一种隔离驱动控制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及驱动电路技术领域，提出了一种隔离驱动控制电路，包括依次连接的信号调整电路、隔离变压器T1和后级驱动电路；所述信号调整电路包括电阻R1、电容C1、三极管Q1、电阻R4、电阻R2、电容C2、三极管Q2、电阻R3、三极管Q3、三极管Q4和电阻R5，所述电阻R1的第一端为PWM信号输入端，所述电阻R1的第二端连接所述三极管Q1的基极，所述电阻R1的第一端连接所述电容C1的第一端，所述电容C1的第二端连接所述电阻R1的第二端，所述三极管Q1的集电极通过所述电阻R4连接电源VCC。通过上述技术方案，解决了现有技术中光耦芯片内部需要将光芯片变为电信号，存在延时，使得驱动电路的开关速度相对较慢，且芯片成本较高的问题。且芯片成本较高的问题。且芯片成本较高的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种隔离驱动控制电路


[0001]本技术涉及驱动电路领域，具体的，涉及一种隔离驱动控制电路。

技术介绍

[0002]现有技术中，常采用光耦芯片来进行隔离驱动MOS管，但是光耦芯片内部需要将光芯片变为电信号，现有的MOS管驱动电路容易受到干扰信号的影响，导致MOS管的误驱动。

技术实现思路

[0003]本技术提出一种隔离驱动控制电路，解决了现有技术中光耦芯片内部需要将光芯片变为电信号，存在延时，使得驱动电路的开关速度相对较慢，且芯片成本较高的问题。
[0004]本技术的技术方案如下：
[0005]一种隔离驱动控制电路，包括依次连接的信号调整电路、隔离变压器T1和后级驱动电路，所述后级驱动电路用于驱动MOS管；
[0006]所述信号调整电路包括电阻R1、电容C1、三极管Q1、电阻R4、电阻R2、电容C2、三极管Q2、电阻R3、三极管Q3、三极管Q4和电阻R5，所述电阻R1的第一端为PWM信号输入端，所述电阻R1的第二端连接所述三极管Q1的基极，所述电阻R1的第一端连接所述电容C1的第一端，所述电容C1的第二端连接所述电阻R1的第二端，所述三极管Q1的集电极通过所述电阻R4连接电源VCC，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1的集电极连接所述电阻R2的第一端，所述电阻R2的第二端连接三极管Q2的基极，所述电阻R2的第一端连接所述电容C2的第一端，所述电容C2的第二端连接电阻R2的第二端，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的集电极通过所述电阻R3连接电源VCC，所述三极管Q2的集电极连接所述三极管Q3的基极，所述三极管Q3的发射极连接电源VCC，所述三极管Q3的集电极连接所述三极管Q4的发射极，所述三极管Q4的基极连接所述三极管Q2的集电极，所述三极管Q4的发射极连接所述隔离变压器T1初级线圈的第一端，所述隔离变压器T1初级线圈的第二端通过所述电阻R5接地。
[0007]作为进一步的技术方案，所述信号调整电路还包括电容C4，所述三极管Q4的发射极连接所述电容C4的第一端，所述电容C4的第二端连接所述隔离变压器T1初级线圈的第一端。
[0008]作为进一步的技术方案，所述后级驱动电路包括电容C6、电阻R6、二极管D1、电阻R7和MOS管Q5，所述隔离变压器T1次级线圈的第一端连接所述电容C6的第一端，所述电容C6的第二端连接所述电阻R6的第一端，所述电阻R6的第一端连接所述二极管D1的阴极，所述二极管D1的阳极连接所述电阻R6的第二端，所述电阻R6的第二端连接所述MOS管Q5的栅极，所述MOS管Q5的源极连接所述隔离变压器T1次级线圈的第二端，所述MOS管Q5的栅极连接所述电阻R7的第一端，所述电阻R7的第二端连接所述MOS管Q5的源极。
[0009]作为进一步的技术方案，所述后级驱动电路还包括稳压二极管D2和稳压二极管
D3，所述电阻R7的第一端连接所述稳压二极管D2的阴极，所述稳压二极管D2的阳极连接所述稳压二极管D3的阳极，所述稳压二极管D3的阴极连接所述电阻R7的第二端。
[0010]作为进一步的技术方案，还包括过流保护电路，所述过流保护电路包括电阻R8、二极管D5、电容C8、二极管D6、稳压二极管D4、电容C7和三极管Q6，所述电阻R8的第一端连接所述电容C6的第二端，所述电阻R8的第一端连接所述二极管D5的阴极，所述二极管D5的阳极连接所述电阻R8的第二端，所述二极管D5的阳极连接所述稳压二极管D4的阴极，所述稳压二极管D4的阳极连接所述三极管Q6的基极，所述三极管Q6的集电极连接所述电阻R6的第二端，所述稳压二极管D4的阴极连接所述二极管D6的阳极，所述二极管D6的阴极连接所述MOS管Q5的漏极，所述三极管Q6的基极连接所述电容C7的第一端，所述电容C7的第二端连接所述三极管Q6的发射极，所述电阻R8的第二端连接所述电容C8的第一端，所述电容C8的第二端连接所述电容C7的第二端，所述电容C8的第二端连接所述隔离变压器T1次级线圈的第二端。
[0011]本技术的工作原理及有益效果为：
[0012]本技术中微处理器从电阻R1的第一端输入PWM信号，信号经过电阻R1和电容C1实现滤波和稳压，防止对后续电路产生振荡和干扰，电阻R2和电容C2的作用相同，然后经过三极管Q1和三极管Q2，当三极管Q1基极信号为高电平时，三极管Q1导通，然后三极管Q2截止，三极管Q2的集电极输出高电平，当三极管Q1基极信号为低电平时，三极管Q1截止，然后三极管Q2导通，三极管Q2的集电极输出低电平，通过两级调节的方式使得PWM信号与驱动信号同相，然后经由三极管Q3和三极管Q4组成的挽放式放大电路放大，当三极管Q3处于导通和放大状态时，三极管Q4处于截止状态，同样，当三极管Q4处于导通状态时，三极管Q3处于截止状态，交替导通，三极管Q3和三极管Q4分别在正负半周导通，提高了信号的输出转换功率，保证了输出信号的稳定性。
附图说明
[0013]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0014]图1为本技术中信号调整电路和后级驱动电路原理图；
[0015]图2为本技术中过流保护电路原理图。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都涉及本技术保护的范围。
[0017]如图1所示，本实施例提出了一种隔离驱动控制电路，包括依次连接的信号调整电路、隔离变压器T1和后级驱动电路，所述后级驱动电路用于驱动MOS管；
[0018]所述信号调整电路包括电阻R1、电容C1、三极管Q1、电阻R4、电阻R2、电容C2、三极管Q2、电阻R3、三极管Q3、三极管Q4和电阻R5，所述电阻R1的第一端为PWM信号输入端，所述电阻R1的第二端连接所述三极管Q1的基极，所述电阻R1的第一端连接所述电容C1的第一端，所述电容C1的第二端连接所述电阻R1的第二端，所述三极管Q1的集电极通过所述电阻
R4连接电源VCC，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1的集电极连接所述电阻R2的第一端，所述电阻R2的第二端连接三极管Q2的基极，所述电阻R2的第一端连接所述电容C2的第一端，所述电容C2的第二端连接电阻R2的第二端，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的集电极通过所述电阻R3连接电源VCC，所述三极管Q2的集电极连接所述三极管Q3的基极，所述三极管Q3的发射极连接电源VCC，所述三极管Q3的集电极连接所述三极管Q4的发射极，所述三极管Q4的基极连接所述三极管Q2的集电极，所述三极管Q4的发射极连接所述隔离变压器T1初级线圈的第一端，所述隔离变压器T1初级线圈的第二端通过所述电阻R5接地。
[0019]本实施例中，微处理器输出的PWM信号依次经本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种隔离驱动控制电路，其特征在于，包括依次连接的信号调整电路、隔离变压器T1和后级驱动电路，所述后级驱动电路用于驱动MOS管；所述信号调整电路包括电阻R1、电容C1、三极管Q1、电阻R4、电阻R2、电容C2、三极管Q2、电阻R3、三极管Q3、三极管Q4和电阻R5，所述电阻R1的第一端为PWM信号输入端，所述电阻R1的第二端连接所述三极管Q1的基极，所述电阻R1的第一端连接所述电容C1的第一端，所述电容C1的第二端连接所述电阻R1的第二端，所述三极管Q1的集电极通过所述电阻R4连接电源VCC，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1的集电极连接所述电阻R2的第一端，所述电阻R2的第二端连接三极管Q2的基极，所述电阻R2的第一端连接所述电容C2的第一端，所述电容C2的第二端连接电阻R2的第二端，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q2的集电极通过所述电阻R3连接电源VCC，所述三极管Q2的集电极连接所述三极管Q3的基极，所述三极管Q3的发射极连接电源VCC，所述三极管Q3的集电极连接所述三极管Q4的发射极，所述三极管Q4的基极连接所述三极管Q2的集电极，所述三极管Q4的发射极连接所述隔离变压器T1初级线圈的第一端，所述隔离变压器T1初级线圈的第二端通过所述电阻R5接地，所述后级驱动电路包括电容C6、电阻R6、二极管D1、电阻R7和MOS管Q5，所述隔离变压器T1次级线圈的第一端连接所述电容C6的第一端，所述电容C6的第二端连接所述电阻R6的第一端，所述电阻R6的第一端连接所述二极管D1的阴极，所述二极管D1的阳极连接所述电阻R6的第二端，所述电阻R6的第二端连接所述MOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘亚峰，张智参，郝飞，葛静辉，申玉敏，柴红，朱建华，陈晓明，
申请(专利权)人：先控捷联电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：