光耦合器制造技术

一种光耦合器，例如包括：信号输入单元，包括第一金属支架和设置在其上的GaN基发光二极管芯片，GaN基发光二极管芯片作为光信号发射器且电连接第一金属支架；信号输出单元，包括第二金属支架和设置在其上的光敏器件芯片，光敏器件芯片作为光信号接收和电流转换器且电连接第二金属支架；内层封装体，覆盖GaN基发光二极管芯片和光敏器件芯片，并形成位于GaN基发光二极管芯片和光敏器件芯片之间的光传输路径；以及，外层封装体，包覆内层封装体、GaN基发光二极管芯片和光敏器件芯片、并局部包覆第一金属支架和第二金属支架以暴露出第一及第二金属支架的引脚。从而，所述光耦合器具有较佳的耐高温性。佳的耐高温性。佳的耐高温性。佳的耐高温性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：覃国恒，
申请(专利权)人：开发晶照明厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：