一种低接触电阻的倒装焊加工方法及倒装互联结构技术

本发明专利技术提供了一种低接触电阻的倒装焊加工方法，包括如下步骤：S1、分别在两个基板表面加工形成若干间隔布置的焊点，且至少一个所述基板上的焊点为凸点；S2、将两个基板上的焊点通过倒装焊工艺一一对应焊接在一起以形成若干凸点互连结构，得到中间产品；所述中间产品中，相邻两个凸点互连结构之间通过凸点止挡结构隔离；S3、对中间产品进行加热，使凸点熔融以消除凸点表面的氧化层。该倒装焊加工方法通过在相邻凸点互连结构之间加工凸点止挡结构，对相邻的凸点在熔融过程中进行隔离处理，避免了相邻凸点互联短路的问题；同时加热熔融状态的凸点消除了氧化层，使得加工而成的倒装互联结构的接触电阻在几欧姆到几十欧姆，大大降低了接触电阻。接触电阻。接触电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种低接触电阻的倒装焊加工方法及倒装互联结构


[0001]本专利技术属于倒装焊
，具体涉及一种低接触电阻的倒装焊加工方法及倒装互联结构。

技术介绍

[0002]现有的凸点倒装焊技术形成的互联结构中，由于凸点表面形成有氧化层，根据凸点尺寸设计不同，其接触电阻在几百欧姆到几千欧姆，而为了获得低接触电阻的凸点互连结构，通常需要在倒装焊过程中喷淋甲酸进行还原反应处理，消除凸点表面的氧化层，或者通过对凸点进行加热处理，使得上下两个凸点充分接触。
[0003]然而，现有的上述处理方式存在如下缺点：(1)凸点被加热软化后，需要施加在两个样品之间的压力非常小，这就要求倒装焊设备具有精准的压力控制能力以及十分灵敏的压力反馈侦测，否则，容易使得凸点形变过大而使相邻凸点互联短路，甚至导致两个样品硬接触而产生裂片的风险；(2)由于甲酸具有腐蚀性，因此，需要在倒装焊设备中增加相应的气密性设计，保证在喷淋甲酸过程中，酸液不会扩散到周围环境中，这也使得倒装焊设备变得更为复杂。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种低接触电阻的倒装焊加工方法，至少可以解决现有技术中存在的部分缺陷。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种低接触电阻的倒装焊加工方法，包括如下步骤：S1、分别在两个基板表面加工形成若干间隔布置的焊点，且至少一个所述基板上的焊点为凸点；S2、将两个基板上的焊点通过倒装焊工艺一一对应焊接在一起以形成若干凸点互连结构，得到中间产品；所述中间产品中，相邻两个凸点互连结构之间通过凸点止挡结构隔离；S3、对中间产品进行加热，使凸点熔融以消除凸点表面的氧化层。
[0006]进一步的，所述步骤S2中，焊点的倒装焊接在室温下进行。
[0007]进一步的，所述凸点止挡结构采用不导电的介质材料，且该介质材料的熔点高于凸点材料的熔点。
[0008]进一步的，所述凸点止挡结构在步骤S1中形成，具体形成方法如下：在至少一个所述基板的表面加工位于相邻焊点之间的介质薄膜，以形成凸点止挡结构。
[0009]进一步的，所述步骤S2中，在将两个基板上的焊点通过倒装焊工艺一一对应焊接在一起之后，其中一个所述基板上的凸点止挡结构与另一个所述基板上的凸点止挡结构或者另一个所述基板的表面相抵接。
[0010]进一步的，所述凸点止挡结构在步骤S2中形成，具体形成方法如下：在将两个基板
上的焊点通过倒装焊工艺一一对应焊接在一起之后，在两个基板之间设置填充胶，以形成凸点止挡结构。
[0011]进一步的，两个所述基板上的焊点均为凸点。
[0012]进一步的，各所述基板上的相邻凸点之间均设置凸点止挡结构，且凸点的上表面高于凸点止挡结构的上表面。
[0013]进一步的，所述基板上对应凸点位置加工有金属打底层，所述凸点通过物理气相沉积的方法在金属打底层上一次沉积而成。
[0014]另外，本专利技术还提供了一种低接触电阻的倒装互联结构，包括相对布置的两个基板，所述基板上设有若干间隔布置的焊点，至少一个所述基板上的焊点为凸点，两个所述基板上的焊点通过倒装焊工艺一一对应焊接形成若干凸点互连结构，相邻两个所述凸点互连结构之间设有凸点止挡结构。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果：(1)本专利技术提供的这种倒装焊加工方法通过在相邻凸点互连结构之间加工凸点止挡结构，对相邻的凸点在熔融过程中进行隔离处理，避免了相邻凸点互联短路的问题；同时加热熔融状态的凸点消除了氧化层，使得加工而成的倒装互联结构的接触电阻在几欧姆到几十欧姆，大大降低了接触电阻。
[0016](2)本专利技术提供的这种倒装焊加工方法中凸点的倒装焊接工艺在室温下进行，降低了设备压力控制和反馈精度的要求，同时倒装焊接后的凸点通过加热互熔方式消除氧化层，无需使用甲酸，因而通过常规的倒装焊设备即可完成加工过程，降低了加工成本。
[0017]以下将结合附图对本专利技术做进一步详细说明。
附图说明
[0018]图1是本专利技术倒装焊加工方法中加工金属打底层的示意图；图2是本专利技术倒装焊加工方法中加工凸点止挡结构的示意图；图3是本专利技术倒装焊加工方法中加工凸点的示意图；图4是本专利技术倒装焊加工方法中室温下两个样品倒装焊接示意图；图5是本专利技术倒装焊加工方法加工而成的倒装互联结构示意图。
[0019]附图标记说明：1、基板；2、金属打底层；3、凸点止挡结构；4、凸点。
具体实施方式
[0020]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0022]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相
连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，还可以是抵触连接或一体地连接；对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义；在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”、“若干”的含义是两个或两个以上。
[0023]如图1、图2、图3、图4和图5所示，本实施例提供了一种低接触电阻的倒装焊加工方法，包括如下步骤：S1、分别在两个基板1表面加工形成若干间隔布置的焊点，且至少一个所述基板上的焊点为凸点4。具体的，可以是一个基板1上的焊点加工为凸点4形式，另一个基板1上的焊点加工为焊盘形式；也可以是两个基板1上的焊点都加工为凸点4。
[0024]S2、将两个基板1上的焊点通过倒装焊工艺一一对应焊接在一起以形成若干凸点互连结构，得到中间产品；所述中间产品中，相邻两个凸点互连结构之间通过凸点止挡结构3隔离。
[0025]S3、对中间产品进行加热，使凸点4熔融以消除凸点4表面的氧化层。
[0026]本实施例提供的这种低接触电阻的倒装焊加工方法通过在相邻凸点互连结构之间加工凸点止挡结构3，对相邻的凸点4在熔融过程中进行隔离处理，避免了相邻凸点4互联短路的问题；同时加热熔融状态的凸点4消除了氧化层，使得加工而成的倒装互联结构的接触电阻在几欧姆到几十欧姆，大大降低了接触电阻。
[0027]在本实施例中，所述基板1可以采用但不限于芯片基板、电路基板等，两个基板1可以相同，也可以不同；例如，对红外探测器进行倒装焊加工时，其中一个基板1为光敏阵列基板，另外一个基板2为读出电路基板。
[0028]作为一种优选的实施方式，在上述步骤S2中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低接触电阻的倒装焊加工方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、分别在两个基板表面加工形成若干间隔布置的焊点，且至少一个所述基板上的焊点为凸点；S2、将两个基板上的焊点通过倒装焊工艺一一对应焊接在一起以形成若干凸点互连结构，得到中间产品；所述中间产品中，相邻两个凸点互连结构之间通过凸点止挡结构隔离；S3、对中间产品进行加热，使凸点熔融以消除凸点表面的氧化层。2.如权利要求1所述的低接触电阻的倒装焊加工方法，其特征在于，所述步骤S2中，焊点的倒装焊接在室温下进行。3.如权利要求1所述的低接触电阻的倒装焊加工方法，其特征在于，所述凸点止挡结构采用不导电的介质材料，且该介质材料的熔点高于凸点材料的熔点。4.如权利要求1所述的低接触电阻的倒装焊加工方法，其特征在于，所述凸点止挡结构在步骤S1中形成，具体形成方法如下：在至少一个所述基板的表面加工位于相邻焊点之间的介质薄膜，以形成凸点止挡结构。5.如权利要求4所述的低接触电阻的倒装焊加工方法，其特征在于，所述步骤S2中，在将两个基板上的焊点通过倒装焊工艺一一对应焊接在一起之后，其中一个所述基板上的凸...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄立，黄晟，汪超，蒋文杰，毛添华，王春水，
申请(专利权)人：武汉高芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：