一种半导体集成电路用光刻胶稀释剂及其制备方法技术

本发明专利技术提出了一种半导体集成电路用光刻胶稀释剂及其制备方法。属于集成电路技术领域。由以下原料按重量份制备而成：正丁基缩水甘油醚10

【技术实现步骤摘要】
一种半导体集成电路用光刻胶稀释剂及其制备方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，具体涉及一种半导体集成电路用光刻胶稀释剂及其制备方法。

技术介绍

[0002]光刻法(photolithography)工艺是指，利用光掩模在半导体基板上的感光膜上转印预先设计好的图案后，根据转印的图案来蚀刻基板或底模的工艺。
[0003]在光刻法工艺中，将光刻胶(Photoresist)涂覆于半导体基板上以形成感光膜。并且，利用曝光装置投影光掩模的图案而进行曝光后，经过显像工艺制造出所需形状的感光膜图案。接着，将感光膜图案作为掩膜对基板进行蚀刻后，通过剥离工艺等，将不再需要的感光膜图案从基板去除。在此过程中，根据需要形成的图案的线宽，可以使用G
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line、Iline、KrF、ArF、紫外线、电子束(e
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beam)、X
‑
ray等各种类型的光源。并且，用于感光膜形成的光刻胶根据光源种类、感光膜的性能等包含多种种类的主成分树脂、感光剂等。
[0004]另外，在光刻法工艺中，稀释剂组合物是指对光刻胶具有溶解性而用于光刻胶的去除或作为稀释剂使用的物质。
[0005]稀释剂组合物对光刻胶的溶解特性依赖于稀释剂组合物的化学成分的构成和溶解对象光刻胶的化学构成。但是，根据光刻胶的种类，其化学构成有很大差别，因此，市售的稀释剂组合物通常存在有对各种光刻胶的溶解特性不恒定的问题。
[0006]特别是，稀释剂组合物对光刻胶的溶解特性不够充分时，在去除粘附于基板上的多余的光刻胶的边缘光刻胶去除(EBR，edge bead removing)工艺或降低光刻胶消耗(RRC，reducing resist consumption)涂覆所需的组合物的预湿润(pre
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wetting)工序等中产生不良，由此可能会导致光刻法工序的产率降低。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提出一种半导体集成电路用光刻胶稀释剂及其制备方法，具有优异的溶解特性和适当的挥发性，在较短时间内可以有效去除在边缘光刻胶去除工序等中粘附的多余的光刻胶，并且还可以应用于半导体基板的预湿工艺等，少量光刻胶也能有效形成感光膜。
[0008]本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0009]本专利技术提供一种半导体集成电路用光刻胶稀释剂，包括以下组分：
[0010]正丁基缩水甘油醚；
[0011]丙二醇单硬脂酸酯；
[0012]1,4
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丁内酯；
[0013]丙酮；
[0014]甲基丙烯酸甲酯；
[0015]多元醇。
[0016]作为本专利技术的进一步改进，由以下原料按重量份制备而成：正丁基缩水甘油醚10
‑
15份、丙二醇单硬脂酸酯7
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12份、1,4
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丁内酯3
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5份、丙酮20
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25份、甲基丙烯酸甲酯2
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4份、多元醇7
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12份。
[0017]作为本专利技术的进一步改进，由以下原料按重量份制备而成：正丁基缩水甘油醚12份、丙二醇单硬脂酸酯10份、1,4
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丁内酯4份、丙酮22份、甲基丙烯酸甲酯3份、多元醇10份。
[0018]作为本专利技术的进一步改进，所述多元醇选自甘油、1，2
‑
丁二醇、1,3
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丁二醇、1,4
‑
丁二醇、丙二醇、季戊四醇、三羟甲基乙烷、木糖醇、山梨醇、1,6
‑
己二醇、新戊二醇、二缩二乙二醇、一缩二丙二醇中的至少一种。
[0019]作为本专利技术的进一步改进，所述多元醇为季戊四醇和二缩二乙二醇的混合物，质量比为3
‑
5:2。
[0020]作为本专利技术的进一步改进，所述多元醇为三羟甲基乙烷、木糖醇的混合物，质量比为1:2
‑
3。
[0021]作为本专利技术的进一步改进，包括以下组分：
[0022]正丁基缩水甘油醚；
[0023]丙二醇单硬脂酸酯；
[0024]1,4
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丁内酯；
[0025]丙酮；
[0026]甲基丙烯酸甲酯；
[0027]季戊四醇和二缩二乙二醇的混合物，质量比为3
‑
5:2。
[0028]作为本专利技术的进一步改进，包括以下组分：
[0029]正丁基缩水甘油醚；
[0030]丙二醇单硬脂酸酯；
[0031]1,4
‑
丁内酯；
[0032]丙酮；
[0033]甲基丙烯酸甲酯；
[0034]三羟甲基乙烷、木糖醇的混合物，质量比为1:2
‑
3。
[0035]本专利技术进一步保护一种上述半导体集成电路用光刻胶稀释剂的制备方法，包括以下步骤：
[0036](1)将正丁基缩水甘油醚、丙二醇单硬脂酸酯、1,4
‑
丁内酯、丙酮混合均匀，制得A组分；
[0037](2)将甲基丙烯酸甲酯和多元醇混合均匀，制得B组分；
[0038](3)将A组分和B组分混合，加热搅拌混合，冷却至室温，制得半导体集成电路用光刻胶稀释剂。
[0039]作为本专利技术的进一步改进，步骤(3)中所述加热至温度为40
‑
60℃，混合时间为20
‑
40min。
[0040]本专利技术具有如下有益效果：本专利技术中多元醇对极性物质溶解能力强，毒性和挥发性小等特性，使用安全环保，使得本专利技术稀释剂更加绿色环保，且对于光刻胶具有较好的稀释效果。
[0041]本专利技术各组分组合的稀释剂对大部分的光刻胶具有优异的溶解特性和适当的挥
发性，在较短时间内可以有效去除在边缘光刻胶去除工序等中粘附的多余的光刻胶，并且还可以应用于半导体基板的预湿工艺等，少量光刻胶也能有效形成感光膜。
具体实施方式
[0042]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0043]实施例1
[0044]本实施例提供一种半导体集成电路用光刻胶稀释剂。
[0045]原料组成(重量份)：正丁基缩水甘油醚10份、丙二醇单硬脂酸酯7份、1,4
‑
丁内酯3份、丙酮20份、甲基丙烯酸甲酯2份、多元醇7份。多元醇为季戊四醇和二缩二乙二醇的混合物，质量比为3:2。
[0046]包括以下步骤：
[0047](1)将正丁基缩水甘油醚、丙二醇单硬脂酸酯、1,4
‑
丁内酯、丙酮混合均匀，制得A组分；
[0048](2)将甲基丙烯酸甲酯和多元醇混合均匀，制得B组分；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路用光刻胶稀释剂，其特征在于，包括以下组分：正丁基缩水甘油醚；丙二醇单硬脂酸酯；1,4
‑
丁内酯；丙酮；甲基丙烯酸甲酯；多元醇。2.根据权利要求1所述半导体集成电路用光刻胶稀释剂，其特征在于，由以下原料按重量份制备而成：正丁基缩水甘油醚10
‑
15份、丙二醇单硬脂酸酯7
‑
12份、1,4
‑
丁内酯3
‑
5份、丙酮20
‑
25份、甲基丙烯酸甲酯2
‑
4份、多元醇7
‑
12份。3.根据权利要求2所述半导体集成电路用光刻胶稀释剂，其特征在于，由以下原料按重量份制备而成：正丁基缩水甘油醚12份、丙二醇单硬脂酸酯10份、1,4
‑
丁内酯4份、丙酮22份、甲基丙烯酸甲酯3份、多元醇10份。4.根据权利要求1所述半导体集成电路用光刻胶稀释剂，其特征在于，所述多元醇选自甘油、1，2
‑
丁二醇、1,3
‑
丁二醇、1,4
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丁二醇、丙二醇、季戊四醇、三羟甲基乙烷、木糖醇、山梨醇、1,6
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己二醇、新戊二醇、二缩二乙二醇、一缩二丙二醇中的至少一种。5.根据权利要求4所述半导体集成电路用光刻胶稀释剂，其特征在于，所述多元醇为季戊四醇和二缩二乙二醇的混合物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：何珂，戈烨铭，
申请(专利权)人：江阴润玛电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：