一种大电流触头的故障监测装置制造方法及图纸

技术编号:39258832 阅读:18 留言:0更新日期:2023-10-30 12:10
本发明专利技术公开了一种大电流触头的故障监测装置,所述装置包括4个磁场强度传感器和控制器;所述4个磁场强度传感器以触头为中心对称安装,并且四个磁场强度传感器和触头不接触,四个磁场强度传感器分别与控制器电连接。以解决现有技术存在会导致断电以及浪费人力的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种大电流触头的故障监测装置


[0001]本专利技术涉及一种大电流触头的故障监测装置,属于触头故障监测


技术介绍

[0002]断路器、接触器是电力系统供电中必不可少的电气设备,大电流的断路器、接触器常用于变电站分合闸和给大功率设备配电,其故障往往给用电单位产生工作和生活上的不便,甚至会带来较大的经济损失。
[0003]大电流的断路器、接触器的常见故障是触头的过热和烧蚀,其原因主要是触头表面接触不良。触头表面接触不良的原因有:1、在运行过程中,粉尘、油污等杂物覆盖在触头的部分表面,加大了触头的局部的接触电阻;2、触头闭合分断时,因有电弧会使触头表面烧毛、灼伤.致使其残缺不平及接触面积减小,造成接触不良,因此需要对触头定期检查,以对出现问题的触头进行保养。
[0004]现有技术只能将设备拆开才能发现触头接触不良位置,但这么做会导致断电以及浪费人力的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题是:提供一种大电流触头的故障监测装置,以克服现有技术的不足。
[0006]本专利技术的技术方案为:一种大电流触头的故障监测装置,所述装置包括4个磁场强度传感器和控制器;
[0007]所述4个磁场强度传感器以触头为中心对称安装,并且四个磁场强度传感器和触头不接触,四个磁场强度传感器分别与控制器电连接。
[0008]进一步地,所述磁场强度传感器为霍尔传感器。
[0009]进一步地,所述装置判定触头是否开始出现接触不良的方法为:统计和存储每一次触头接通时的最大磁场强度,在负载没有变化时,当接通时磁场强度最大值比以前的最大值变大后,则判定触头可能出现接触不良。
[0010]进一步地,所述装置判定触头是否开始出现接触不良的方法为:当磁场强度随时间变化的曲线和以前正常的曲线相比变化较大时,则判定触头可能接触不良。
[0011]进一步地,所述方法具体为:
[0012]通过积分计算两条曲线间的面积,
[0013][0014]当该面积值超过临界值时则预测触头可能出现接触不良,
[0015]其中,A
B
:两条曲线间的面积,B1(t)表示触头本次从断开到闭合时随时间变化的磁场强度,B0(t)表示触头正常时触头从断开到闭合时随时间变化的磁场强度。
[0016]进一步地,所述方法还包括:两条曲线间的面积A
B
越小,就说明两条曲线的吻合度越高,触头的情况变化不大,A
B
越大,触头可能出现接触不良。
[0017]进一步地,还包括判定接触不良位置的方法:
[0018]获取两个相互对置磁场强度传感器的检测值分别为B1和B2;
[0019]获取两个相互对置磁场强度传感器的间距;
[0020]获取触头触良好时触头接触面x方向电流I0;
[0021]获取x方向电流变化值ΔI=L*(I

I0);
[0022]计算两个相互对置磁场强度传感器的检测值的差值:
[0023][0024]l即接触不良的地方的位置所在。
[0025]进一步地,还包括判定接触不良位置的方法还包括:
[0026]在触头接触面y方向使用y方向相同的方法计算接触不良的地方的位置,从而获取接触不良的地方在触头接触面x和y平面上的位置。
[0027]本专利技术的有益效果是:与现有技术相比,本专利技术通过4个磁场强度传感器的来监测触头磁场变化,当触头不存在接触不良的情况时,电流均匀的流过触头的接触面。当触头的局部的接触电阻增大时,触头上流过的电流变得不均匀,而此时电流产生的磁场也将发生变化,通过四个磁场强度传感器的监测将能发现磁场的变化,从而能及时发现触头出现接触不良的情况。
附图说明
[0028]图1为本专利技术的结构图;
[0029]图2为本专利技术的电流分布示意图。
具体实施方式
[0030]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将参照本说明书附图对本专利技术作进一步的详细描述。
[0031]实施例1:
[0032]参考图1

2,一种大电流触头的故障监测装置,所述装置包括4个磁场强度传感器和控制器;
[0033]所述4个磁场强度传感器以触头为中心对称安装,并且四个磁场强度传感器和触头不接触,四个磁场强度传感器分别与控制器电连接。
[0034]进一步地,所述磁场强度传感器为霍尔传感器。
[0035]进一步地,所述装置判定触头是否开始出现接触不良的方法为:统计和存储每一次触头接通时的最大磁场强度,在负载没有变化时,当接通时磁场强度最大值比以前的最大值变大后,则判定触头可能出现接触不良。
[0036]进一步地,所述装置判定触头是否开始出现接触不良的方法为:当磁场强度随时间变化的曲线和以前正常的曲线相比变化较大时,则判定触头可能接触不良。当某次曲线和以前正常的曲线相比变化较大时,则预测触头可能接触不良。比较的方法是通过积分计算两条曲线间的面积(参见公式1),当该面积值超过临界值时则预测触头可能出现接触不良,临界值应通过实验测试得到。
[0037]进一步地,所述方法具体为:
[0038]通过积分计算两条曲线间的面积,
[0039][0040]当该面积值超过临界值时则预测触头可能出现接触不良。
[0041]其中,A
B
:两条曲线间的面积,B1(t)表示触头本次从断开到闭合时随时间变化的磁场强度,B0(t)表示触头正常时触头从断开到闭合时随时间变化的磁场强度。
[0042]进一步地,所述方法还包括:两条曲线间的面积A
B
越小,就说明两条曲线的吻合度越高,触头的情况变化不大,A
B
越大,触头可能出现接触不良。
[0043]进一步地,还包括判定接触不良位置的方法:
[0044]获取两个相互对置磁场强度传感器的检测值分别为B1和B2;
[0045]获取两个相互对置磁场强度传感器的间距;
[0046]获取触头触良好时触头接触面x方向电流I0;
[0047]获取x方向电流变化值ΔI=L*(I

I0);
[0048]计算两个相互对置磁场强度传感器的检测值的差值:
[0049][0050]l即接触不良的地方的位置所在。
[0051]推导过程为,根据电流产生磁场的计算公式,在距离电流半径r处的磁场强度其中μ:磁导率,此处为空气的磁导率;
[0052][0053][0054][0055][0056]上式中B1、B2为当出现接触不良的情况时同一时刻左右1#和2#两个磁感应传感器检测得到的磁场强度数据,μ、L为常数,ΔI=L*(i1‑
i0),只有一个未知数l,是一个一元二次方程,在各参数已知的情况下可以求出l,即接触不良的地方的位置所在。
[0057]由于回路中的电流取决于负载,因此触头接触良好时和出现局部接本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大电流触头的故障监测装置,其特征在于,所述装置包括4个磁场强度传感器和控制器;所述4个磁场强度传感器以触头为中心对称安装,并且四个磁场强度传感器和触头不接触,四个磁场强度传感器分别与控制器电连接。2.根据权利要求1所述的大电流触头的故障监测装置,其特征在于,所述磁场强度传感器为霍尔传感器。3.根据权利要求2所述的大电流触头的故障监测装置,其特征在于,所述装置判定触头是否开始出现接触不良的方法为:统计和存储每一次触头接通时的最大磁场强度,在负载没有变化时,当接通时磁场强度最大值比以前的最大值变大后,则判定触头可能出现接触不良。4.根据权利要求2所述的大电流触头的故障监测装置,其特征在于,所述装置判定触头是否开始出现接触不良的方法为:当磁场强度随时间变化的曲线和以前正常的曲线相比变化较大时,则判定触头可能接触不良。5.根据权利要求4所述的大电流触头的故障监测装置,其特征在于,所述方法具体为:通过积分计算两条曲线间的面积,当该面积值超过临界值时则预测触头可能出现接触不良,其中,A
B
:两条曲线间的面积,B1(t)表...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢翔苏杨余萱李琨丁群峰付鋆周琳妍刘维嘉
申请(专利权)人:贵州电网有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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