本发明专利技术提供一种超音波熔接装置及超音波熔接方法，所述超音波熔接装置包括第一构件及第二构件。第一构件包括至少一第一熔接特征及至少一第二熔接特征，其中第一熔接特征与第二熔接特征沿着水平方向排列，且第一熔接特征与第二熔接特征在铅直方向上具有相异的尺寸。第二构件具有至少一熔接结构，熔接结构配置以接触第一熔接特征及第二熔接特征，以熔接第一构件及第二构件。件及第二构件。件及第二构件。
【技术实现步骤摘要】
超音波熔接装置及超音波熔接方法
[0001]本专利技术涉及一种熔接装置及熔接方法，尤其涉及一种用于超音波熔接的熔接装置及熔接方法。
技术介绍
[0002]随着科技的创新与进步，各项电子产品不停的推层出新，然而电子产品容易受到液体的影响，进而因受潮生锈而损坏。
[0003]在现有的做法中，厂商常常橡胶环(例如是O形的橡胶环)作为防水的手段，进而避免液体流入电子产品的内部，甚至阻绝电子产品外部的气体。然而，橡胶环会有劣化、增加物料成本及组装不便等问题。
[0004]因此，如何能提供一种兼具方便且制程简易并能有效阻绝液体的防水装置及其制造方法，已经成为民营企业及学术单位投注大量资金、人力和时间的研究标的。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，本专利技术的一目的在于提出一种可有解决上述问题的一种超音波熔接装置，其包括第一构件及第二构件。第一构件包括至少一第一熔接特征及至少一第二熔接特征，其中第一熔接特征与第二熔接特征沿着水平方向排列，且第一熔接特征与第二熔接特征在铅直方向上具有相异的尺寸。第二构件具有至少一熔接结构，熔接结构配置以接触第一熔接特征及第二熔接特征，以熔接第一构件及第二构件。
[0006]在本专利技术的一些实施方式中，至少一第一熔接特征包括多个第一熔接特征，至少一第二熔接特征包括多个第二熔接特征，其中多第一熔接特征及多第二熔接特征交错排列。
[0007]在本专利技术的一些实施方式中，每一第一熔接特征接触多第二熔接特征的相邻二者。
[0008]在本专利技术的一些实施方式中，第一熔接特征的水平宽度和第二熔接特征的水平宽度之比值介于1.5至3。
[0009]在本专利技术的一些实施方式中，第一熔接特征的垂直高度和第二熔接特征的垂直高度之比值介于1.2至6。
[0010]本专利技术的另一面向在于提供一种超音波熔接方法，包括：提供熔接装置，其包括第一构件及第二构件，其中第一构件包括第一熔接特征及第二熔接特征，第一熔接特征与第二熔接特征沿着水平方向排列，且第一熔接特征与第二熔接特征在铅直方向上具有相异的尺寸，第二构件包括至少一熔接结构；压合第一构件及第二构件，使得熔接结构接触第一熔接特征及第二熔接特征；以及通过熔接结构、第一熔接特征及第二熔接特征熔接第一构件及第二构件。
[0011]在本专利技术的一些实施方式中，至少一第一熔接特征包括多个第一熔接特征，至少一第二熔接特征包括多个第二熔接特征，其中多第一熔接特征及多第二熔接特征交错排
列。
[0012]在本专利技术的一些实施方式中，每一第一熔接特征接触多第二熔接特征的相邻二者。
[0013]在本专利技术的一些实施方式中，第一熔接特征的水平宽度和第二熔接特征的水平宽度之比值介于1.5至3。
[0014]在本专利技术的一些实施方式中，第一熔接特征的垂直高度和第二熔接特征的垂直高度之比值介于1.2至6。
[0015]综上所述，本专利技术提供一种超音波熔接装置及使用其的超音波熔接方法，超音波熔接装置包括用于相互熔融接合的第一构件及第二构件，其中第一构件包括在垂直方向上相异的第一熔接特征及第二熔接特征，第二构件包括用于接触第一熔接特征及第二熔接特征的熔接结构。藉此，超音波熔接装置在进行超声波熔接制程时除了能控制第一熔接特征及第二熔接特征的融化方向外，超音波熔接装置更具有优异的结构强度并提供支撑效果。
[0016]以上所述仅用以阐述本专利技术所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本专利技术的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。
附图说明
[0017]为达成上述的优点和特征，将参考实施方式对上述简要描述的原理进行更具体的阐释，而具体实施方式被展现在附图中。这些附图仅例示性地描述本专利技术，因此不限制专利技术的范围。通过附图，将清楚解释本专利技术的原理，且附加的特征和细节将被完整描述，其中：
[0018]图1根据本专利技术一些实施方式示出超音波熔接装置的立体示意图；
[0019]图2根据本专利技术一些实施方式示出超音波熔接方法的步骤流程图；
[0020]图3根据本专利技术一些实施方式示出第一构件的立体示意图；
[0021]图4根据本专利技术一些实施方式示出第二构件的立体示意图；
[0022]图5根据本专利技术一些实施方式示出超音波熔接装置的立体示意图，其中第二构件以虚线表示为透视状态；
[0023]图6为根据图5的虚线框D示出的放大图；
[0024]图7为根据图5的截面线A
‑
A示出的截面图；
[0025]图8为根据图5的截面线B
‑
B示出的截面图；
[0026]图9根据本专利技术一些实施方式示出超音波熔接装置的立体示意图，其中第二构件以虚线表示为透视状态。
[0027]附图标号说明
[0028]100:超音波熔接装置
[0029]110:第一构件
[0030]111:第一熔接特征
[0031]113:第二熔接特征
[0032]115:对位部
[0033]130:第二构件
[0034]131:熔接结构
[0035]131a:阶梯形内壁
[0036]200:超音波熔接方法
[0037]210,230,250:步骤
[0038]C1,C2:中心轴
[0039]H1,H2:垂直高度
[0040]W1,W2:水平宽度
[0041]WP:防水结构
[0042]O:开口
[0043]X:第一水平轴向
[0044]Y:第二水平轴向
[0045]Z:铅直轴向
具体实施方式
[0046]以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。除此之外，为简化附图起见，一些现有惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式示出。
[0047]请参考图1及图3至图6。在本专利技术的一些实施方式中，超音波熔接装置100包括第一构件110及第二构件130。第一构件110包括至少一第一熔接特征111及至少一第二熔接特征113，其中第一熔接特征111与第二熔接特征113沿着水平方向(例如，第一水平轴向X或第二水平轴向Y)排列，且第一熔接特征111与第二熔接特征113在铅直方向(例如，铅直轴向Z)上具有相异的尺寸。例如，第一熔接特征111的尺寸大于第二熔接特征113的尺寸。第二构件130具有至少一熔接结构131，熔接结构131配置以接触第一熔接特征111及第二熔接特征113，以便于将第一构件110及第二构件130相互熔接。此外，第一水平轴向X垂直于第二水平轴向Y，且铅直轴向Z垂直于第一水平轴向X及第二水平轴向Y。第一熔接特征111与第二熔接特征113在熔融接合后除了能在第一构件110及第二构件130之间提供优异的防水功能外，在铅直轴向Z尺寸较大的第一熔接特征本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超音波熔接装置，包括：第一构件，包括至少一第一熔接特征及至少一第二熔接特征，其中所述第一熔接特征与所述第二熔接特征沿着水平方向排列，且所述第一熔接特征与所述第二熔接特征在铅直方向上具有相异的尺寸；以及第二构件，具有至少一熔接结构，其中所述熔接结构配置以接触所述第一熔接特征及所述第二熔接特征，以熔接所述第一构件及所述第二构件。2.根据权利要求1所述的超音波熔接装置，其中所述至少一第一熔接特征包括多个第一熔接特征，所述至少一第二熔接特征包括多个第二熔接特征，其中所述多个第一熔接特征及所述多个第二熔接特征交错排列。3.根据权利要求2所述的超音波熔接装置，其中每一所述多个第一熔接特征接触所述多个第二熔接特征的相邻二者。4.根据权利要求1所述的超音波熔接装置，其中所述第一熔接特征的水平宽度和所述第二熔接特征的水平宽度之比值介于1.5至3。5.根据权利要求1所述的超音波熔接装置，其中所述第一熔接特征的垂直高度和所述第二熔接特征的垂直高度之比值介于1.2至6。6.一种超音波熔接方法，包括：提供一熔接装置，包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡仁杰，刘振维，邱政维，许益致，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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