模拟EEPROM的数据处理方法及装置制造方法及图纸

本申请公开了一种模拟EEPROM的数据处理方法及装置。方法包括：将SRAM中的第一待处理数据写入第一存储区；第一存储区为当前有效数据所在的存储区，第一存储区是否为当前有效数据所在的存储区根据所述第一存储区的状态信息集合确定；在第一存储区达到存储阈值的情况下，将第一存储区中的有效数据复制至第二存储区；擦除第一存储区中的全部数据。实施本申请，可以在没有EEPROM的情况下存储需要保存的非易失性数据，从而可以在不影响程序执行的情况下实现快速读写访问的功能。下实现快速读写访问的功能。下实现快速读写访问的功能。

【技术实现步骤摘要】
模拟EEPROM的数据处理方法及装置


[0001]本申请涉及嵌入式领域，尤其涉及一种模拟EEPROM的数据处理方法及装置。

技术介绍

[0002]在嵌入式开发中，在很多产品的场景中都使用EEPROM来存储应用中需要保存的非易失性数据。然而，目前在诸如MCU之类的主流微处理器具有较大的闪存(flash)空间，而没有EEPROM。因此，如何在没有EEPROM的情况下存储需要保存的非易失性数据是需要解决的问题。

技术实现思路

[0003]本申请实施例公开了一种模拟EEPROM的数据处理方法及装置，可以在没有EEPROM的情况下存储需要保存的非易失性数据，从而可以在不影响程序执行的情况下实现快速读写访问的功能。
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种模拟EEPROM的数据处理方法，方法包括：
[0005]将SRAM中的第一待处理数据写入第一存储区，所述第一存储区为当前有效数据所在的存储区，所述第一存储区是否为当前有效数据所在的存储区根据所述第一存储区的状态信息集合确定；
[0006]在所述第一存储区达到存储阈值的情况下，将所述第一存储区中的有效数据复制至第二存储区，所述第二存储区的状态信息集合指示所述第二存储区中不存在数据；
[0007]擦除所述第一存储区中的全部数据。
[0008]第二方面，本申请实施例提供了一种模拟EEPROM的数据处理装置，装置包括：
[0009]写入模块，用于将SRAM中的第一待处理数据写入第一存储区，所述第一存储区为当前有效数据所在的存储区，存储区中包括状态信息集合，所述状态信息集合用于表示对应的存储区是否为当前有效数据所在的存储区，所述状态信息集合包括第一状态信息、第二状态信息、第三状态信息以及第四状态信息，所述第一状态信息用于表示对应的存储区是否存在数据，所述第二状态信息用于表示对应的存储区中的目标数据是否已被复制到其他存储区，所述第三状态信息用于表示对应的存储区是否存在有效数据，所述第四状态信息用于表示对应的存储区是否已被格式化；
[0010]复制模块，用于在所述第一存储区达到存储阈值的情况下，将所述第一存储区中的有效数据复制至第二存储区，所述第二存储区的第二状态信息集合指示所述第二存储区中不存在数据；
[0011]擦除模块，用于擦除所述第一存储区中的全部数据。
[0012]第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括处理器和存储器，所述处理器和存储器相互连接，其中，所述存储器用于存储计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述处理器被配置用于调用所述程序指令，执行如第一方面所述的方法。
[0013]第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储
介质存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被处理器执行时使所述处理器执行如第一方面所述的方法。
[0014]实施本申请实施例，通过将SRAM中的第一待处理数据写入第一存储区，在第一存储区达到存储阈值的情况下，将第一存储区中的有效数据复制至第二存储区；擦除第一存储区中的全部数据。其中，第一存储区为当前有效数据所在的存储区，存储区中包括状态信息集合，状态信息集合用于表示对应的存储区是否为当前有效数据所在的存储区。从而解决了在没有EEPROM的情况下存储需要保存的非易失性数据的问题，从而可以在不影响程序执行的情况下实现快速读写访问的功能。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本申请实施例提供的一种模拟EEPROM的数据处理方法的架构示意图；
[0017]图2为本申请实施例提供的一种模拟EEPROM的数据处理方法的流程示意图；
[0018]图3为本申请实施例提供的一种FLASH存储结构示意图；
[0019]图4为本申请实施例提供的一种存储区的状态信息集合转换示意图；
[0020]图5为本申请实施例提供的另一种FLASH存储结构示意图；
[0021]图6为本申请实施例提供的一种模拟EEPROM的数据处理装置的组成示意图。
具体实施方式
[0022]下面结合附图对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0023]本申请的说明书以及附图中的术语“第一”和“第二”等是用于区分不同的对象，或者用于区别对同一对象的不同处理，而不是用于描述对象的特定顺序。此外，本申请的描述中所提到的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括其他没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
[0024]需要说明的是，本申请实施例中，“示例性地”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请实施例中被描述为“示例性地”或者“例如”的任何实施例或设计方法不应被解释为比其他实施例或设计方案更优地或更具优势。确切而言，使用“示例性地”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。在本申请实施例中，“A和/或B”表示A和B，A或B两个含义。“A，和/或B，和/或C”表示A、B、C中的任一个，或者，表示A、B、C中的任两个，或者，表示A和B和C。
[0025]请参见图1，图1为本申请实施例提供的一种模拟EEPROM的数据处理方法的架构示意图。
[0026]SRAM是指静态随机存取存储器，是随机存取存储器的一种。随机存取存储器
(Random Access Memory，RAM)是与处理器直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外)，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息。但它一旦断电，所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。因此，在断电前，需要将RAM中的临时数据存入只读存储器中，在下一次上电后从只读存储器中读取出来存入RAM中。在本申请实施例中，在给处理器101上电的情况下，处理器101用于从FLASH103中读取有效数据存入SRAM102中，以便于处理器101可以快速从SRAM102中读取数据对数据进行处理。其中，有效数据是指上一次断电前临时存储在SRAM中的临时存储数据。并且，处理器101也可以将数据存入SRAM102中作为临时存储数据，以及，将SRAM102中的数据存储到FLASH中。如图1所示，在本申请实施例中，可以将FLASH分为第一存储区和第二存储区两个存储区。在一些可能得实现方式中，也可以将FLAS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模拟EEPROM的数据处理方法，其特征在于，所述方法包括：将SRAM中的第一待处理数据写入第一存储区，所述第一存储区为当前有效数据所在的存储区，所述第一存储区是否为当前有效数据所在的存储区根据所述第一存储区的状态信息集合确定；在所述第一存储区达到存储阈值的情况下，将所述第一存储区中的有效数据复制至第二存储区，所述第二存储区的状态信息集合指示所述第二存储区中不存在数据；擦除所述第一存储区中的全部数据。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述状态信息集合包括第一状态信息，所述第一状态信息用于表示对应的存储区是否存在数据，所述将所述第一存储区中的有效数据复制至第二存储区包括：修改所述第二存储区的第一状态信息为存在数据；将所述第一存储区中的有效数据复制至所述第二存储区。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述状态信息集合包括第二状态信息，所述第二状态信息用于表示对应的存储区中的目标数据是否已被复制到其他存储区，在所述将所述第一存储区中的目标数据复制至所述第二存储区之后，所述方法还包括：修改所述第一存储区的第二状态信息为已完成复制。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述状态信息集合包括第三状态信息，所述第三状态信息用于表示对应的存储区是否存在有效数据，在所述修改所述第一存储区的第二状态信息为已完成复制之后，所述方法还包括：修改所述第二存储区的第三状态信息为存在有效数据。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述状态信息集合包括第四状态信息，所述第四状态信息用于表示对应的存储区是否已被格式化，所述擦除所述第一存储区中的所述第一待处理数据包括：擦除所述第一存储区中的全部数据；修改所述第一存储区的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘跃全，刘可，陈婷，
申请(专利权)人：上海水木蓝鲸半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：