EUV光刻系统及其方法和实施光刻的方法技术方案

本发明专利技术的实施例提供了用于光刻系统的方法，光刻系统包括向热管理控制器提供反馈的一个或多个热传感器。热管理控制器向诸如热交换器和气体喷口的热调节组件提供指令，以提供光刻系统中使用的中间掩模的冷却。本申请的实施例还涉及EUV光刻系统及其方法和实施光刻的方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
EUV光刻系统及其方法和实施光刻的方法


[0001]本申请的实施例涉及EUV光刻系统及其方法和实施光刻的方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)工业经历了指数级增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即，每芯片区的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小也增大了处理和制造IC的复杂性。
[0003]为了实现这些进步，IC处理和制造需要类似的发展。例如，实施更高分辨率光刻工艺的需求增长。一种光刻技术是极紫外(EUV)光刻。EUV光刻采用使用极紫外区域中的光的扫描仪，具有约1
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100nm的波长。EUV扫描仪使用反射光学系统而不是折射光学系统，即，反射镜代替透镜。但是，虽然现有的光刻技术通常足以满足其预期目的，但是它们并不是在每个方面都完全令人满意。

技术实现思路

[0004]本申请的一些实施例提供了一种用于极紫外(EUV)光刻的方法，所述方法包括：在光刻工艺期间收集与中间掩模相关的热数据；以及使用所述热数据来确定热管理动作，其中，所述热管理动作包括向热调节组件提供指令以冷却中间掩模。
[0005]本申请的另一些实施例提供了一种实施光刻的方法，其中，所述方法包括：向光刻工具的掩模架提供掩模；向所述光刻工具的晶圆台提供目标衬底；从所述光刻工具的源传送辐射束，其中，传送的辐射束从所述掩模反射回来；向所述目标衬底提供反射的辐射束；以及在传送所述辐射束期间，实施热控制管理，其中，所述热控制管理包括：接收与所述掩模架相关的温度，接收与所述掩模相关的温度，基于接收的温度修改热调节组件的输出。
[0006]本申请的又一些实施例提供了一种极紫外(EUV)光刻系统，包括：中间掩模架；温度传感器；第一热调节组件，位于所述中间掩模架中，其中，所述第一热调节组件可操作以降低所述中间掩模架中的中间掩模的温度；第二热调节组件，与所述中间掩模架间隔开距离，其中，所述第二热调节组件可操作以提供邻近所述中间掩模架中的中间掩模的气流；以及控制模块，耦合至所述温度传感器、所述第一热调节组件和所述第二热调节组件。
附图说明
[0007]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0008]图1是根据一些实施例构造的具有热控制模块的光刻系统的实施例的框图。
[0009]图2A是根据一些实施例制造的EUV掩模的示意图；图2B和图2C是根据一些实施例
的EUV掩模与光刻工艺的环境条件相互作用的示意图。
[0010]图3是根据本专利技术的一些理论在光刻环境中的分子结构和发生的相互作用的图示。
[0011]图4是根据本专利技术的一些实施方式的具有热控制模块的光刻系统的实施例的框图。
[0012]图5、图6、图7A、图8A和图9是根据本专利技术的一些方面实现热控制管理的部件的不同实施例的示意图。
[0013]图7B和图7C是可以在本专利技术的各个方面中使用的示例性设计数据的示意图示。
[0014]图8B是在本专利技术的各个方面中实现的示例性热分布的示意图示。
[0015]图10是根据本专利技术的一些方面的EUV光刻系统的实施例的示意图。
[0016]图11A、图11B、图11C和图11D是根据本专利技术的一些方面的EUV光刻系统的中间掩模微环境部分的实施例的示意图。
[0017]图12是根据本专利技术的一些方面的开发热控制计划的方法的实施例的流程图。
[0018]图13是根据本专利技术的各个方面实施包括热管理的光刻工艺的实施例的流程图。
具体实施方式
[0019]以下公开内容提供了许多用于实现不同特征的不同实施例或实例。可以在本文描述的各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。此外，下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，在本专利技术中，在另一部件上形成部件、形成连接至和/或耦接至另一部件的部件可以包括部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括可以形成介于部件之间的额外部件从而使得部件可以不直接接触的实施例。
[0020]此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。此外，在以下本专利技术中，在另一部件上形成部件、形成连接至和/或耦接至另一部件的部件可以包括部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括可以形成介于部件之间的额外部件从而使得部件可以不直接接触的实施例。此外，使用例如“下部”、“上部”、“水平”、“垂直”、“在
…
之上”、“在
…
上方”、“在
…
下方”、“在
…
之下”、“向上”、“向下”、“顶部”、“底部”等空间相对术语以及它们的衍生词(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等)以易于理解本专利技术的一个部件与另一部件的关系。空间相对术语旨在涵盖包括部件的器件的不同方位。此外，当用“约”、“大约”等描述数值或数值范围时，该术语旨在涵盖在包括数值的合理范围内的数值，诸如在数值的+/
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10％内或本领域技术人员所理解的其他值。例如，术语“约5nm”涵盖从4.5nm至5.5nm的尺寸范围。
[0021]本专利技术包括关于与EUV控制系统集成的极紫外(EUV)光刻装置和通过热管理实施用于增强性能的方法的实施例，EUV控制系统设计为监控、分析和/或控制EUV光刻装置。本专利技术也包括方法，该方法使用控制系统来监控热条件并且主动调整和控制EUV光刻装置的
各个方面，从而使得当EUV光刻装置用于集成电路(IC)制造时，在一些实施方式中改进光刻工艺。具体地，方法和EUV控制系统与用于在先进技术节点中图案化IC结构的EUV光刻装置相关。根据各个实施例，IC结构可以包括场效应晶体管(FET)、鳍式FET(FinFET)或多栅极器件，诸如全环栅(GAA)器件。
[0022]但是，虽然本专利技术提供了实现EUV光刻的示例性系统和方法，但是应该理解，利用其它波长和其它处理步骤的光刻可以受益于本专利技术的各个方面。因此，本专利技术包括其它系统(包括其它光刻系统)的热管理。
[0023]图1是根据一些实施例构造的光刻系统10的框图。光刻系统10也可以统称为扫描仪，其可操作以用相应的辐射源和曝光模式实施光刻曝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于极紫外(EUV)光刻的方法，所述方法包括：在光刻工艺期间收集与中间掩模相关的热数据；以及使用所述热数据来确定热管理动作，其中，所述热管理动作包括向热调节组件提供指令以冷却中间掩模。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：接收与所述中间掩模上的图案相关的设计数据；以及使用所述设计数据来确定所述热管理动作。3.根据权利要求1所述的方法，其中，收集热数据包括：从热电偶接收温度读数；以及从红外传感器接收温度读数。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热管理动作向第一气体喷口的所述热调节组件提供所述指令以提供气流。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述气流低于约22℃。6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述热管理动作还包括向第二气体喷口的所述热调节组件提供所述指令以提供另一气流。7.根据权利要求6所述的方法，其中，来自所述第一气体喷口的所述气流比来自所述第二气体喷口的所述气流冷至少3℃。8.根据权利要求1所述的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：王家伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：