本发明专利技术涉及半导体器件技术领域,公开了一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法,包括如下步骤:步骤1、产生一个向上的空气阻力;步骤2、所述空气阻力在涂布液喷射到距离晶圆的表面上方A毫米的地方与涂布液接触,以减小所述涂布液到所述晶圆的速度,本发明专利技术还公开了一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的装置,包括用于垂直喷射涂布液的涂布装置,所述涂布装置为涂布液供给机构以及涂布喷嘴,所述涂布喷嘴上方的外周向侧设置有用于产生空气压力的空气发生装置。本发明专利技术通过在喷射喷涂液的时候利用空气发生装置产生空气阻力,该空气阻力与喷涂液在晶圆表面的上方接触,进而来达到减少喷涂液撞击晶圆表面所产生波纹的目的。波纹的目的。波纹的目的。
【技术实现步骤摘要】
降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法和装置
[0001]本专利技术涉及半导体器件
,具体涉及一种降低涂布液喷射到晶圆产生波纹高度的方法和装置。
技术介绍
[0002]在晶圆制造的工序中,有一个工序是需要在半导体轨道设备中,将光致抗蚀剂(Photo Resist)涂布在晶圆上,而在这个工序中,要求需要将光致抗蚀剂均匀地涂布在晶圆(wafer)上,但是因为在涂布过程中,光致抗蚀剂需要通过喷嘴涂布在晶圆的表面,在此过程中,光致抗蚀剂与晶圆表面会有一个跌落撞击(Drop Impact)的过程,从而导致涂布在晶圆表面的光致抗蚀剂的轮廓(Profile)质量并不好,涂布在晶圆表面的光致抗蚀剂并不平整。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法和装置和装置,能够减少光致抗蚀剂涂布到晶圆表面所产生波纹。
[0004]本专利技术通过下述技术方案实现:
[0005]一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法,包括如下步骤:
[0006]步骤1、产生一个向上的空气阻力;
[0007]步骤2、所述空气阻力在涂布液喷射到距离晶圆的表面上方A毫米的地方与涂布液接触,以减小所述涂布液到所述晶圆的速度,A为正整数。
[0008]本技术方案中,涂布液到达晶圆的表面的时候,会由于液波(Liquid Wave)现象而导致涂布液不能均匀的分布在晶圆上,本专利技术通过产生一个向上的空气阻力,通过该空气阻力在距离晶圆表面上方与垂直向下喷射的涂布液相遇从而改变涂布液掉落在晶圆表面的速度,进而减小涂布液撞击在晶圆表面所产生的波纹。
[0009]作为优化,所述步骤1中,产生一个向上的空气阻力的具体方法为:利用空气发生装置在所述涂布液的周围产生倾斜向下的空气压力,所述空气压力通过所述晶圆表面的反弹产生向靠近所述涂布液的方向向上倾斜的空气阻力。
[0010]这样,通过向下产生的空气压力反弹而产生的空气阻力,空气阻力相对分散,在减小喷涂液的速度的同时不会对喷涂液产生太大的影响而造成喷涂液的分散。
[0011]作为优化,所述空气发生装置喷射空气压力的空气喷嘴均匀分布在喷射所述涂布液的涂布装置的周围。
[0012]这样,可以保证空气阻力对称的从喷涂液的周围向喷涂液作用,防止空气阻力改变喷涂液的方向。
[0013]作为优化,所述涂布液从所述涂布喷嘴喷出的速度为v,所述涂布液从所述涂布喷嘴喷出的流量为q,所述涂布喷嘴的喷嘴孔的面积为s,所述速度、流量以及面积的关系为:
[0014][0015]作为优化,所述涂布装置到所述晶圆表面的距离为5毫米。
[0016]作为优化,步骤2中,所述空气阻力在涂布液喷射到距离晶圆表面上方2毫米的地方与涂布液接触。
[0017]这样,空气阻力在距离晶圆表面上方2毫米的地方与涂布液接触以减小涂布液的速度,然后涂布液再进一步掉落到晶圆表面,这样可以大大减小涂布液撞击在晶圆表面所产生的波纹。
[0018]本专利技术还公开了一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的装置,包括用于垂直喷射涂布液的涂布装置,所述涂布装置为涂布液供给机构以及涂布喷嘴,所述涂布喷嘴通过管道与所述涂布液供给机构连接,所述涂布喷嘴上方的外周向侧设置有用于产生空气压力的空气发生装置,所述空气压力向靠近所述涂布液的方向倾斜向下设置,且所述空气压力接触晶圆表面的位置不接触所述涂布液接触所述晶圆表面的位置。
[0019]本技术方案中,通过在涂布喷嘴的周向测设置空气发生装置,可以有效提供空气压力,从而转换为空气阻力。
[0020]作为优化,所述空气发生装置包括空气供给机构以及空气喷嘴,所述空气喷嘴至少有2个,所述空气喷嘴均匀分部在所述涂布喷嘴的外侧周向上。
[0021]这样,可以使喷涂液均匀地受到来自周围的空气阻力,避免空气阻力不均匀而导致喷涂液的方向改变。
[0022]作为优化,所述空气喷嘴喷射所述空气压力的角度、喷射时间以及空气压力的喷射量均可调整。
[0023]作为优化,所述涂布喷嘴到所述晶圆表面的距离为5毫米。
[0024]本专利技术与现有技术相比,具有如下的优点和有益效果:
[0025]本专利技术通过在喷射喷涂液的时候利用空气发生装置产生空气阻力,该空气阻力与喷涂液在晶圆表面的上方接触,从而降低喷涂液到达晶圆表面的速度,进而来达到减少喷涂液撞击晶圆表面所产生波纹的目的。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术示例性实施方式的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。在附图中:
[0027]图1为实施例中光致抗蚀剂撞击在晶圆表面所产生的波纹原理示意图;
[0028]图2为本专利技术所述的一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法的原理图;
[0029]图3为本专利技术所述的一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的装置的结构示意图;
[0030]图4为采用本专利技术以后的光致抗蚀剂撞击在晶圆表面所产生的波纹(下)与光致抗蚀剂直接撞击在晶圆表面所产生的波纹(上)的对比图。
具体实施方式
[0031]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例和附图,对本专利技术作进一步的详细说明,本专利技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本专利技术,并不作为对本专利技术的限定。
[0032]实施例1
[0033]本专利技术通过下述技术方案实现:
[0034]本专利技术中的涂布液采用光致抗蚀剂(Photo Resist,图中简称为PR),而光致抗蚀剂的主要成分是油,有些成分粘度会比水高,有些会比水低,粘度比水低的成分撞击在晶圆表面时会容易产生波纹,也就是说,光致抗蚀剂到达晶圆表面的时候,会由于Liquid Wave(液波)现象而导致光致抗蚀剂不能均一的分布在晶圆上。如图1所示,为光致抗蚀剂撞击在晶圆表面所产生的波纹示意图。
[0035]流量q=面积s*速度v;
[0036]本实施例中,流量:1cc/s,接触面积:0.8mm。
[0037]本专利技术的实施例1公开了一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法,包括如下步骤:
[0038]步骤1、产生一个向上的空气阻力;
[0039]步骤2、所述空气阻力在涂布液喷射到距离晶圆的表面上方A毫米的地方与涂布液接触,以减小所述涂布液到所述晶圆的速度,A为正整数。
[0040]本技术方案中,涂布液到达晶圆的表面的时候,会由于液波(Liquid Wave)现象而导致涂布液不能均匀的分布在晶圆上,本专利技术通过产生一个向上的空气阻力,通过该空气阻力在距离晶圆表面上方与垂直向下喷射的涂布液相遇从而改变涂布液掉落在晶圆表面的速度,进而减小涂布液撞击在晶圆表面所产生的波纹。
[0041]本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、产生一个向上的空气阻力;步骤2、所述空气阻力在涂布液喷射到距离晶圆表面上方A毫米的地方与涂布液接触,以减小所述涂布液到所述晶圆的速度,A为正整数。2.根据权利要求1所述的一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法和装置,其特征在于,所述步骤1中,产生一个向上的空气阻力的具体方法为:利用空气发生装置在所述涂布液的周围产生倾斜向下的空气压力,所述空气压力通过所述晶圆表面的反弹产生向靠近所述涂布液的方向向上倾斜的空气阻力。3.根据权利要求2所述的一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法,其特征在于,所述空气发生装置喷射空气压力的空气喷嘴均匀分布在喷射所述涂布液的涂布装置的周围。4.根据权利要求3所述的一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法,其特征在于,所述涂布液从所述涂布喷嘴喷出的速度为v,所述涂布液从所述涂布喷嘴喷出的流量为q,所述涂布喷嘴的喷嘴孔的面积为s,所述速度、流量以及面积的关系为:5.根据权利要求3所述的一种降低涂布液喷射到晶圆产生的波纹的高度的方法,其特征在于,所述涂布装置到所述晶圆表面的距离为5毫米。6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:金成昱,梁贤石,林锺吉,金在植,张成根,
申请(专利权)人:成都高真科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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