一种硅片边缘抛光装置制造方法及图纸

技术编号:39199083 阅读:14 留言:0更新日期:2023-10-27 09:48
本实用新型专利技术涉及硅片抛光领域,涉及一种硅片边缘抛光装置,本实用新型专利技术包括上转盘、下转盘、吸附台、上抛离心组件、下抛离心组件和圆周抛离心组件,上转盘通过支撑柱与下转盘连接,吸附台设置于上转盘与下转盘之间,吸附台上吸附有硅片,上抛离心组件安装于上转盘上,下抛离心组件和圆周抛离心组件设置于下转盘上,上抛离心组件、下抛离心组件和圆周抛离心组件均包括基座和弧形抛光块,上抛离心组件的弧形抛光块正对硅片下边缘设置,下抛离心组件的弧形抛光块正对硅片上边缘设置,圆周抛离心组件的弧形抛光块正对硅片中间边缘设置,圆周抛离心组件的弧形抛光块正对硅片中间边缘设置,调整转盘转速提供的离心力大小改变边抛压力,抛光压力实时可控。压力实时可控。压力实时可控。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片边缘抛光装置


[0001]本技术涉及硅片抛光领域,涉及一种硅片边缘抛光装置。

技术介绍

[0002]随着半导体工业的急速发展,对材料的完整性、均匀性、表面质量、边缘质量等提出了越来越高的要求。边缘抛光采用化学机械抛光,硅片边缘表面与抛光布之间存在一层抛光液薄层,对硅片表面进行腐蚀,生成一层化学物过渡层,在抛光布和抛光液的共同作用下,表面工艺损伤层不断的被腐蚀和去除,最终获得光滑无损伤的边缘表面,以防止边缘易崩边、外延后边边缘缺陷等。
[0003]传统的硅片边缘抛光采用抛光盘式抛光,抛光盘式具有一定斜度与弧度的运动模组,模组一般由一个上斜面抛光盘、一个下斜面抛光盘和俩个垂直面抛光盘等四个抛光盘组成,可同时实现上下和水平方向的移动,在驱动装置下靠近硅片边缘并施加一定抛光压力,在抛光液作用下可对边缘进行抛光。但是传统的抛光盘式硅片边抛工艺,多为直线式运动,需实现俩个方向的进给运动,控制因素较多,抛光压力不易控制。
[0004]综上所述,为解决现有技术中的不足,需设计一种结构简单的硅片边缘抛光装置。

技术实现思路

[0005]本技术为解决现有技术的问题,提供了一种硅片边缘抛光装置。
[0006]本技术的目的可通过以下技术方案来实现:一种硅片边缘抛光装置包括:上转盘、下转盘、吸附台、上抛离心组件、下抛离心组件和圆周抛离心组件,所述上转盘通过支撑柱与下转盘连接,所述吸附台同心设置于上转盘与下转盘之间,所述吸附台上吸附有硅片,所述上抛离心组件安装于上转盘上,所述下抛离心组件和圆周抛离心组件设置于下转盘上,所述下转盘与吸附台均连接有旋转动力组件,所述上抛离心组件、下抛离心组件和圆周抛离心组件均包括基座和弧形抛光块,所述上抛离心组件的弧形抛光块正对硅片下边缘设置,所述下抛离心组件的弧形抛光块正对硅片上边缘设置,所述圆周抛离心组件的弧形抛光块正对硅片中间边缘设置。
[0007]进一步的改进,所述上抛离心组件与下抛离心组件均还包括旋转板和配重块一,所述旋转板与基座转动连接,所述弧形抛光块固定于旋转板一端,所述配重块一固定于旋转板另一端。
[0008]进一步的改进,所述圆周抛离心组件均还包括导杆、配重杆、配重块二和支架,所述导杆滑动设置于基座内,所述弧形抛光块设置于导杆前端,所述支架固定于基座外侧,所述配重杆前端与导杆转动连接,所述配重杆中部与支架转动连接,所述配重块二固定于支架后端。
[0009]进一步的改进,所述上抛离心组件在上转盘上环形间隔设置有三组,所述下抛离心组件在下转盘上环形间隔设置有四组。
[0010]进一步的改进,所述上转盘与下转盘上设有用于安装基座的通槽。
[0011]与现有技术相比,本技术硅片边缘抛光装置的有益效果:
[0012]通过转动式的硅片吸附台配合安装有弧形抛光块的上转盘与下转盘,调整转盘转速提供的离心力大小,改变边抛压力,其抛光压力实时可控,且施加压力较为均匀在抛光液的作用下对硅片边缘进行抛光。
附图说明
[0013]图1为本技术的结构示意图
[0014]图2为本技术局部结构的结构示意图
[0015]图3为本技术中上抛离心组件与下抛离心组件的结构示意图
[0016]图4为本技术中圆周抛离心组件的结构示意图
[0017]图中,1

上转盘,2

下转盘,3

吸附台,4

上抛离心组件,5

下抛离心组件,6

圆周抛离心组件,7

支撑柱,81

基座,82

弧形抛光块,83

旋转板,84

配重块一,85

导杆,86

配重杆,87

配重块二,88

支架,89

通槽,9

硅片。
具体实施方式
[0018]在本技术的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。
[0019]在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0020]下面结合实施例及附图1~4,对本技术的技术方案作进一步的阐述。
[0021]实施例1
[0022]一种硅片边缘抛光装置,包括:上转盘1、下转盘2、吸附台3、上抛离心组件4、下抛离心组件5和圆周抛离心组件6,所述上转盘1通过支撑柱7与下转盘2连接,所述吸附台3同心设置于上转盘1与下转盘2之间,所述吸附台3上吸附有硅片9,所述上抛离心组件4安装于上转盘1上,所述下抛离心组件5和圆周抛离心组件6设置于下转盘2上,所述下转盘2与吸附台3均连接有旋转动力组件,所述上抛离心组件4、下抛离心组件5和圆周抛离心组件6均包括基座81和弧形抛光块82,所述上抛离心组件4的弧形抛光块82正对硅片9下边缘设置,所述下抛离心组件5的弧形抛光块82正对硅片9上边缘设置,所述圆周抛离心组件6的弧形抛光块82正对硅片9中间边缘设置,所述上抛离心组件4在上转盘1上环形间隔设置有三组,所述下抛离心组件5在下转盘2上环形间隔设置有四组。
[0023]如图1~图4所示,本技术的使用原理:
[0024]硅片9置于吸附台3表面上,通过真空吸附使其稳定吸附于台面上,通过旋转动力组件(图中未显示),使硅片9以一定转速旋转;上转盘1和下转盘2通过等高的若干个均匀分布的支撑柱7固连,由旋转动力组件(图中未显示)驱动旋转;
[0025]上转盘1和下转盘2上分别安装有均匀分布的的离心块组件,上抛离心组件4上安
装的弧形抛光块82可对硅片9下边缘进行抛光;上抛离心组件4上安装的弧形抛光块82可对硅片9上边缘进行抛光;圆周抛离心组件6上安装的弧形抛光块82可对硅片9中间面边缘进行抛光;
[0026]上转盘1和下转盘2和吸附台3以相反的转向不等速旋转,由转盘转速提供的离心力通过上抛或下抛离心组件转化为抛光块对硅片的压力,通过理论计算及实验可精确确定旋转速度,通过精确控制旋转速度可精确实时的控制抛光压力。
[0027]作为进一步的优选实施例,所述上抛离心组件4与下抛离心组件5均还包括旋转板83和配重块一84,所述旋转板83与基座81转动连接,所述弧形抛光块82固定于旋转板83一端,所述配重块一84固定于旋转板83另一端;所述圆周抛离本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片边缘抛光装置,其特征在于,包括:上转盘、下转盘、吸附台、上抛离心组件、下抛离心组件和圆周抛离心组件,所述上转盘通过支撑柱与下转盘连接,所述吸附台同心设置于上转盘与下转盘之间,所述吸附台上吸附有硅片,所述上抛离心组件安装于上转盘上,所述下抛离心组件和圆周抛离心组件设置于下转盘上,所述下转盘与吸附台均连接有旋转动力组件,所述上抛离心组件、下抛离心组件和圆周抛离心组件均包括基座和弧形抛光块,所述上抛离心组件的弧形抛光块正对硅片下边缘设置,所述下抛离心组件的弧形抛光块正对硅片上边缘设置,所述圆周抛离心组件的弧形抛光块正对硅片中间边缘设置。2.根据权利要求1所述的一种硅片边缘抛光装置,其特征在于,所述上抛离心组件与下抛离心组件均还包括旋转板...

【专利技术属性】
技术研发人员:张林郑勇魏永利
申请(专利权)人:名正浙江电子装备有限公司
类型:新型
国别省市:

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