电光装置以及图像显示装置制造方法及图纸

提供电光装置以及图像显示装置，减少伴随有机EL面板的微细化产生的串扰以及图像的闪烁。本发明专利技术的电光装置具有：发光元件，其包括第1电极、发光层和第2电极；驱动晶体管，其与所述发光元件对应地设置；中继电极，其与所述驱动晶体管的栅极电极电连接，设置于所述栅极电极与所述发光元件的所述第1电极之间的层；电源布线，其与所述中继电极设置于同一层，在俯视时在第1方向上延伸，与所述发光元件的所述第1电极电连接；以及导电部件，其在俯视时设置于所述中继电极与所述电源布线之间，被提供恒定电位。电位。电位。

【技术实现步骤摘要】
电光装置以及图像显示装置


[0001]本专利技术涉及电光装置以及图像显示装置。

技术介绍

[0002]近年来，开发了使用有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode；OLED)来显示图像的有机EL(Electro
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Luminescence：电致发光)面板(电光装置)，研究了有机EL面板向包括头戴式显示器、投影仪在内的图像显示装置的应用。有机EL面板具有图像生成区域，在图像生成区域中矩阵状地设置有与用于生成图像的多个像素对应的多个像素电路。另外，在图像生成区域设置有用于驱动多个像素电路的多个扫描线和与这些扫描线正交的多个数据线，在扫描线与数据线的交叉区域构成有像素电路。
[0003]例如，在专利文献1中公开了一种电光装置，其具备：中继节点(中继电极)，其与像素电路的驱动晶体管的栅极电极电连接；以及供电线(电源布线)，其设置于OLED(发光元件)的阳极侧的电路。
[0004]专利文献1：日本特开2013
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213979号公报
[0005]在上述的专利文献1所公开的电光装置中，当面板的微细化发展时，与像素电路的晶体管的栅极电极电连接的中继节点和OLED的阳极侧的供电线之间的间隔变窄，在中继模式和供电线之间产生寄生电容。在这样的状况下，当通过向像素电路提供的控制信号的电平的切换而使向晶体管的栅极的电位、即中继节点的电位发生变化时，由于中继节点与供电线之间的寄生电容的影响而使流过电气布线的电流值发生变化，从而成为串扰的原因。其结果，有可能在从电光装置输出的图像中闪烁明显。

技术实现思路

[0006]为了解决上述课题，本专利技术的一个方式的电光装置具备：发光元件，其包括第1电极、发光层和第2电极；驱动晶体管，其与所述发光元件对应地设置；中继电极，其与所述驱动晶体管的栅极电极电连接，设置于所述栅极电极与所述发光元件的所述第1电极之间的层；电源布线，其与所述中继电极设置于同一层，在俯视时在第1方向上延伸，与所述发光元件的所述第1电极电连接；以及导电部件，其至少一部分在俯视时设置于所述中继电极与所述电源布线之间，被提供恒定电位。
附图说明
[0007]图1是表示第1实施方式的电光装置的结构的立体图。
[0008]图2是表示图1的电光装置的结构的概略图。
[0009]图3是图1的电光装置的各个像素所具有的像素电路的等效电路图。
[0010]图4是表示图1的电光装置的像素电路的基本结构的截面图。
[0011]图5是图1的电光装置的像素电路的俯视图。
[0012]图6是图5的像素电路的俯视图。
[0013]图7是图5的像素电路的截面图。
[0014]图8是表示具备图1的电光装置的光学装置的结构的概略图。
[0015]图9是表示具备图1的电光装置的图像显示装置的结构的概略图。
[0016]图10是表示图9所示的图像显示装置的光学系统的结构的立体图。
[0017]图11是图10所示的光学系统的光路图。
[0018]图12是用于说明第2实施方式的电光装置的像素电路的布局的概略图。
[0019]图13是用于说明第3实施方式的电光装置的像素电路的布局的概略图。
[0020]图14是用于说明图13的电光装置的像素电路的布局的概略图。
[0021]图15是用于说明图13的电光装置的像素电路的布局的概略图。
[0022]图16是图13的电光装置的像素电路的截面图。
[0023]图17是用于说明第3实施方式的变形例的电光装置的像素电路的布局的概略图。
[0024]图18是用于说明图17的电光装置的像素电路的布局的概略图。
[0025]图19是图17的电光装置的像素电路的截面图。
[0026]图20是图17的电光装置的像素电路的截面图。
[0027]图21是表示具备图1的电光装置的其他图像显示装置的结构的概略图。
[0028]标号说明
[0029]54G：发光元件；150：半导体基板；1000：头戴式显示器(图像显示装置)；2000：投影仪(图像显示装置)；A4：电极层(电源布线)；A6：电极层(导电部件)；AN：阳极(第1电极)；CT：阴极(第2电极)；EM：发光层；G、G1：栅极电极层(栅极电极)；L0：栅极绝缘层(第1层)；L1：层间绝缘层(第3层)；L3：层间绝缘层(第2层)；N1、Nk：N型扩散区域(扩散区域)；P1～P6、Pj：P型扩散区域(扩散区域)；T1、T11：中继层(中继电极)。
具体实施方式
[0030][第1实施方式][0031]以下，使用图1～图11对本专利技术的第1实施方式进行说明。在以下的各附图中，为了容易观察各构成要素，有时根据构成要素而改变尺寸的比例尺。
[0032](电光装置)
[0033]图1是示出第1实施方式的电光装置10G的结构的立体图。电光装置10G是使用例如OLED作为后述的发光元件54G的装置。如图1所示，电光装置10G具备基板14、像素生成部19G以及多个安装端子39。像素生成部19G以及多个安装端子39设置于基板14的表面14a。多个安装端子39沿着像素生成部19G所占的矩形状的区域的一边相互隔开间隔地配置。在多个安装端子39连接有柔性扁平线缆70G的一方的连接器部。柔性扁平线缆70G的另一个连接器部与未图示的控制基板连接。
[0034]在柔性扁平线缆70G设置有多个布线2、4和控制电路3。多个布线2各自的一端与多个安装端子39连接。多个布线2各自的另一端与控制电路3连接。控制电路3如后述那样生成表示与发光元件54G的亮度对应的电位的图像信号，经由多个布线2向安装端子39提供。多个布线4各自的一端与控制电路3连接。多个布线4各自的另一端与未图示的上级电路连接。
[0035]图2是示出电光装置10G的结构的俯视图。在图2中，将电光装置10G的基板14的表面14a的水平方向设为X方向，将与表面14a的X方向正交的垂直方向设为Y方向。如图2所示，
在基板14的表面14a设置有像素生成部19G。表面14a包括像素区域12G和非像素区域13G。在像素区域12G中，多个像素11G沿着X方向以及Y方向配置成矩阵状，在从与X方向以及Y方向正交的方向观察时是矩形状的区域。在像素区域12G设置有与X方向平行地延伸的多条扫描线31和与Y方向平行地延伸的多条数据线33。像素11G与多个扫描线31和多个数据线33交叉的各个区域对应地构成。稍后将描述像素11G所具有的像素电路。
[0036]非像素区域13G包括周边区域15和安装区域16。周边区域15是从与X方向及Y方向正交的方向观察时包围像素区域12G的矩形框状的区域。在周边区域15设置有驱动多个像素11G的驱动电路35。驱动电路35具备扫描线驱动电路36A、36B和数据线驱动电路37。在电光装置10G中，如上所述，驱动电路35形成于基板14的表面14a，因此电光装置10G本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电光装置，其具备：发光元件，其包括第1电极、发光层和第2电极；驱动晶体管，其与所述发光元件对应地设置；中继电极，其与所述驱动晶体管的栅极电极电连接，设置于所述栅极电极与所述发光元件的所述第1电极之间的层；电源布线，其与所述中继电极设置于同一层，在俯视时在第1方向上延伸，与所述发光元件的所述第1电极电连接；以及导电部件，其至少一部分在俯视时设置于所述中继电极与所述电源布线之间，被提供恒定电位。2.根据权利要求1所述的电光装置，其中，该电光装置在半导体基板中包括含有杂质的扩散区域，所述导电部件与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：窪田岳彦，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：