等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，其即使在发生处理异常等的情况下也能够抑制生产率的降低。该等离子体处理装置设置有根据处理条件对被处理体（Ｇ）进行等离子体处理的处理室，该等离子体处理装置具有：存储有与处理条件不同的多个再处理条件的存储部；以及具有监视等离子体处理中有无发生异常的监视功能、和判定发生的异常的种类的判定功能的控制系统（５０），在等离子体处理中发生异常的情况下，控制系统（５０）根据判定的异常的种类，从多个再处理条件中选择一个再处理条件，对被处理体（Ｇ）进行再处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对平板显示器(FPD)制造用的玻璃基板、半导体集成电路(IC)制造用的半导体晶片等被处理体实施等离子体处理的等离子体处理装置。
技术介绍
在FPD或IC的制造工序中，使用对玻璃基板、半导体晶片等被处理体实施蚀刻等处理的等离子体处理装置。作为实施蚀刻等处理的等离子体处理装置，例如熟知有等离子 体干式蚀刻装置。控制处理气体、高频输出的装置控制器与等离子体干式蚀刻装置连接。装置控制器根据被称为处理方案的规定的处理条件，控制处理气体的流量、高频输出、处理时间和处 理压力等。由此，进行等离子体处理装置对被处理体的蚀刻等规定的处理。在实施规定的处理时发生处理异常等的情况下，例如，如专利文献1所述，中断对被处理体的处理。中断后，操作者进行方案的修正等必要的操作，之后再实施对被处理体的 处理。专利文献1 日本特开2007-234809号公报如专利文献1所记载，在实施规定的处理时，在发生处理异常等的情况下中断处理。因此，可能导致产品的生产率降低。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题而完成，其目的在于提供即使在发生处理异常等的情况下，也能够抑制生产率的降低的等离子体处理装置。为了解决上述课题，本专利技术的一个方面的等离子体处理装置，设置有根据处理条件对被处理体进行等离子体处理的处理室，该等离子体处理装置包括存储有与上述处理 条件不同的多个再处理条件的存储部；和控制系统，其具有监视上述等离子体处理中有无 发生异常的监视功能和判定发生的异常的种类的判定功能，在上述等离子体处理中发生了 异常的情况下，根据所判定的异常的种类，从上述多个再处理条件中选择一个再处理条件， 对上述被处理体进行再处理。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种即使在发生处理异常等的情况下也能够抑制生产率的降低的等离子体处理装置。附图说明图1是概略地表示本专利技术的一实施方式的等离子体处理装置的一个例子的截面图。图2是概略地表示控制图1所示的等离子体处理装置1的控制系统的框图。图3是表示一实施方式的等离子体处理装置所具有的装置控制器所实施的基板处理方法的一个例子的流程图。图4是表示处理条件变更的例子的图。图5是表示一实施方式的等离子体处理装置进行的基板处理的顺序的一个例子的流程图。图6A是表示被正常处理的玻璃基板G的每个处理经过时间的处理信息的图，图6B 是表示发生异常的玻璃基板G的每个处理经过时间的处理信息的图。图7是表示放电电平与时间的关系的图。符号说明2…处理室(处理室)5…基材(下部电极)5a···凸部5b…凸缘部6…聚焦环13…匹配器14…高频电源27…质量流量控制器30…排气装置50…装置控制器51…终点检测器42…高频产生装置具体实施例方式以下参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。图1是概略地表示本专利技术一实施方式的等离子体处理装置的一个例子的截面图。图1所示的等离子体处理装置1是对FPD制造用的玻璃基板G进行规定处理的装 置的一个例子，在本例中，构成为电容耦合型等离子体干式蚀刻装置。作为FPD，能够列举液 晶显示器(LCD)、电致发光(Electro Luminescence ； EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)寸。等离子体处理装置1具有处理室(等离子体处理室)2，该处理室2例如成形为由 表面经过防蚀铝处理(阳极氧化处理)的铝构成的角筒形状。在处理室2内的底部配置有 用于载置作为被处理体的玻璃基板G的载置台3。载置台3隔着绝缘部件4被支承在处理室2的底部。载置台3由具有凸部5a的 导电性基材5构成。导电性基材5的表面被绝缘性的涂层8例如氧化铝喷镀、防蚀铝覆盖。 凸部5a的周围被边框状的聚焦环6包围。在本例中，供电线12与导电性基材5连接。供 电线12通过匹配器13与高频电源14连接。高频电源14输出例如13. 56MHz的高频电力。 高频电力通过匹配器13和供电线12供给至构成载置台3的导电性基材5。由此，载置台3 作为下部电极发挥作用。在载置台3的上方，与载置台3相对地配置有喷淋头20。喷淋头20例如被支承在 处理室2的上部。喷淋头20在内部具有内部空间21，并且在与载置台3的相对面上具有喷出处理气体的多个喷出孔22。由此，喷淋头20作为处理气体喷出部发挥作用。另外，在本 例中，喷淋头20被接地，作为上部电极发挥作用，与作为下部电极发挥作用的载置台3 —起 构成一对平行平板电极。在喷淋头20的上表面设置有气体导入口 24。处理气体供给管25与气体导入口 24连接。处理气体供给管25通过开闭阀26和质量流量控制器(MFC) 27与处理气体供给源 28连接。处理气体供给源28将用于等离子体处理例如等离子体干式蚀刻的处理气体，通过 质量流量控制器27、开闭阀26、处理气体供给管25和喷淋头20向处理室2内供给。作为 处理气体，能够使用卤素类气体、O2气体、Ar气体等通常在该领域中使用的气体。在处理室2的底部形成有排气管29。排气管2 9与排气装置30连接。排气装置 30具有涡轮分子泵(TMP)等真空泵。排气装置30调节排气量，对处理室2内进行排气。由 此，处理室2内的压力能够减压到规定的减压气氛。在处理室2的侧壁设置有基板搬入搬出口 31。基板搬入搬出口 31能够通过闸阀 32进行开闭。在打开闸阀32的状态下，由搬送装置(未图示)搬入搬出玻璃基板G。图2是概略地表示控制图1所示的等离子体处理装置1的控制系统的框图。如图2所示，装置控制器50与匹配器13、质量流量控制器27、排气装置30、基于处 理室2内的等离子体发光强度检测蚀刻终点的终点检测器51、使高频电源14产生高频输出 的高频产生装置52连接。控制器50具有存储处理条件(处理方案)的存储部，装置控制器50控制质量流 量控制器27，根据存储在存储部的处理条件(处理方案)调节处理气体的流量。同样地，装置控制器50控制排气装置30，根据处理方案调节排气量，调节处理室2 内的压力。进一步，装置控制器50控制高频产生装置52，根据处理方案，调节供给载置台3的 高频电力的输出值。进一步，装置控制器50特别还控制未图示的在安装在载置台3中的传热介质流路 中流通的传热介质的温度调节装置，根据处理方案，调节玻璃基板G的温度。这样，装置控制器50通过控制质量流量控制器27、排气装置30、高频产生装置52 和温度调节装置，控制等离子体处理装置1。另外，装置控制器50不只具有控制等离子体处理装置1的功能，还具有监视处理 的状况的监视功能。具体而言，装置控制器50监视质量流量控制器27中的处理气体的流量，监视处理 气体的供给状况。同样地，装置控制器50监视排气装置30中的排气量，监视处理室2内的压力状况。同样地，装置控制器50监视高频产生装置52的输出值，监视高频输出的输出状 况。同样地，装置控制器50监视温度调节装置，监视玻璃基板G的温度、处理室2内的 温度状况。同样地，装置控制器50监视终点检测器51所检测出的等离子体发光强度，监视处 理室2内的等离子体的状态。进一步，装置控制器50监视返回高频产生装置52的高频电力的反射波的大小(以下，简称为反射波)，监视处理室2内的等离子体的状态。进一步，装置控制器50控制等离子体处理装置1，使得在对玻璃基板G实施处理时，在发生异常例如处理异常时，选择预先存储在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其设置有根据处理条件对被处理体进行等离子体处理的处理室，该等离子体处理装置的特征在于，具有：存储有与所述处理条件不同的多个再处理条件的存储部；以及具有监视所述等离子体处理中有无发生异常的监视功能、和判定发生的异常的种类的判定功能的控制系统，其中在所述等离子体处理中发生异常的情况下，所述控制系统根据所判定的异常的种类，从所述多个再处理条件中选择一个再处理条件，对所述被处理体进行再处理。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田中诚治，藤永元毅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]