【技术实现步骤摘要】
一种基于磷化铟单晶的制备系统及制备方法
[0001]本专利技术属于磷化铟制备
,特别是涉及一种基于磷化铟单晶的制备系统及制备方法。
技术介绍
[0002]磷化铟单晶具有较高的电子迁移速率和良好的光学性能,是制备超高速超高频器件、光电器件以及光电集成电路的良好材料,并且磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件。而磷化铟作为半导体基片,需要经过单晶生长、切片、外圆倒角、研磨、抛光及清洗封装等工艺过程,在切片及研磨过程中,晶片表面由于锯线及磨料的机械作用,磷化铟晶片表面会产生一定的机械损伤层。为了去除前道工序引入的表面缺陷,需要进行最后的抛光工艺,因为其表面质量决定了后续的外延层质量并最终影响磷化铟器件的性能。
[0003]现有的磷化铟单晶的制备系统一次只能进行单个磷化铟单晶的加工制备处理,无法同时实现多个磷化铟单晶的加工制备,由此降低了磷化铟单晶加工制备的效率;同时,为了实现磷化铟单晶顶面和周侧面的抛光处理,一般需要分别配置动力系统以及抛光系统,无法在一套动力系统的作用下即可满足对磷化铟单晶顶面和周侧面的抛光处理,从而大大降低了磷化铟单晶加工制备的效率。为此,我们提供了一种基于磷化铟单晶的制备系统及制备方法,用以解决上述中的技术问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种基于磷化铟单晶的制备系统及制备方法,通过单晶抛光结构、单晶撑托机构、磁提升组件、驱转组件、曲面抛光机构、单向旋转组件、顶面抛光机构、传动组件、曲面抛光组件和联动轴的具体结构设计,解决了上述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于磷化铟单晶的制备系统,其特征在于,包括单晶抛光结构(1);其中,所述单晶抛光结构(1)包括:单晶撑托机构(2),所述单晶撑托机构(2)包括固定座(201)以及转动设置于其外侧的活动座(202),所述活动座(202)顶部均设有多个磁提升组件(3),所述磁提升组件(3)包括可径向移动的第一磁铁(301);驱转组件(4),所述驱转组件(4)与固定座(201)之间同轴心转动连接;曲面抛光机构(5),所述曲面抛光机构(5)均设于活动座(202)表面且与其转动连接,所述曲面抛光机构(5)与磁提升组件(3)一一对应设置,所述驱转组件(4)与其周侧的多个曲面抛光机构(5)相啮合;单向旋转组件(6),所述单向旋转组件(6)设置于活动座(202)周侧且与活动座(202)转动连接,所述单向旋转组件(6)与曲面抛光机构(5)一一对应设置;当驱转组件(4)顺时针转动时,通过驱转组件(4)带动各个曲面抛光机构(5)逆时针转动,进而推动各个单向旋转组件(6)同步顺时针转动,当驱转组件(4)逆时针转动时,通过驱转组件(4)与各个曲面抛光机构(5)的啮合以及曲面抛光机构(5)与对应单向旋转组件(6)的啮合作用,使得活动座(202)随驱转组件(4)同步逆时针转动;以及顶面抛光机构(7),所述顶面抛光机构(7)设置于单晶撑托机构(2)正上方且可进行上下移动,通过顶面抛光机构(7)的旋转实现磷化铟单晶(10)顶面的抛光;其中,所述顶面抛光机构(7)包括同步转动的外齿环(701)和抛光盘(702),所述曲面抛光机构(5)包括可上下滑动的传动组件(8),所述传动组件(8)与外齿环(701)相啮合;当通过抛光盘(702)实现磷化铟单晶(10)顶面抛光后,驱使各个第一磁铁(301)径向移动至传动组件(8)下方,在磁排斥力下使得传动组件(8)上移脱离外齿环(701),通过驱转组件(4)带动曲面抛光机构(5)同步旋转进行磷化铟单晶(10)周侧面的抛光。2.根据权利要求1所述的一种基于磷化铟单晶的制备系统,其特征在于,所述固定座(201)顶部固定设置有中心环(203),所述中心环(203)外壁转动连接有调节环(204),所述调节环(204)周侧面通过支杆连接有弧形齿板(205);所述固定座(201)顶部转动设置有多个螺纹轴,所述螺纹轴周侧面固定设置有与对应弧形齿板(205)啮合的调位齿轮(206),所述螺纹轴外部套设有与其螺纹配合的撑托柱(207),所述撑托柱(207)外壁设置有限位槽道(208),所述中心环(203)顶部固定设置有与对应限位槽道(208)滑动配合的径向限位杆(209)。3.根据权利要求1所述的一种基于磷化铟单晶的制备系统,其特征在于,所述活动座(202)底部设置有环形安装腔(210),所述活动座(202)周侧面设置有多个与环形安装腔(210)相连通的安装口(211),所述安装口(211)内部固定设置有方向限位件(212);所述单向旋转组件(6)包括转动设置于安装口(211)内部的单向旋转杆(601),所述单向旋转杆(601)一侧贴合在对应方向限位件(212)表面,所述单向旋转杆(601)靠近环形安装腔(210)的端部固定有受力拨动件(602)。4.根据权利要求3所述的一种基于磷化铟单晶的制备系统,其特征在于,所述驱转组件(4)包括转动设置于固定座(201)底部的基柱上的固定环(401),所述固定环(401)外部设置有同轴心的驱转齿环(402),所述驱转齿环(402)与固定环(401)之间通过支撑杆连接,所述固定环(401)周侧面设置有皮带腔(403)。
5.根据权利要求4所述的一种基于磷化铟单晶的制备系统,其特征在于,所述顶面抛光机构(7)还包括升降套管(703),所述升降套管(703)周侧面转动设置有连接架,所述抛光盘(702)位于外齿环(701)正下方且均与连接架固定连接;所述抛光盘(702)顶部同轴心固定设置有受力下压环(704),所述受力下压环(704)外壁靠近顶部位置设置有斜面环口(705);所述升降套管(703)上方设置有与其同轴心的内螺纹环(706),所述内螺纹环(706)与升降套管(703)之间通过第一弹性件(707)连接。6.根据权利要求5所述的一种基于磷化铟单晶的制备系统,其特征在于,所述曲面抛光机构(5)还包括曲面抛光组件(9);其中,所述曲面抛光组件(9)包括抛光柱(901),所述抛光柱(901)下端部通过转轴与活动座(202)连接,且该转轴下端部固定有位于环形安装腔(210)内部且与驱转齿环(402)啮合的抛光齿轮(902),所述受力拨动件(602)配合在抛光齿轮(902)的齿槽中;所述抛光柱(901)上端部设置有轴向通道(903),所述抛光柱(901)周侧面设置有磁排斥腔(904),所述磁排斥腔(904)与轴向通道(903)之间通过导向滑道(905)相连通;所述抛光柱(901)周侧面贴合有两半圆抛光环(11),所述半圆抛光环(11)内壁固定设置有卡固件(111),...
【专利技术属性】
技术研发人员:顾正伟,
申请(专利权)人:苏州中砥半导体材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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