本申请提出一种双向收发SERDES电路和电子设备，该双向收发SERDES电路包括正向发送电路和反向接收电路。其中，正向发送电路和反向接收电路连接。正向发送电路包括预驱动电路和主驱动电路，从而正向发送电路通过预驱动电路和主驱动电路能够对需要发送的正向发送信号进行驱动发送。反向接收电路包括反馈电阻和辅助驱动电路，从而反向接收电路通过反馈电阻和辅助驱动电路能够接收其他设备发送的反向接收信号，并在接收反向接收信号时能够对正向发送信号进行消除。从而能够实现正向发送信号和反向接收信号在同一链路上同时传输，可降低通信成本。信成本。信成本。
【技术实现步骤摘要】
双向收发SERDES电路和电子设备
[0001]本申请涉及电子电路
，尤其涉及一种双向收发SERDES电路和电子设备。
技术介绍
[0002]相关技术中的SERDES结构如图1所示，为了实现双向数据传输，主设备和从设备都有发送器和接收器，主设备的发送器将系统的并行数据转成串行信号发送到信道上，经信号传输后，从设备的接收端接收串行信号并恢复出时钟和数据，转换成并行数据送给系统，完成数据传输过程，从设备的数据发送、主设备的数据接收采用相同的原理。SERDES一般采用差分方式传输数据，同时为了减少系统响应延迟，数据通讯的接收和发送需要同时进行，这就限制了系统的收发信道不能共享，需要有独立传输通道，即需要设置用于发送信号的独立通道和设置用于接收信号的独立通道，会增加通信成本。
技术实现思路
[0003]本申请实施例的主要目的在于提出一种双向收发SERDES电路和电子设备。旨在通过电路设计，能够实现正向发送信号和反向接收信号在同一链路上同时传输，可降低通信成本。
[0004]为实现上述目的，本申请实施例的第一方面提出一种双向收发SERDES电路，包括：正向发送电路和反向接收电路，所述正向发送电路和所述反向接收电路连接；
[0005]所述正向发送电路包括预驱动电路和主驱动电路，所述预驱动电路的第一端用于接入正向发送信号，所述预驱动电路的第二端与所述主驱动电路的第一端连接，所述主驱动电路的第二端用于连接外部的信号线；
[0006]所述反向接收电路包括反馈电阻和辅助驱动电路，所述反馈电阻的第一端用于连接外部的所述信号线，所述反馈电阻的第二端与所述辅助驱动电路的第一端连接，所述辅助驱动电路的第二端连接所述预驱动电路的第二端；
[0007]所述正向发送电路用于通过外部的所述信号线发送所述正向发送信号；
[0008]所述反向接收电路用于通过外部的所述信号线接收所述反向接收信号，并在接收所述反向接收信号时对所述正向发送信号进行消除。
[0009]在本申请的一个实施例中，所述预驱动电路用于对接入的所述正向发送信号进行预处理得到差分信号，并将所述差分信号传输至所述主驱动电路；
[0010]所述主驱动电路用于接收所述差分信号，并驱动对所述差分信号的发送。
[0011]在本申请的一个实施例中，所述主驱动电路包括若干个驱动模块，若干个所述驱动模块并联在所述预驱动电路的第二端与外部的所述信号线之间；所述辅助驱动电路的结构为按预设比例复制的所述主驱动电路的结构。
[0012]在本申请的一个实施例中，所述驱动模块包括上拉电路、下拉电路和第一电阻，所述第一电阻连接在所述上拉电路和所述下拉电路之间；
[0013]所述上拉电路用于当所述预驱动电路输出的电平为高电平时，将外部的所述信号
线上的电位拉为低电平；
[0014]所述下拉电路用于当所述预驱动电路输出的电平为低电平时，将外部的所述信号线上的电位拉为高电平。
[0015]在本申请的一个实施例中，所述下拉电路包括第一驱动单元、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第二电阻；
[0016]所述上拉电路包括第二驱动单元、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三电阻；
[0017]所述第一驱动单元的第一端与所述预驱动电路的第二端连接，所述第一驱动单元的第二端与所述第一NMOS晶体管的栅极连接；
[0018]所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的漏极连接，所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第一PMOS晶体管的漏极连接；
[0019]所述第二NMOS晶体管的源极接地，所述第二NMOS晶体管的栅极用于连接外部的电压校准电路；
[0020]所述第二电阻的第一端与所述第二NMOS晶体管的漏极连接，所述第二电阻的第二端与所述第二NMOS晶体管的源极连接；
[0021]所述第二驱动单元的第一端与所述预驱动电路的第二端连接，所述第二驱动单元的第二端与所述第一PMOS晶体管的栅极连接，所述第一PMOS晶体管的源极与所述第二PMOS晶体管的漏极连接；
[0022]所述第二PMOS晶体管的源极用于连接外部电压，所述第二PMOS晶体管的栅极用于连接外部的所述电压校准电路；
[0023]所述第三电阻的第一端与所述第二PMOS晶体管的漏极连接，所述第三电阻的第二端与所述第二PMOS晶体管的源极连接；
[0024]所述第一电阻的第一端连接在所述第一NMOS晶体管的漏极和所述第一PMOS晶体管的漏极之间，所述第一电阻的第二端用于连接外部的所述信号线。
[0025]在本申请的一个实施例中，所述辅助驱动电路包括至少一个所述驱动模块，所述驱动模块连接在所述预驱动电路的第二端与所述反馈电阻的第二端之间。
[0026]在本申请的一个实施例中，所述反向接收电路还包括均衡器，所述均衡器连接在所述反馈电阻的第二端与所述辅助驱动电路的第一端之间，所述均衡器用于对所述反向接收信号进行频率补偿。
[0027]在本申请的一个实施例中，所述反向接收电路还包括可变增益级电路，所述可变增益级电路与所述均衡器连接，所述可变增益级电路用于对所述均衡器补偿后的所述反向接收信号进行幅度调节。
[0028]在本申请的一个实施例中，所述正向发送电路还包括多抽头前馈数据产生器，所述多抽头前馈数据产生器与所述预驱动电路的第三端连接，所述多抽头前馈数据产生器用于对所述正向发送信号进行多拍延迟，得到多个数据码流，多个所述数据码流作用于所述反向接收信号，以将叠加在所述正向发送信号中的所述反向接收信号消除。
[0029]本申请实施例的第二方面提出一种电子设备，包括本申请任一实施例所述的双向收发SERDES电路。
[0030]本申请提出一种双向收发SERDES电路和电子设备，该双向收发SERDES电路包括正向发送电路和反向接收电路。其中，正向发送电路和反向接收电路连接。正向发送电路包括
预驱动电路和主驱动电路，从而正向发送电路通过预驱动电路和主驱动电路能够对需要发送的正向发送信号进行驱动发送。反向接收电路包括反馈电阻和辅助驱动电路，从而反向接收电路通过反馈电阻和辅助驱动电路能够接收其他设备发送的反向接收信号，并在接收反向接收信号时能够对正向发送信号进行消除。从而能够实现正向发送信号和反向接收信号在同一链路上同时传输，可降低通信成本。
附图说明
[0031]图1是相关技术中的SERDES电路结构的示意图；
[0032]图2是本申请实施例提供的双向收发SERDES电路的示意性框图；
[0033]图3是本申请实施例提供的双向收发SERDES电路的电路图；
[0034]图4是本申请实施例提供的双向收发SERDES电路的另一电路图；
[0035]图5是本申请实施例提供的多抽头前馈数据产生器的原理示意图。
具体实施方式
[0036]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双向收发SERDES电路，其特征在于，包括：正向发送电路和反向接收电路，所述正向发送电路和所述反向接收电路连接；所述正向发送电路包括预驱动电路和主驱动电路，所述预驱动电路的第一端用于接入正向发送信号，所述预驱动电路的第二端与所述主驱动电路的第一端连接，所述主驱动电路的第二端用于连接外部的信号线；所述反向接收电路包括反馈电阻和辅助驱动电路，所述反馈电阻的第一端用于连接外部的所述信号线，所述反馈电阻的第二端与所述辅助驱动电路的第一端连接，所述辅助驱动电路的第二端连接所述预驱动电路的第二端；所述正向发送电路用于通过外部的所述信号线发送所述正向发送信号；所述反向接收电路用于通过外部的所述信号线接收所述反向接收信号，并在接收所述反向接收信号时对所述正向发送信号进行消除。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述预驱动电路用于对接入的所述正向发送信号进行预处理得到差分信号，并将所述差分信号传输至所述主驱动电路；所述主驱动电路用于接收所述差分信号，并驱动对所述差分信号的发送。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述主驱动电路包括若干个驱动模块，若干个所述驱动模块并联在所述预驱动电路的第二端与外部的所述信号线之间；所述辅助驱动电路的结构为按预设比例复制的所述主驱动电路的结构。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述驱动模块包括上拉电路、下拉电路和第一电阻，所述第一电阻连接在所述上拉电路和所述下拉电路之间；所述上拉电路用于当所述预驱动电路输出的电平为高电平时，将外部的所述信号线上的电位拉为低电平；所述下拉电路用于当所述预驱动电路输出的电平为低电平时，将外部的所述信号线上的电位拉为高电平。5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于：所述下拉电路包括第一驱动单元、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第二电阻；所述上拉电路包括第二驱动单元、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三电阻；所述第一驱动单元的第一端与所述预驱动电路的第二端连接，所述第一驱动单元的第二端与所述第一NMOS晶体管的栅极连接；所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐重林，
申请(专利权)人：牛芯半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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