改性氟树脂材料、电路基板用材料、电路基板用层积体、电路基板以及改性氟树脂材料的制造方法技术

本发明专利技术提供一种线膨胀率低的新型改性氟树脂材料、电路基板用材料、电路基板用层积体、电路基板以及改性氟树脂材料的制造方法。一种改性氟树脂材料，该改性氟树脂材料包含改性氟树脂，所述改性氟树脂包含四氟乙烯单元、基于能够与四氟乙烯共聚的改性单体的改性单体单元、以及叔碳，所述叔碳相对于四氟乙烯单元和所述改性单体单元的合计为0.001摩尔％～0.100摩尔％，与包含四氟乙烯单元、以及基于能够与四氟乙烯共聚的改性单体的改性单体单元且不包含叔碳的非改性氟树脂材料相比，20℃～200℃下的线膨胀率降低5％以上。200℃下的线膨胀率降低5％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】改性氟树脂材料、电路基板用材料、电路基板用层积体、电路基板以及改性氟树脂材料的制造方法


[0001]本专利技术涉及改性氟树脂材料、电路基板用材料、电路基板用层积体、电路基板以及改性氟树脂材料的制造方法。

技术介绍

[0002]随着通信的高速化，对用于电气设备、电子设备、通信设备等的电路基板要求低介电、低损耗的材料。
[0003]专利文献1中记载了将氟树脂(FEP)和铜膜层积，为了提高密合性，在氟树脂熔融的状态下照射电离射线而得到的高频用印刷电路板。
[0004]专利文献2中记载了一种高频用印刷电路板，其具备在由玻璃布构成的中间层的两面设置有由氟树脂(FEP)构成的树脂层的电介质层。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2015
‑
8260号公报
[0008]专利文献2：日本特开2015
‑
8286号公报

技术实现思路

[0009]专利技术所要解决的课题
[0010]本专利技术的目的在于提供一种线膨胀率低的新型改性氟树脂材料、电路基板用材料、电路基板用层积体、电路基板以及改性氟树脂材料的制造方法。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]本专利技术涉及一种改性氟树脂材料，该改性氟树脂材料包含改性氟树脂，上述改性氟树脂包含四氟乙烯单元、基于能够与四氟乙烯共聚的改性单体的改性单体单元、以及叔碳，上述叔碳相对于四氟乙烯单元和上述改性单体单元的合计为0.001摩尔％～0.100摩尔％，
[0013]与包含四氟乙烯单元、以及基于能够与四氟乙烯共聚的改性单体的改性单体单元且不包含叔碳的非改性氟树脂材料相比，所述改性氟树脂材料在20℃～200℃下的线膨胀率降低5％以上。
[0014]上述改性氟树脂材料与上述非改性氟树脂材料相比，优选20℃～200℃下的线膨胀率降低10％以上。
[0015]上述叔碳优选为上述改性氟树脂所具有的
‑
CF2CF
*
(
‑
CF2‑
)CF2‑
所示的结构中的F*键合的碳原子。
[0016]上述改性单体优选为具有全氟乙烯基的单体。
[0017]上述具有全氟乙烯基的单体优选为选自由全氟(烷基乙烯基醚)、六氟丙烯和全氟烯丙基醚组成的组中的至少1种。
[0018]上述改性氟树脂材料优选还包含无机填料。
[0019]上述无机填料优选为选自由二氧化硅、氧化铝、氧化钛和滑石组成的组中的至少1种。
[0020]上述改性氟树脂材料也优选还包含树脂(其中，不包括上述改性氟树脂)。
[0021]上述树脂(其中，不包括上述改性氟树脂)优选为选自由聚对苯撑苯并噁唑、聚苯并咪唑、聚酰亚胺、环氧树脂和聚四氟乙烯组成的组中的至少1种。
[0022]本专利技术还涉及一种电路基板用材料，其包含上述改性氟树脂材料。
[0023]上述电路基板用材料优选为片。
[0024]上述电路基板用材料优选是厚度为5μm～3000μm的片。
[0025]本专利技术还涉及一种电路基板用层积体，其具备金属层(A1)和包含上述电路基板用材料的层(B)。
[0026]构成金属层(A1)的金属优选为铜。
[0027]上述电路基板用层积体优选是厚度为10μm～3500μm的片。
[0028]本专利技术还涉及一种电路基板，其具备金属层(A2)和包含上述电路基板用材料的层(B)。
[0029]构成金属层(A2)的金属优选为铜。
[0030]上述电路基板优选是厚度为10μm～3500μm的片。
[0031]上述电路基板优选为印刷电路基板。
[0032]本专利技术还涉及一种制造方法，其为制造上述改性氟树脂材料的方法，
[0033]其包括下述工序(1)：对作为包含四氟乙烯单元和基于能够与四氟乙烯共聚的改性单体的改性单体单元的共聚物的氟树脂，在比上述氟树脂的熔点低5℃以上的照射温度下照射放射线。
[0034]上述工序(1)优选为对上述氟树脂与选自由无机填料和树脂(其中，不包括上述氟树脂)组成的组中的至少1种的混合物照射上述放射线的工序。
[0035]上述放射线的照射剂量优选为10kGy～250kGy。
[0036]上述放射线优选为电子射线。
[0037]本专利技术还涉及一种制造方法，其为制造上述改性氟树脂材料的方法，
[0038]其包括下述工序(2)：将上述改性氟树脂与选自由无机填料和树脂(其中，不包括上述改性氟树脂)组成的组中的至少1种混合。
[0039]专利技术的效果
[0040]根据本专利技术，可以提供一种线膨胀率低的新型改性氟树脂材料、电路基板用材料、电路基板用层积体、电路基板以及改性氟树脂材料的制造方法。
具体实施方式
[0041]本说明书中，“有机基团”是指含有1个以上的碳原子的基团、或者从有机化合物中除去1个氢原子而形成的基团。
[0042]该“有机基团”的例子包括：
[0043]可以具有1个以上的取代基的烷基、
[0044]可以具有1个以上的取代基的烯基、
[0045]可以具有1个以上的取代基的炔基、
[0046]可以具有1个以上的取代基的环烷基、
[0047]可以具有1个以上的取代基的环烯基、
[0048]可以具有1个以上的取代基的环烷二烯基、
[0049]可以具有1个以上的取代基的芳基、
[0050]可以具有1个以上的取代基的芳烷基、
[0051]可以具有1个以上的取代基的非芳香族杂环基、
[0052]可以具有1个以上的取代基的杂芳基、
[0053]氰基、
[0054]甲酰基、
[0055]RaO
‑
、
[0056]RaCO
‑
、
[0057]RaSO2‑
、
[0058]RaCOO
‑
、
[0059]RaNRaCO
‑
、
[0060]RaCONRa
‑
、
[0061]RaOCO
‑
、
[0062]RaOSO2‑
、以及
[0063]RaNRbSO2‑
[0064](这些式中，Ra独立地为
[0065]可以具有1个以上的取代基的烷基、
[0066]可以具有1个以上的取代基的烯基、
[0067]可以具有1个以上的取代基的炔基、
[0068]可以具有1个以上的取代基的环烷基、
[0069]可以具有1个以上的取代基的环烯基、
[0070]可以具有1个以上的取代基的环烷二烯基、
[0071]可以具有1个以上的取代基的芳基、
[0072]可以具有1个以上的取代基的芳烷基、
[0073]可以具有1个以上的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种改性氟树脂材料，该改性氟树脂材料包含改性氟树脂，所述改性氟树脂包含四氟乙烯单元、基于能够与四氟乙烯共聚的改性单体的改性单体单元、以及叔碳，所述叔碳相对于四氟乙烯单元和所述改性单体单元的合计为0.001摩尔％～0.100摩尔％，与包含四氟乙烯单元、以及基于能够与四氟乙烯共聚的改性单体的改性单体单元且不包含叔碳的非改性氟树脂材料相比，所述改性氟树脂材料在20℃～200℃下的线膨胀率降低5％以上。2.根据权利要求1所述的改性氟树脂材料，其中，与所述非改性氟树脂材料相比，所述改性氟树脂材料在20℃～200℃下的线膨胀率降低10％以上。3.根据权利要求1或2所述的改性氟树脂材料，其中，所述叔碳是所述改性氟树脂所具有的
‑
CF2CF
*
(
‑
CF2‑
)CF2‑
所示的结构中的F*键合的碳原子。4.根据权利要求1～3中任一项所述的改性氟树脂材料，其中，所述改性单体为具有全氟乙烯基的单体。5.根据权利要求4所述的改性氟树脂材料，其中，所述具有全氟乙烯基的单体为选自由全氟(烷基乙烯基醚)、六氟丙烯和全氟烯丙基醚组成的组中的至少1种。6.根据权利要求1～5中任一项所述的改性氟树脂材料，其还包含无机填料。7.根据权利要求6所述的改性氟树脂材料，其中，所述无机填料为选自由二氧化硅、氧化铝、氧化钛和滑石组成的组中的至少1种。8.根据权利要求1～7中任一项所述的改性氟树脂材料，其还包含除所述改性氟树脂以外的树脂。9.根据权利要求8所述的改性氟树脂材料，其中，除所述改性氟树脂以外的所述树脂为选自由聚对苯撑苯并噁唑、聚苯并咪唑、聚酰亚胺、环氧树脂和聚四氟乙烯组成的组中的至少1种。10.一种电路基板用材料，其包含权利要求1～9中任一项所述的改性氟树脂材...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽木恭平，奥野晋吾，上田有希，冈西谦，福岛俊行，今村均，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：