腔室;
[0008]所述出料门配置为供待清洁物料清洁后从所述清洁腔室离开至所述第二车间;
[0009]所述气压控制装置配置为,在打开所述进料门之前,控制所述清洁腔室内的气压大于所述第一车间的气压,以及在打开所述出料门之前,控制所述清洁腔室内的气压小于所述第二车间的气压。
[0010]可选地,所述气压控制装置包括鼓风部件,通过所述鼓风部件实现在打开所述进料门之前,控制所述清洁腔室内的气压大于所述第一车间的气压;和/或,所述气压控制装置包括排风部件,通过所述排风部件实现在打开所述出料门之前,控制所述清洁腔室内的气压小于所述第二车间的气压。
[0011]可选地,所述气压控制装置包括第一气压检测部件、第二气压检测部件以及第三气压检测部件,所述第一气压检测部件配置为检测所述清洁腔室内的气压,所述第二气压检测部件配置为检测所述第一车间的气压,所述第三气压检测部件配置为检测所述第二车间的气压。
[0012]可选地,所述待清洁物料包括晶圆盒;所述双开门半导体清洁设备还包括位于所述清洁腔室内的清洗装置和干燥装置。
[0013]可选地,所述的双开门半导体清洁设备还包括去静电装置;所述去静电装置位于
所述清洁腔室外部且位于所述出料门外侧;所述去静电装置配置为在所述出料门打开时,向开门位置吹送离子风。
[0014]第二方面,本专利技术还提供了一种双开门半导体清洁设备的控制方法,包括:
[0015]在控制所述进料门打开之前,
[0016]检测所述清洁腔室内的气压;
[0017]判断所述清洁腔室内的气压与所述第一车间的气压的大小关系;
[0018]若所述清洁腔室内的气压小于或等于所述第一车间的气压,则控制所述气压控制装置增大所述清洁腔室内的气压,直至所述清洁腔室内的气压大于所述第一车间的气压后,控制所述进料门打开;以及,
[0019]在控制所述出料门打开之前,
[0020]检测所述清洁腔室内的气压;
[0021]判断所述清洁腔室内的气压与所述第二车间的气压的大小关系;
[0022]若所述清洁腔室内的气压大于或等于所述第二车间的气压,则控制所述气压控制装置减小所述清洁腔室内的气压,直至所述清洁腔室内的气压小于所述第二车间的气压后,控制所述出料门打开。
[0023]可选地,所述气压控制装置包括鼓风部件,所述控制所述气压控制装置增大所述清洁腔室内的气压,包括:控制所述鼓风部件向所述清洁腔室内鼓风以增大所述清洁腔室内的气压;和/或,所述气压控制装置包括排风部件,所述控制所述气压控制装置减小所述清洁腔室内的气压,包括:控制所述排风部件排出所述清洁腔室内的气体以减小所述清洁腔室内的气压。
[0024]可选地,所述双开门半导体清洁设备还包括去静电装置,所述去静电装置位于所述清洁腔室外部且位于所述出料门外侧;所述方法还包括在控制所述出料门打开的情况下,控制所述去静电装置向开门位置吹送离子风。
[0025]可选地,所述双开门半导体清洁设备还包括位于所述清洁腔室内的清洗装置;所述方法还包括控制所述清洗装置中的旋转部件旋转以对待清洁物料进行清洗,且控制所述旋转部件旋转的转速不高于200rpm。
[0026]可选地,所述方法还包括在所述双开门半导体清洁设备处于正常工作的状态下,若所述出料门处于打开状态,则控制所述进料门锁死;若所述进料门处于打开状态,则控制所述出料门锁死。
[0027]本申请实施例提供的一种双开门半导体清洁设备及控制方法,通过进料门与出料门间隔设置且满足两个门能够分别位于第一车间内和第二车间内,避免待清洁物料在经过清洁后又重新回到第一车间(即进料车间),降低了物料被再污染的可能性;在此基础上,考虑到第一车间、清洁腔室和第二车间三个空间的清洁度是不同的,因此通过设置气压控制装置,在打开进料门之前,控制清洁腔室内的气压大于第一车间的气压,从而控制气流从清洁腔室朝第一车间的方向吹出,避免第一车间内的污染物进入清洁腔室,而在打开出料门之前,控制清洁腔室内的气压小于第二车间的气压,从而控制气流由第二车间向清洁腔室的方向流动,避免清洁腔室内的污染物进入第二车间,最终降低了各空间之间交叉污染的可能性,改善了清洁效果。
[0028]本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变
得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0029]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
[0030]图1为本申请实施例提供的双开门半导体清洁设备的进料门侧视角的立体结构示意图;
[0031]图2为本申请实施例提供的双开门半导体清洁设备的出料门侧视角的立体结构示意图;
[0032]图3为本申请实施例提供的双开门半导体清洁设备的俯视示意图;
[0033]图4为本申请实施例提供的双开门半导体清洁设备的使用场景俯视示意图;
[0034]图5为本申请实施例提供的双开门半导体清洁设备的控制方法的流程示意图。
[0035]其中,附图标记说明如下:
[0036]10

第一车间,20

第二车间,100

双开门半导体清洁设备,110

进料门,120

清洁腔室,130

出料门,140

清洁装置,141

清洗装置,1411

旋转部件,142

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双开门半导体清洁设备,其特征在于,包括:清洁腔室、进料门、出料门、以及气压控制装置;其中,所述进料门与所述出料门间隔设置,且满足在所述双开门半导体清洁设备被安置在跨越第一车间和第二车间的位置处时,所述进料门能够位于所述第一车间内,所述出料门能够位于所述第二车间内;所述进料门配置为供待清洁物料从所述第一车间进入所述清洁腔室;所述出料门配置为供待清洁物料清洁后从所述清洁腔室离开至所述第二车间;所述气压控制装置配置为,在打开所述进料门之前,控制所述清洁腔室内的气压大于所述第一车间的气压,以及在打开所述出料门之前,控制所述清洁腔室内的气压小于所述第二车间的气压。2.根据权利要求1所述的双开门半导体清洁设备,其特征在于,所述气压控制装置包括鼓风部件,通过所述鼓风部件实现在打开所述进料门之前,控制所述清洁腔室内的气压大于所述第一车间的气压;和/或,所述气压控制装置包括排风部件,通过所述排风部件实现在打开所述出料门之前,控制所述清洁腔室内的气压小于所述第二车间的气压。3.根据权利要求1所述的双开门半导体清洁设备,其特征在于,所述气压控制装置包括第一气压检测部件、第二气压检测部件以及第三气压检测部件,所述第一气压检测部件配置为检测所述清洁腔室内的气压,所述第二气压检测部件配置为检测所述第一车间的气压,所述第三气压检测部件配置为检测所述第二车间的气压。4.根据权利要求1所述的双开门半导体清洁设备,其特征在于,所述待清洁物料包括晶圆盒;所述双开门半导体清洁设备还包括位于所述清洁腔室内的清洗装置和干燥装置。5.根据权利要求1所述的双开门半导体清洁设备,其特征在于,还包括:去静电装置;所述去静电装置位于所述清洁腔室外部且位于所述出料门外侧;所述去静电装置配置为在所述出料门打开时,向开门位置吹送离子风。6.一种双开门半导体清洁设备的控制方法,其特征在于,所述双开门半导体清洁设备包括:清洁腔室、进料门、出料门、以及气压控制装置,所述进料门位于第一车间内,所述出料门位于第二车间内;所述方法包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名
申请(专利权)人:江苏芯梦半导体设备有限公司
类型:发明
国别省市:

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