垂直式探针卡及其栅栏状探针制造技术

本发明专利技术公开一种垂直式探针卡及其栅栏状探针。所述栅栏状探针具有介于5毫米～8毫米之间的一针长度。所述栅栏状探针包含一栅栏段、一陶瓷层、一连接段与一测试段。所述栅栏段呈长形且定义有一长度方向，所述栅栏段形成有沿着所述长度方向的一贯穿槽，并且所述贯穿槽的长度大于所述针长度的65％。所述陶瓷层直接成形于所述栅栏段的外表面、并覆盖于所述贯穿槽的两个长壁面。所述连接段与所述测试段分别相连于所述栅栏段的两个末端部，并且所述陶瓷层未配置于所述连接段与所述测试段。据此，通过所述栅栏状探针的结构设计，以使得所述栅栏段上可以在特定位置采用所述陶瓷层来取代既有的高分子绝缘层，进而有效地提升所述栅栏状探针的散热效果。针的散热效果。针的散热效果。

【技术实现步骤摘要】
垂直式探针卡及其栅栏状探针


[0001]本专利技术涉及一种探针卡，尤其涉及一种垂直式探针卡及其栅栏状探针。

技术介绍

[0002]现有垂直式探针卡需面临越来越高的散热要求，因而现有垂直式探针所包含的导电探针也朝此方向进行结构设计与改良。其中，由于现有垂直式探针的多个所述导电探针之间需避免因彼此碰触而短路，所以每个所述导电探针的中段外表面都形成有高分子材质的绝缘层。然而，所述绝缘层于本领域之中逐渐被认为是无法取代，进而无形中成为所述导电探针的散热效能难以进一步提升的阻碍。
[0003]于是，本专利技术人认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本专利技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例的目的在于提供一种垂直式探针卡及其栅栏状探针，能有效地改善现有垂直式探针卡所可能产生的缺陷。
[0005]本专利技术实施例公开一种垂直式探针卡，其包括：一第一导板单元与一第二导板单元，其彼此呈间隔地设置；以及多个栅栏状探针，穿设于第一导板单元与第二导板单元；其中，每个栅栏状探针的针长度介于5毫米(mm)～8毫米之间，并且每个栅栏状探针包含：一栅栏段，呈长形且定义有一长度方向，栅栏段形成有沿着长度方向的一贯穿槽，并且贯穿槽的长度大于针长度的65％；一陶瓷层，其直接成形于栅栏段的外表面、并覆盖于贯穿槽的两个长壁面；其中，陶瓷层未配置于第一导板单元与第二导板单元之内；及一连接段与一测试段，分别相连于栅栏段的两个末端部、且分别穿设于第一导板单元与第二导板单元；其中，当第一导板单元与第二导板单元彼此错位设置时，多个栅栏状探针的栅栏段朝同方向弹性地弯曲。
[0006]优选地，于每个栅栏状探针之中，陶瓷层自栅栏段的中央分别朝连接段与测试段延伸而形成，并且栅栏段的至少50％区域埋置于陶瓷层之内。
[0007]优选地，于每个栅栏状探针之中，陶瓷层填满贯穿槽，并且贯穿槽埋置于陶瓷层之内。
[0008]优选地，于每个栅栏状探针之中，栅栏段具有：两个支臂，分别位于贯穿槽相反两侧且分别具有两个长壁面；及至少一个内臂体，位于贯穿槽内，并且至少一个内臂体的两端分别连接于贯穿槽的两个短壁面；其中，两个支臂与至少一个内臂体皆埋置于陶瓷层内。
[0009]优选地，于每个栅栏状探针之中，两个支臂于垂直长度方向上具有相同的截面积，其不同于至少一个内臂体在垂直长度方向上的截面积。
[0010]优选地，每个栅栏状探针的陶瓷层于百格刀测试(cross
‑
cut method)之中具有至少3B的ASTM等级。
[0011]优选地，于每个栅栏状探针之中，栅栏段形成有一第一凸块，并且第一凸块自贯穿
槽的其中一个长壁面延伸一预设宽度而形成、并与贯穿槽的另一个长壁面相隔有一第一间隙。
[0012]优选地，于每个栅栏状探针之中，陶瓷层填满贯穿槽，并且贯穿槽与第一凸块皆埋置于陶瓷层之内。
[0013]优选地，于每个栅栏状探针中，当第一导板单元与第二导板单元彼此错位设置时，两个长壁面的其中之一位于其中另一的外侧、并延伸形成有第一凸块。
[0014]本专利技术实施例也公开一种垂直式探针卡的栅栏状探针，其具有介于5毫米～8毫米之间的一针长度，并且栅栏状探针包括：一栅栏段，呈长形且定义有一长度方向，栅栏段形成有沿着长度方向的一贯穿槽，并且贯穿槽的长度大于针长度的65％；一陶瓷层，其直接成形于栅栏段的外表面、并覆盖于贯穿槽的两个长壁面；以及一连接段与一测试段，分别相连于栅栏段的两个末端部，并且，陶瓷层未配置于连接段与测试段。
[0015]综上所述，本专利技术实施例所公开的垂直式探针卡，通过所述栅栏状探针4的结构设计(如：所述针长度介于5毫米～8毫米之间，所述贯穿槽的所述长度大于所述针长度的65％)，以使得所述栅栏段上可以在特定位置采用所述陶瓷层(如：所述陶瓷层未配置于所述第一导板单元与所述第二导板单元之内)来取代既有的高分子绝缘层，进而有效地提升所述栅栏状探针4的散热效果。
[0016]为能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的保护范围作任何的限制。
附图说明
[0017]图1为本专利技术实施例一的垂直式探针卡的平面示意图。
[0018]图2为图1的垂直式探针卡处于错位状态下的平面示意图。
[0019]图3为图1沿剖线III
‑
III的剖视示意图。
[0020]图4为本专利技术实施例一的栅栏状探针另一方式的平面示意图。
[0021]图5为图4的横剖面示意图。
[0022]图6为本专利技术实施例一的栅栏状探针又一方式的平面示意图。
[0023]图7为本专利技术实施例二的垂直式探针卡的平面示意图。
[0024]图8为图7沿剖线VIII
‑
VIII的剖视示意图。
[0025]图9为本专利技术实施例二的栅栏状探针另一方式的横剖面示意图。
[0026]图10为本专利技术实施例三的垂直式探针卡的平面示意图。
[0027]图11为图10的垂直式探针卡处于错位状态下的平面示意图。
[0028]图12为图10沿剖线XII
‑
XII的剖视示意图。
[0029]图13为本专利技术实施例三的栅栏状探针另一方式的横剖面示意图。
[0030]图14为本专利技术实施例三的栅栏状探针又一方式的平面示意图。
[0031]图15为本专利技术实施例四的垂直式探针卡的平面示意图。
[0032]图16为图15的垂直式探针卡处于错位状态下的平面示意图。
具体实施方式
[0033]以下是通过特定的具体实施例来说明本专利技术所公开有关“垂直式探针卡及其栅栏
状探针”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本专利技术的优点与效果。本专利技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本专利技术的构思下进行各种修改与变更。另外，本专利技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本专利技术的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本专利技术的保护范围。
[0034]应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[0035][实施例一][0036]请参阅图1至图6所示，其为本专利技术的实施例一。本实施例公开一种垂直式探针卡，包含有一探针头100以及抵接于所述探针头100一侧(如：图1的探针头100顶侧)的一信号转接板200，并且所述探针头100的另一侧(如：图1的探针头100底侧)用来顶抵测试一待测物(device 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直式探针卡，其特征在于，所述垂直式探针卡包括：一第一导板单元与一第二导板单元，其彼此呈间隔地设置；以及多个栅栏状探针，穿设于所述第一导板单元与所述第二导板单元；其中，每个所述栅栏状探针的针长度介于5毫米～8毫米之间，并且每个所述栅栏状探针包含：一栅栏段，呈长形且定义有一长度方向，所述栅栏段形成有沿着所述长度方向的一贯穿槽，并且所述贯穿槽的长度大于所述针长度的65％；一陶瓷层，其直接成形于所述栅栏段的外表面、并覆盖于所述贯穿槽的两个长壁面；其中，所述陶瓷层未配置于所述第一导板单元与所述第二导板单元之内；及一连接段与一测试段，分别相连于所述栅栏段的两个末端部、且分别穿设于所述第一导板单元与所述第二导板单元；其中，当所述第一导板单元与所述第二导板单元彼此错位设置时，多个所述栅栏状探针的所述栅栏段朝同方向弹性地弯曲。2.依据权利要求1所述的垂直式探针卡，其特征在于，于每个所述栅栏状探针之中，所述陶瓷层自所述栅栏段的中央分别朝所述连接段与所述测试段延伸而形成，并且所述栅栏段的至少50％区域埋置于所述陶瓷层之内。3.依据权利要求1所述的垂直式探针卡，其特征在于，于每个所述栅栏状探针之中，所述陶瓷层填满所述贯穿槽，并且所述贯穿槽埋置于所述陶瓷层之内。4.依据权利要求1所述的垂直式探针卡，其特征在于，于每个所述栅栏状探针之中，所述栅栏段具有：两个支臂，分别位于所述贯穿槽相反两侧且分别具有两个所述长壁面；及至少一个内臂体，位于所述贯穿槽内，并且至少一个所述内臂体的两端分别连接于所述贯穿槽的两个短壁面；其中，两个所述支臂与至少一个所述内臂体皆埋置于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏伟志，曾照晖，郑皓严，陈美惠，
申请(专利权)人：台湾中华精测科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：