本申请提供一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备，晶圆顶起装置包括：顶起结构；波纹管，波纹管的上端与顶起结构连接，波纹管内设置有中间轴；驱动装置，驱动装置用于驱动中间轴上下运动，驱动装置具有输出部，输出部和中间轴通过连接机构连接；其中，连接机构包括设置在输出部上端的第一连接结构和设置在中间轴下端的第二连接结构，第一连接结构包括上抵接部、下抵接和用于连接上抵接部和下抵接部一侧边缘的连接部，上抵接部具有开口，第二连接结构包括球体和连接在球体和中间轴之间的连接杆；当输出部和中间轴连接时，球体位于上抵接部和下抵接部之间，连接杆穿过开口。本申请提供的晶圆顶起装置具有较高的装配容错率。供的晶圆顶起装置具有较高的装配容错率。供的晶圆顶起装置具有较高的装配容错率。
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备
[0001]本申请涉及半导体制造
，特别涉及一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备。
技术介绍
[0002]等离子刻蚀技术是半导体芯片加工制造过程中的一种重要工艺。等离子刻蚀工艺由等离子刻蚀机完成。等离子刻蚀工艺的步骤包括刻蚀气体的导入、等离子体的生成、等离子体扩散至待刻蚀样品(晶圆)表面、等离子体在待刻蚀表面的扩散、等离子体与表面物质的反应以及反应产物的解吸附并排出等过程。晶圆一般会被吸附在静电吸盘上完成刻蚀操作，当晶圆完成刻蚀时，需要将晶圆从静电吸盘上顶起以便于被机械手夹取，从而将晶圆取出。然而，目前用于顶起晶圆的装置装配容错率较低、灵活性较差，一旦装配出现偏差，用于顶起晶圆的装置便很难将晶圆顶起，或者在将晶圆顶起的过程中相关构件出现变形而导致使用寿命下降的问题。
[0003]因此，希望提供一种装配容错率高用于顶起晶圆的装置。
技术实现思路
[0004]本申请实施例之一提供一种晶圆顶起装置，用于将吸附在等离子刻蚀设备的反应腔体内的静电吸盘的上表面的晶圆顶起，所述晶圆顶起装置包括：顶起结构，所述顶起结构位于所述静电吸盘的下方；波纹管，所述波纹管的上端与所述顶起结构连接，所述波纹管内设置有中间轴，其中，所述中间轴上下运动带动所述波纹管伸缩，所述波纹管伸长带动所述顶起结构穿过所述静电吸盘与所述晶圆接触并将所述晶圆顶起；驱动装置，所述驱动装置用于驱动所述中间轴上下运动，所述驱动装置具有输出部，所述输出部和所述中间轴通过连接机构连接；其中，所述连接机构包括设置在所述输出部上端的第一连接结构和设置在所述中间轴下端的第二连接结构，所述第一连接结构包括上抵接部、下抵接和用于连接所述上抵接部和所述下抵接部一侧边缘的连接部，所述上抵接部具有开口，所述第二连接结构包括球体和连接在球体和中间轴之间的连接杆；当所述输出部和所述中间轴连接时，所述球体位于所述上抵接部和所述下抵接部之间，所述连接杆穿过所述开口。
[0005]在一些实施例中，所述第一连接结构与所述输出部上端转动连接。
[0006]在一些实施例中，所述第二连接结构与所述中间轴一体成型。
[0007]在一些实施例中，所述波纹管的下端与所述中间轴之间安装有衬套。
[0008]在一些实施例中，所述顶起结构包括多个顶杆。
[0009]在一些实施例中，所述顶起结构包括顶板。
[0010]在一些实施例中，所述驱动装置为气缸，所述输出部与所述气缸的活塞连接。
[0011]本申请实施例之一提供一种等离子刻蚀设备，包括：反应腔体；静电吸盘，所述静电吸盘位于所述反应腔体内，用于吸附晶圆；上述任一实施例中所述的晶圆顶起装置，所述晶圆顶起装置中的顶起结构位于所述静电吸盘的下方，用于穿过所述静电吸盘与所述晶圆
接触并将所述晶圆顶起。
[0012]本申请实施例提供一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备，晶圆顶起装置通过中间轴与驱动装置的输出部之间通过连接机构连接，可以保证在晶圆顶起装置中的部件出现制造装配误差而导致驱动装置输出的直线运动方向与中间轴的轴线方向不在同一直线上的情况下，即使中间轴不发生变形也能顺利向上运动带动波纹管向上伸长从而带动顶起结构将晶圆顶起，因此可以避免中间轴在晶圆在被顶起的过程发生变形而导致使用寿命下降，同时可以保证驱动装置输出的驱动力不用过大便能满足将晶圆顶起的需求，也即是说，本申请提供的晶圆顶起装置具有较高的装配容错率。
附图说明
[0013]以下附图详细描述了本申请中披露的示例性实施例。其中相同的附图标记在附图的若干视图中表示类似的结构。本领域的一般技术人员将理解这些实施例是非限制性的、示例性的实施例，附图仅用于说明和描述的目的，并不旨在限制本申请的范围，其他方式的实施例也可能同样的完成本申请中的专利技术意图。应当理解，附图未按比例绘制。
[0014]其中：
[0015]图1是根据本申请一些实施例所示的晶圆顶起装置的应用结构示意图；
[0016]图2是根据本申请一些实施例所示的连接机构的结构示意图；
[0017]图3是根据本申请一些实施例所示的连接机构的俯视图；
[0018]图4是根据本申请一些实施例所示的晶圆在被顶起的过程中连接机构的运动原理示意图；
[0019]图5是根据本申请一些实施例所示的中间轴的轴线与开口的对称线在Y方向上产生偏移时连接机构的俯视图；
[0020]图6是本申请一些实施例所示的第一连接结构相对于输出部转动后的连接机构的俯视图；
[0021]图7是根据本申请一些实施例所示的等离子刻蚀设备的结构示意图。
具体实施方式
[0022]以下描述提供了本申请的特定应用场景和要求，目的是使本领域技术人员能够制造和使用本申请中的内容。对于本领域技术人员来说，对所公开的实施例的各种局部修改是显而易见的，并且在不脱离本申请的精神和范围的情况下，可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用。因此，本申请不限于所示的实施例，而是与权利要求一致的最宽范围。
[0023]在等离子刻蚀设备对晶圆的加工过程中，晶圆会放置在等离子刻蚀设备的反应腔体中的静电吸盘上，静电吸盘通过静电对晶圆产生吸附力，从而能够将晶圆吸附在静电吸盘的上表面上以进行相应的刻蚀操作。当晶圆完成刻蚀后，需要将晶圆取出以进行后续制程。在将晶圆取出的过程中，首先需要将晶圆从静电吸盘上顶起，然后将晶圆顶到能够被机械手夹取到的相应位置，通过机械手夹取晶圆以将晶圆取出。
[0024]为了将晶圆顶起，用于晶圆顶起的装置一般是利用能够进行上下运动的执行部件与晶圆接触，然后在上升的过程中将晶圆顶起。执行部件的上下运动一般由能够输出直线
运动的驱动装置(例如，气缸、电极都能够)所驱动。然而，驱动装置的输出部与执行部件之间的连接一般为刚性连接，一旦执行部件和/或驱动装置因制造装配偏差而导致驱动装置所输出的驱动力的方向与执行部件需要进行的上下运动方向不在同一直线上时，执行部件便容易受到来与驱动装置所输出的驱动力的方向不同方向(例如，水平方向)的作用力，这些作用力会在晶圆被顶起时使得执行部件发生变形，而容易发生损坏，同时会导致驱动装置需要输出较大的驱动力才能将晶圆顶起。
[0025]本申请实施例提供一种晶圆顶起装置，用于将吸附在等离子刻蚀设备的反应腔体内的静电吸盘的上表面的晶圆顶起，其特征在于，晶圆顶起装置包括：顶起结构，顶起结构位于静电吸盘的下方；波纹管，波纹管的上端与顶起结构连接，波纹管内设置有中间轴，其中，中间轴上下运动带动波纹管伸缩，波纹管伸长带动顶起结构穿过静电吸盘与晶圆接触并将晶圆顶起；驱动装置，驱动装置用于驱动中间轴上下运动，驱动装置具有输出部，输出部和中间轴通过连接机构连接；其中，连接机构包括设置在输出部上端的第一连接部和设置在中间轴下端的第二连接部，第一连接结构包括上抵接部、下抵接和用于连接上抵接部和下抵接部一侧边缘的连接部，上抵接部具有开口，第二连接结构包括球体和连接在球体和中间轴之间的连接杆；当输出部和本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆顶起装置，用于将吸附在等离子刻蚀设备的反应腔体内的静电吸盘的上表面的晶圆顶起，其特征在于，所述晶圆顶起装置包括：顶起结构，所述顶起结构位于所述静电吸盘的下方；波纹管，所述波纹管的上端与所述顶起结构连接，所述波纹管内设置有中间轴，其中，所述中间轴上下运动带动所述波纹管伸缩，所述波纹管伸长带动所述顶起结构穿过所述静电吸盘与所述晶圆接触并将所述晶圆顶起；驱动装置，所述驱动装置用于驱动所述中间轴上下运动，所述驱动装置具有输出部，所述输出部和所述中间轴通过连接机构连接；其中，所述连接机构包括设置在所述输出部上端的第一连接结构和设置在所述中间轴下端的第二连接结构，所述第一连接结构包括上抵接部、下抵接部和用于连接所述上抵接部和所述下抵接部一侧边缘的连接部，所述上抵接部具有开口，所述第二连接结构包括球体和连接在球体和中间轴之间的连接杆；当所述输出部和所述中间轴连接时，所述球体位于所述上抵接部和所述下抵接部之间...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵函一，
申请(专利权)人：上海微芸半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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