本发明专利技术一种抗干扰的FLASH数据读取方法，包括：步骤S1、根据来自CPU的数据读取指令读取存储在FLASH中对应地址的FLASH数据；步骤S2、对FLASH数据进行校验；步骤S3、在校验不通过时按照预设步进值调整FLASH的读电流参考值；步骤S4、判断调整后的读电流参考值是否在预设范围内；步骤S5、在调整后的读电流参考值在预设范围内时，根据调整后的读电流参考值，重新读取FLASH数据；步骤S6、对重新读取的FLASH数据进行校验，在校验不通过时重新执行步骤S3~步骤S5，直至校验通过或调整后的读电流参考值超过预设范围。通过增加数据校验冗余位，对CPU读到的数据进行校验；在校验不通过时，通过动态调整FLASH的读电流参考值来修正FLASH内部电路的工作状态，保证CPU获取的数据为校验通过的数据。的数据。的数据。
【技术实现步骤摘要】
一种抗干扰的FLASH数据读取方法及装置
[0001]本专利技术涉及FLASH
，更特别地，涉及一种抗干扰的FLASH数据读取方法及装置。
技术介绍
FLASH是一种非易失性存储器，常用于嵌入式系统和存储设备中，可以用于存储程序代码、固件、操作系统以及其他数据。当用作CPU代码的存储设备时，FLASH一般存放CPU执行所需指令的二进制代码，例如，32位CPU则存放32位的指令数据，CPU通过读取FLASH中存储的指令数据，解码后执行指令。
[0002]FLASH进行数据存储的基本原理是：通过施加高压，在FLASH的基本单元中的浮栅(floating gate)中存储电子，也即是存储1和0的信息；随后在基本单元上施加读取电压，通过读取的导通电流来判断该基本单元存储的是1还是0；假设参考电流是Iref，那么读取电流比Iref小的判断为0，比Iref大的判断为1。但是，在一定干扰下(例如，温度变化，电压变化等)或者当FLASH的使用时间接近寿命时，基本单元的读取电流会产生变化进而导致读到的1或者0错误，从而导致数据出现错误。一旦有任何数据错误，CPU则会执行错误指令，导致系统出现错误。
[0003]基于此，需要一种新的解决方案。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种抗干扰的FLASH数据读取方法及装置，以保证在外部环境干扰造成FLASH数据读取错误时，CPU不会读到错误的数据，进而保持系统稳定。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供一种抗干扰的FLASH数据读取方法，包括以下步骤：步骤S1、根据来自CPU的数据读取指令，读取存储在FLASH中对应地址的FLASH数据；步骤S2、对所述FLASH数据进行校验；步骤S3、在校验不通过时，按照预设步进值调整所述FLASH的读电流参考值；步骤S4、判断调整后的读电流参考值是否在预设范围内；步骤S5、在调整后的所述读电流参考值在预设范围内时，根据调整后的所述读电流参考值，重新读取FLASH数据；步骤S6、对重新读取的FLASH数据进行校验，在校验不通过时，重新执行步骤S3~步骤S5，直至校验通过或调整后的读电流参考值超过预设范围。
[0006]在本专利技术提供的抗干扰的FLASH数据读取方法中，所述FLASH数据包括N bit指令数据和校验数据，在步骤S2和步骤S5中，利用所述校验数据对所述N bit指令数据进行校验。
[0007]在本专利技术提供的抗干扰的FLASH数据读取方法中，还包括在调整后的读电流参考值超过预设范围时，对系统进行复位。
[0008]在本专利技术提供的抗干扰的FLASH数据读取方法中，所述读电流参考值的初始值Iref=（Imin+Imax）/2，其中，Imin为存储数据0的基本单元的读电流最小值，Imax为存储数据1的基本单元的读电流最大值，所述预设范围为（Imin，Imax）；所述预设步进值为Iref/N，N为系统精度要求。
[0009]根据本专利技术的另一方面，还提供一种抗干扰的FLASH数据读取装置，包括：数据读取模块，用于根据来自CPU的数据读取指令，读取存储在FLASH中对应地址的FLASH数据；数据校验模块，用于对所述FLASH数据进行校验；参数调整模块，用于在校验不通过时，按照预设步进值调整所述FLASH的读电流参考值；参数判断模块，用于判断调整后的读电流参考值是否在预设范围内；所述数据读取模块，还用于在调整后的所述读电流参考值在预设范围内时，根据调整后的所述读电流参考值，重新读取FLASH数据；所述数据校验模块，还用于对重新读取的FLASH数据进行校验，直至校验通过或调整后的读电流参考值超过预设范围。
[0010]在本专利技术提供的抗干扰的FLASH数据读取装置中，所述FLASH数据包括N bit指令数据和校验数据，所述数据读取模块利用所述校验数据对所述N bit指令数据进行校验。
[0011]在本专利技术提供的抗干扰的FLASH数据读取装置中，所述参数判断模块还用于在调整后的读电流参考值超过预设范围时，发送复位指令。
[0012]在本专利技术提供的抗干扰的FLASH数据读取装置中，所述读电流参考值的初始值Iref=（Imin+Imax）/2，其中，Imin为存储数据0的基本单元的读电流最小值，Imax为存储数据1的基本单元的读电流最大值，所述预设范围为（Imin，Imax）；所述预设步进值为Iref/N，N为系统精度要求。
[0013]实施本专利技术的抗干扰的FLASH数据读取方法及系统，具有以下有益效果：本专利技术提供的抗干扰的FLASH数据读取方法，通过增加数据校验冗余位，对CPU读到的数据进行校验；一旦发现校验失败，则自动调整FLASH的读电流参考值并利用调整后的FLASH的读电流参考值进行重新读取、重新校验，直至校验通过或调整后的FLASH的读电流参考值超过预设范围；本专利技术在校验不通过时，通过动态调整FLASH的读电流参考值来修正FLASH内部电路的工作状态，从而抵消外界干扰对读取数据的影响，保证CPU获取的数据为校验通过的数据，增强系统的抗干扰性和FLASH的寿命。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图：图1所示是本专利技术提供的抗干扰的FLASH数据读取方法的流程图；图2所示是本专利技术提供的抗干扰的FLASH数据读取装置的原理图。
具体实施方式
[0015]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的典型实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面。
[0016]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。
[0017]本专利技术总的思路是：针对现有的外部环境干扰造成FLASH数据读取错误时，CPU会读到错误的数据，进而造成系统错误的问题，提供一种抗干扰的FLASH数据读取方法，通过增加数据校验冗余位，对CPU读到的数据进行校验；一旦发现校验失败，则自动调整FLASH的读电流参考值并利用调整后的FLASH的读电流参考值进行重新读取、重新校验，直至校验通过或调整后的FLASH的读电流参考值超过预设范围；本专利技术在校验不通过时，通过动态调整FLASH的读电流参考值来修正FLASH内部电路的工作状态，从而抵消外界干扰对读取数据的影响，保证CPU获取的数据为校验通过的数据，增强系统的抗干扰性和FLASH的寿命。
[0018]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明，应当理解本专利技术实施例以本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种抗干扰的FLASH数据读取方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、根据来自CPU的数据读取指令，读取存储在FLASH中对应地址的FLASH数据；步骤S2、对所述FLASH数据进行校验；步骤S3、在校验不通过时，按照预设步进值调整所述FLASH的读电流参考值；步骤S4、判断调整后的读电流参考值是否在预设范围内；步骤S5、在调整后的所述读电流参考值在预设范围内时，根据调整后的所述读电流参考值，重新读取FLASH数据；步骤S6、对重新读取的FLASH数据进行校验，在校验不通过时，重新执行步骤S3~步骤S5，直至校验通过或调整后的读电流参考值超过预设范围。2.根据权利要求1所述的抗干扰的FLASH数据读取方法，其特征在于，所述FLASH数据包括N bit指令数据和校验数据，在步骤S2和步骤S5中，利用所述校验数据对所述N bit指令数据进行校验。3.根据权利要求1所述的抗干扰的FLASH数据读取方法，其特征在于，还包括在调整后的读电流参考值超过预设范围时，对系统进行复位。4.根据权利要求1所述的抗干扰的FLASH数据读取方法，其特征在于，所述读电流参考值的初始值Iref=（Imin+Imax）/2，其中，Imin为存储数据0的基本单元的读电流最小值，Imax为存储数据1的基本单元的读电流最大值，所述预设范围为（Imin，Imax）；所述预设步进值为Iref/N，N为系统精度要求。5.一种抗干扰的FLASH数据读取装置，其特征在于，包括：数据读取模块，用于根据来自CPU的数据读取指令，读取存储在FLASH中对应地址的FLASH数据；数据校验模块，用于对所述FLASH数据进行校验；参数...
【专利技术属性】
技术研发人员：许江，李炜，
申请(专利权)人：深圳市爱普特微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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