发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置，所述发光器件包括阳极、与阳极相对设置的阴极、设置于阳极与阴极之间的发光层，以及设置于阴极与发光层之间的电子传输层，电子传输层的材料包括纳米金属氧化物和形核剂，提高了电子

【技术实现步骤摘要】
发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置。

技术介绍

[0002]发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，发光器件为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
[0003]以QLED为例，目前，QLED存在载流子注入不平衡的问题，即现有的QLED在运行时普遍存在电子注入大于空穴注入的问题，使得发光层出现电子积累的现象，从而增大非发光复合的几率(例如俄歇复合)而损失能量，导致QLED在运行过程中出现性能衰减的问题，例如：发光效率下降、使用寿命缩短等。
[0004]因此，如何改善发光器件的载流子注入不平衡问题，对发光器件的应用与发展具有重要意义。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种发光器件、发光器件的制备方法以及显示装置，以改善发光器件的发光效率和工作寿命。
[0006]本申请的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请提供了一种发光器件，所述发光器件包括：
[0008]阳极；
[0009]阴极，与所述阳极相对设置；
[0010]发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
[0011]电子传输层，设置于所述阴极与所述发光层之间；
[0012]其中，所述电子传输层的材料包括第一化合物和第二化合物，所述第一化合物为纳米金属氧化物，所述第二化合物为形核剂。
[0013]进一步地，所述第一化合物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl或ZnOF中的至少一种；所述第一化合物的平均粒径为2nm至15nm。
[0014]进一步地，所述形核剂选自有机形核剂和/或无机形核剂；
[0015]所述有机形核剂选自羧酸金属盐类化合物、山梨醇类化合物、聚合物形核剂或β晶型形核剂中的至少一种，其中，所述羧酸金属盐类化合物选自琥珀酸钠、戊二酸钠、己酸钠、4
‑
甲基戊酸钠、己二酸、己二酸铝、特丁基苯甲酸铝、苯甲酸铝、苯甲酸钾、苯甲酸锂、肉桂酸
钠或β
‑
萘甲酸钠中的至少一种，所述山梨醇类化合物选自二苄叉山梨醇、二(对一甲基苄叉)山梨醇或二(对氯取代苄叉)山梨醇中的至少一种，所述聚合物形核剂选自聚乙烯基环己烷、聚乙烯戊烷或乙烯/丙烯酸酯共聚物中的至少一种，所述β晶型形核剂选自β型聚丙烯；
[0016]所述无机形核剂选自炭黑、氧化钙、云母、滑石粉或高岭土中的至少一种。
[0017]进一步地，在所述电子传输层中，所述第一化合物：所述第二化合物的摩尔比为1：(0.1～0.2)。
[0018]进一步地，所述发光层的材料为量子点，所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机
‑
无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；
[0019]当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物或I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，其中，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV
‑
VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
[0020]进一步地，所述发光器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间；
[0021]所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，当所述空穴功能层包括层叠设置的空穴传输层和空穴注入层时，所述空穴传输层靠近所述发光层，且所述空穴注入层靠近所述阳极；
[0022]所述空穴传输层的材料选自NiO、WO3、MoO3、CuO、聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
CO
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)二苯胺)、3
‑
己基取代聚噻吩、聚(9
‑
乙烯咔唑)、聚[双(4
‑
苯基)(4
‑
丁基苯基)胺]、聚(N,N'
‑
二(4
‑
丁基苯基)
‑
N,N'
‑
二苯基
‑
1,4
‑
苯二胺
‑
CO
‑
9,9
‑
二辛基芴)、4,4',4
”‑
三(咔唑
‑9‑
基)三苯胺、4,4'
‑
二(9
‑
咔唑)联苯、N本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括：阳极；阴极，与所述阳极相对设置；发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及电子传输层，设置于所述阴极与所述发光层之间；其中，所述电子传输层的材料包括第一化合物和第二化合物，所述第一化合物为纳米金属氧化物，所述第二化合物为形核剂。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一化合物选自ZnO、TiO2、SnO2、BaO、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO、AlZnO、ZnOCl或ZnOF中的至少一种；所述第一化合物的平均粒径为2nm至15nm。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述形核剂选自有机形核剂和/或无机形核剂；所述有机形核剂选自羧酸金属盐类化合物、山梨醇类化合物、聚合物形核剂或β晶型形核剂中的至少一种，其中，所述羧酸金属盐类化合物选自琥珀酸钠、戊二酸钠、己酸钠、4
‑
甲基戊酸钠、己二酸、己二酸铝、特丁基苯甲酸铝、苯甲酸铝、苯甲酸钾、苯甲酸锂、肉桂酸钠或β
‑
萘甲酸钠中的至少一种，所述山梨醇类化合物选自二苄叉山梨醇、二(对一甲基苄叉)山梨醇或二(对氯取代苄叉)山梨醇中的至少一种，所述聚合物形核剂选自聚乙烯基环己烷、聚乙烯戊烷或乙烯/丙烯酸酯共聚物中的至少一种，所述β晶型形核剂选自β型聚丙烯；所述无机形核剂选自炭黑、氧化钙、云母、滑石粉或高岭土中的至少一种。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在所述电子传输层中，所述第一化合物：所述第二化合物的摩尔比为1：(0.1～0.2)。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为量子点，所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机
‑
无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物或I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，其中，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV
‑
VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。6.根据权利要求1至5任一项中所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括空
穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间；所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，当所述空穴功能层包括层叠设置的空穴传输层和空穴注入层时，所述空穴传输层靠近所述发光层，且所述空穴注入层靠近所述阳极；所述空穴传输层的材料选自NiO、WO3、MoO3、Cu...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗强，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：