本发明专利技术涉及一种可用捕获区域得到扩展的反应副产物捕获装置，将内部捕获塔由分成在将气体的主气流诱导到中央部并使其下降的同时执行捕获反应的上段捕获部、为了对所流入的气体进行收容并对反应副产物进行捕获而利用倒梯形空间部形成内侧区域的中段捕获部、在从通过侧面流入的气体中对反应副产物进行多段捕获的同时防止已捕获的反应副产物流出到外壳的气体排出口的下段捕获部以及通过对在所述中段捕获部的内侧以及外侧区域捕获到的多孔性粉末形态的反应副产物进行收集而防止其流出到外部的捕获罩，从而在不同的高度上对反应副产物进行多段捕获，借此，在使用周期的前半段以及后半段将气流诱导到内侧区域以及外侧区域，从而高效率地执行捕获反应。从而高效率地执行捕获反应。从而高效率地执行捕获反应。
【技术实现步骤摘要】
可用捕获区域得到扩展的反应副产物捕获装置
[0001]本专利技术涉及一种可用捕获区域得到扩展的反应副产物捕获装置，尤其涉及一种配备有可以在内部捕获塔的内外部对从半导体制造工程中的制程腔体排出的气体中所包含的反应副产物进行高效捕获的结构以及可以防止所捕获的多孔性粉末(Porous Powder)形态的反应副产物流出到外部的结构的捕获装置。
技术介绍
[0002]通常来讲，半导体制造工程大体上包括前工程(Fabrication工程)以及后工程(Assembly工程)，前工程是指通过在各种制程腔体(Chamber)内重复执行在晶圆(Wafer)上沉积形成薄膜之后对沉积形成的薄膜进行选择性蚀刻的过程而加工出特定图案并借此制造出半导体芯片(Chip)的工程，而后工程是指通过将在所述前工程中制造出的芯片单独分离之后与引线框架进行结合而组装出成品的工程。
[0003]此时，上述在晶圆上沉积形成薄膜或对在晶圆上沉积形成的薄膜进行蚀刻的工程是通过气体注入系统向制程腔体的内部注入如用于执行薄膜沉积的前驱体气体等所需要的气体并在高温条件下执行。此时，在制程腔体的内部将产生大量的含有在沉积过程中没有使用到的各种反应副产物、未反应的易燃气体和腐蚀性异物以及有毒成分的有害气体等并作为排放气体进行排出。
[0004]为此，在半导体制造装置中利用反应副产物捕获装置对从制程腔体排出的排放气体中所包含的颗粒状的反应副产物进行捕获，并在位于用于将所述制程腔体转换成真空状态的真空泵的后端排气管路的洗涤器(Scrubber)中再次对未反应气体进行最终净化之后排放到大气中。
[0005]此外，在所述反应副产物捕获装置在使用周期内在内部捕获塔中对反应副产物进行捕获的过程中，反应副产物将主要附着或堆积在外壳与内部捕获塔的捕获板外侧之间，从而导致捕获效率急剧下降的现象发生。
[0006]在如上所述的捕获装置的反应副产物捕获效率下降的情况下，为了可以顺利地执行半导体制造工程，需要更换成新的反应副产物捕获装置，或对反应副产物捕获装置的内部捕获塔以及外壳内部进行洗涤，从而更换成经过再生的捕获装置。
[0007]但是，在如上所述的捕获装置的捕获效率下降的情况下，在内部捕获塔的内侧仍然会有可执行追加捕获的区域存在，而因为在没有充分利用如上所述的可用捕获区域的情况下更换捕获装置，会导致使用周期变短以及半导体制造单价变高的问题。
[0008]作为用于解决如上所述的问题的现有技术，包括本申请人已经注册的专利即韩国注册专利第10
‑
2036273号(半导体工程副产物捕获装置)。
[0009]在所述技术中，配备有将等边梯形形状的、只在彼此结合时裸露在外部的部位中穿孔形成多个垂直方向通气孔的多个水平以及垂直方向垂直板以栅格形态进行组装，从而形成四面倾斜的金字塔形态，借助于只在用于相互结合的底部一部分保留的连接片维持彼此沿90度方向交叉的栅格形态，而且在中央上部形成有贯通形态的排放气体穿过空间部，
在安装于所述第二上部水平支架与下部水平支架之间的状态下，使得通过所述第二上部水平支架流入的排放气体通过排放气体穿过空间部，同时使得剩余的排放气体沿着等边梯形形态的多个水平以及垂直方向垂直板向下流动并将一部分副产物以粉末形态进行捕获的副产物捕获塔。通过配备如上所述的构成，可以达成不仅通过捕获塔的外侧区域，还通过内侧区域对反应副产物进行捕获的目的。
[0010]但是，在如上所述的本申请人的现有技术中，因为捕获塔的内侧区域空间采用上部以及下部的宽度相同的结构，因此在对反应副产物进行捕获的过程中可能会导致上部首先被堵塞的倾向，从而具有无法充分利用内侧区域的下部的问题。即，因为水平以及垂直方向垂直板的内侧切开部形状为垂直形状，即上部空间部的宽度与下部空间部的宽度相同的形状，因此其整体的内侧区域为类似于矩形筒体的空间结构，而在采用如上所述的构成时，从上部流入的气体首先会在上部发生捕获反应，从而造成上部逐渐变窄且移动到下部的其体量变少的结构性问题。
[0011]此外，因为在由等边梯形形状的水平以及垂直方向垂直板以栅格形态结合而成的表面形成的多个垂直方向通气孔并不能在捕获塔外侧与外壳之间的空间内有效地形成涡流并因此导致捕获效率的降低，而且反而会因为多个垂直方向通气孔而导致向捕获装置内侧空间下降的气流的迟滞，从而在流入到所述下部空间之前首先在上部对反应副产物进行捕获并造成下部空间中的捕获效率的进一步下降的结构性问题。
[0012]此外，在如上所述的本申请人的反应副产物捕获装置中，因为多个垂直方向通气孔会导致水平以及垂直方向垂直板表面的反应副产物捕获区域的减小，从而造成整体捕获装置外侧区域中的反应副产物捕获量减少的结构性问题。
[0013]此外，在如上所述的本申请人的反应副产物捕获装置中，因为并没有可以对在使用周期内通过捕获装置捕获到的反应副产物进行储藏的适当的储藏结构，因此在气体量伴随沉积工程的执行急剧增加并造成气流速度加快时，所形成的的多孔性粉末(Porous Powder)将增加且粉末(Powder)将发生飞扬，从而造成反应副产物通过外壳的气体排出口流出的结构性问题。即，在发生所捕获到的粉末状态的颗粒状反应副产物通过排气管路流出到外部的现象时可能会造成诱发洗涤器故障的问题。
[0014]此外，在如上所述的本申请人的反应副产物捕获装置中，公开了一种可以防止穿过副产物捕获塔以及下部水平支架或通过外壳的内部空间从侧面方向流入并转换成粉末形态的副产物直接流入到气体捕获排出口一侧，并仅将排放气体诱导到气体捕获排出口一侧的窗口结构，但是只通过由如上所述的单一结构构成的窗口结构，会造成防止气体中所包含的颗粒状粉末形态的反应副产物通过外壳的气体排出口流出到外部排气管路的效果不充分的结构性问题。
[0015]因此，需要一种可以借助于可充分利用捕获装置的可使用捕获区域的技术延长捕获装置的使用周期的技术，但是目前为止并没有与其相关的技术。
[0016]先行技术文献
[0017]专利文献
[0018](专利文献1)韩国注册专利公报注册编号第10
‑
2036273号(2019.10.18.注册)
[0019](专利文献2)韩国注册专利公报注册编号第10
‑
0862684号(2008.10.02.注册)
[0020](专利文献3)韩国注册专利公报注册编号第10
‑
1447629号(2014.09.29.注册)
[0021](专利文献4)韩国注册专利公报注册编号第10
‑
1806480号(2017.12.01.注册)
技术实现思路
[0022]技术问题
[0023]为了解决如上所述的问题，本专利技术的目的在于提供一种在对从半导体制造工程中的制程腔体排出的气体中所包含的反应副产物进行捕获的内部捕获装置中，将多个平面状的垂直板沿着外周方向相距一定间隔进行排列，从而通过在使用周期的前半段以及后半段根据捕获量对气流进本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可用捕获区域得到扩展的反应副产物捕获装置，其特征在于：作为用于将在半导体制造工程中执行沉积工程之后排出的气体收容到外壳(1)内部并利用加热器(2)进行加热的同时利用内部捕获塔(3)对气体中所包含的反应副产物进行捕获并仅排出气体的反应副产物捕获装置，将所述内部捕获塔(3)由分成在将气体的主气流诱导到中央部并使其下降的同时执行捕获反应的上段捕获部(31)、为了对所流入的气体进行收容并对反应副产物进行捕获而利用倒梯形空间部形成内侧区域的中段捕获部(32)、在从通过侧面流入的气体中对反应副产物进行多段捕获的同时防止已捕获的反应副产物流出到外壳的气体排出口(13a)的下段捕获部(33)以及通过对在所述中段捕获部的内侧以及外侧区域捕获到的多孔性粉末形态的反应副产物进行收集而防止其流出到外部的捕获罩(34)，从而在不同的高度上对反应副产物进行多段捕获，所述中段捕获部(32)根据不同使用周期的捕获量变化，在使用周期的前半段，诱导气体的主气流下降到构成外周的平面状十字形垂直板(321)的内侧区域并向外侧区域流动，而在内侧区域堆积一定捕获量的使用周期的后半段，诱导其从平面状十字形垂直板(321)的内侧区域上部流动到外侧区域之后下降，从而执行追加捕获反应。2.根据权利要求1所述的可用捕获区域得到扩展的反应副产物捕获装置，其特征在于：所述上段捕获部(31)，将从加热器分配到外壳的内部外廓方向并下降的气体通过中心部的主气孔(311)以及圆形排列在所述主气孔周边的相对较小的辅助气孔(312)诱导到在下部相距一定间隔的中段捕获部(32)，并在安装有双十字形板(314)的上部面以及安装有矩形板(314)的下部面对气体中的反应副产物进行捕获。3.根据权利要求1所述的可用捕获区域得到扩展的反应副产物捕获装置，其特征在于：所述中段捕获部(32)由结合到与上段捕获部(31)相距一定间隔的下部的多个平面状十字形垂直板(321)相隔一定间隙排列而构成外周，在构成所述平面状十字形垂直板(321)的单独垂直板(321a)是以朝向内侧方向的垂直板的面积从上部侧向下部侧逐渐变大的梯形形状形成，从而提供中段捕获部(32)的内侧区域上部空间大于下部空间的捕获空间。4.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵宰孝，李妍周，李俊旼，韩智银，
申请(专利权)人：未来宝株式会社，
类型：发明
国别省市：
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