本发明专利技术公开了一种用于玻璃基板的异物吸收装置和面板生产设备。该用于玻璃基板的异物吸收装置包括装置主体和电源模块，装置主体内部设有电场形成模块、加速模块和吸收模块；装置主体具有异物吸收口；电场形成模块包括电极，电极设置在异物吸收口的下方；电源模块与电极电连接，电源模块用于为电极供电，电极用于形成电场吸附异物；加速模块设置在电极下方，电源模块与加速模块电连接，电源模块用于为加速模块供电，加速模块用于形成磁场以加速移动异物至吸收模块；吸收模块设置在加速模块的下方，吸收模块用于与异物反应生成固态氧化物。通过采用上述方案，解决了玻璃基板易存在异物导致面板出现暗点三不良，影响面板良品率的问题。的问题。的问题。
【技术实现步骤摘要】
一种用于玻璃基板的异物吸收装置和面板生产设备
[0001]本专利技术涉及面板生产的
，尤其涉及一种用于玻璃基板的异物吸收装置和面板生产设备。
技术介绍
[0002]玻璃基板搬送的过程中，会产生部分异物，例如Cr，铁屑等异物。带有异物的玻璃基板进入面板生产设备后，面板生产设备所生产出的面板可能会由于异物出现暗点三不良，影响面板的良品率。
[0003]现有的玻璃基板异物清除装置通常包括传送装置、除尘柜、吹风装置、抽风装置、过滤器、吹风管、抽风管，传送装置用于将玻璃基板传向除尘柜；玻璃基板进入除尘柜时，吹风装置吹风以将玻璃基板上的粉尘吹起；然后抽风装置通过抽风管将含尘气体抽入过滤器，实现去除玻璃基板上的灰尘。
[0004]但此方式只能清除一些与玻璃基板粘附不牢的异物，而玻璃基板通常表面带正电，同时附着有不同类型的金属异物，金属异物会较牢固的粘附在玻璃基板表面，仅通过吹风装置和抽风装置难以较彻底的去除玻璃基板上的金属异物，玻璃基板仍容易存在异物导致面板出现暗点三不良，影响面板良品率。
技术实现思路
[0005]本专利技术提供了一种用于玻璃基板的异物吸收装置和面板生产设备，以解决玻璃基板易存在异物导致面板出现暗点三不良，影响面板良品率的问题。
[0006]根据本专利技术的一方面，提供了一种用于玻璃基板的异物吸收装置，该用于玻璃基板的异物吸收装置包括装置主体和电源模块，所述装置主体内部设有电场形成模块、加速模块和吸收模块；
[0007]所述装置主体具有异物吸收口；
[0008]所述电场形成模块包括电极，所述电极设置在所述异物吸收口的下方；
[0009]所述电源模块与所述电极电连接，所述电源模块用于为所述电极供电，所述电极用于形成电场吸附异物；
[0010]所述加速模块设置在所述电极下方，所述电源模块与所述加速模块电连接，所述电源模块用于为所述加速模块供电，所述加速模块用于形成磁场以加速移动所述异物至所述吸收模块；
[0011]所述吸收模块设置在所述加速模块的下方，所述吸收模块用于与所述异物反应生成固态氧化物。
[0012]在本专利技术的可选实施例中，组成所述电极的元素中，至少一个元素的化合价包括+3价。
[0013]在本专利技术的可选实施例中，所述电极为Al电极。
[0014]在本专利技术的可选实施例中，所述Al电极由Al薄膜制成；
[0015]和/或，所述Al电极上设有中空网筛。
[0016]在本专利技术的可选实施例中，所述加速模块包括线圈组件，所述线圈组件用于通电形成所述磁场。
[0017]在本专利技术的可选实施例中，所述线圈组件包括第一线圈、第二线圈和第三线圈，所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈沿所述电场形成模块至所述吸收模块的方向间隔设置；
[0018]所述第二线圈的匝数大于所述第一线圈的匝数；
[0019]所述第三线圈的匝数大于所述第二线圈的匝数。
[0020]在本专利技术的可选实施例中，所述吸收模块包括粘性树脂层。
[0021]在本专利技术的可选实施例中，所述粘性树脂层可拆卸地设置在所述装置主体内部。
[0022]在本专利技术的可选实施例中，所述电极至所述异物吸收口的距离大于6cm且小于9cm。
[0023]根据本专利技术的另一方面，提供了一种面板生产设备，所述面板生产设备包括设备主体，所述设备主体上设有基板入口和本专利技术任一实施例所述的用于玻璃基板的异物吸收装置；
[0024]所述基板入口用于供玻璃基板进入，所述玻璃基板用于进入所述基板入口时覆盖所述异物吸收装置。
[0025]本专利技术实施例的技术方案，通过电场形成模块的电极形成电场，玻璃基板上的异物能够通过电极周围形成的电场从玻璃基板上脱离被吸附到电极上，然后通过加速模块形成磁场，被电极形成的电场吸附的异物能够在磁场的作用下运动至加速模块下方的吸收模块，由于吸收模块能够与所述异物反应生成固态氧化物，所以最后异物能够通过与吸收模块反应生成固态氧化物被清除。故玻璃基板上的异物能够在异物吸收装置的作用下大大减少，解决了玻璃基板易存在异物导致面板出现暗点三不良，影响面板良品率的问题。
[0026]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本专利技术实施例一提供的一种用于玻璃基板的异物吸收装置的结构示意图；
[0029]图2为本专利技术实施例一提供的一种电极的结构示意图；
[0030]图3为本专利技术实施例一提供的一种加速模块的结构示意图；
[0031]图4是本专利技术实施例一提供的另一种加速模块的结构示意图；
[0032]图5为本专利技术实施例二提供的一种面板生产设备的部分结构示意图。
[0033]其中：1、装置主体；11、异物吸收口；2、电源模块；3、电场形成模块；31、电极；311、中空网筛；4、加速模块；41、线圈组件；411、第一线圈；412、第二线圈；413、第三线圈；5、吸收模块；51、树脂层；10、异物吸收装置；20、设备主体；201、基板入口；202、门。
具体实施方式
[0034]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0035]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0036]实施例一
[0037]图1为本专利技术实施例一提供的一种用于玻璃基板的异物吸收装置的结构示意图，如图1所示，该用于玻璃基板的异物吸收装置包括装置主体1和电源模块2。
[0038]装置主体1具有异物吸收口11，装置主体1内部设有电场形成模块3、加速模块4和吸收模块5。其中，装置主体1是该异物吸收装置的主体部分，装置主体1的内部中空，异物吸收口11可位于装置主体1的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于玻璃基板的异物吸收装置，其特征在于，包括装置主体和电源模块，所述装置主体内部设有电场形成模块、加速模块和吸收模块；所述装置主体具有异物吸收口；所述电场形成模块包括电极，所述电极设置在所述异物吸收口的下方；所述电源模块与所述电极电连接，所述电源模块用于为所述电极供电，所述电极用于形成电场吸附异物；所述加速模块设置在所述电极下方，所述电源模块与所述加速模块电连接，所述电源模块用于为所述加速模块供电，所述加速模块用于形成磁场以加速移动所述异物至所述吸收模块；所述吸收模块设置在所述加速模块的下方，所述吸收模块用于与所述异物反应生成固态氧化物。2.根据权利要求1所述的用于玻璃基板的异物吸收装置，其特征在于，组成所述电极的元素中，至少一个元素的化合价包括+3价。3.根据权利要求2所述的用于玻璃基板的异物吸收装置，其特征在于，所述电极为Al电极。4.根据权利要求3所述的用于玻璃基板的异物吸收装置，其特征在于，所述Al电极由Al薄膜制成；和/或，所述Al电极上设有中空网筛。5.根据权利要求1至4中任一项所述的用于玻璃基板的异物吸收装置，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡少平，
申请(专利权)人：乐金显示光电科技中国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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