一种下部电极半再生生产工艺制造技术

本申请公开了一种下部电极半再生生产工艺，涉及显示技术领域。半再生生产工艺包括以下流程：将回收来的下部电极进行拆卸，并检查受损情况；将受损的绝缘层进行剥离，漏出电极层，并将剩余部分清洗、烘干；对电极背面和侧面进行遮蔽；对电极表面进行喷砂处理，增加电极表面的粗糙度；在喷砂后的电极表面涂覆一层绝缘材料，绝缘层的厚度为500

【技术实现步骤摘要】
一种下部电极半再生生产工艺


[0001]本申请涉及显示技术的领域，尤其是涉及一种下部电极半再生生产工艺。

技术介绍

[0002]下部电极是制作平板显示器件和集成电路的干法刻蚀设备中用到的一个核心部件，刻蚀工艺中的主要设备还包括反应腔和上部电极，下部电极和上部电极均位于反应腔内。常用的下部电极的结构主要包括金属基板、下电介质层、电极层、上电介质层、Emboss、氦气通道、氦气孔、lift
‑
pin孔。刻蚀过程中，待刻蚀基板置于下部电极表面，向上部电极和下部电极施加电压，由此在电极层和待刻蚀基板之间形成静电吸附力。
[0003]下部电极的制作通常采用铝合金作为金属基材，氧化铝作为电介质层和浮点材料。氧化铝的热膨胀系数差异大，在热喷涂过程中氧化铝容易因为热胀冷缩导致出现裂纹；由于喷涂原料颗粒较大，导致形成的电介质层致密性差，含有较多的孔隙，这些裂纹和孔隙会导致在电极的使用过程中易出现电介质层被击穿的现象；且随着使用时间的增加，下部电极表面性能也会不断下降，在使用一段时间后，将会引起刻蚀基板上出现颗粒物、在刻蚀基板上留下印痕、划痕等问题，不能再满足干刻过程的需求，因此下部电极的使用寿命有限，通常只能使用半年左右，之后将需要更换新的电极。但下部电极的加工工艺复杂、精度要求高，不停更换新的电极会巨大的成本负担，且会造成金属基材的资源浪费，因此亟需一种再生工艺来恢复损坏下部电极的性能和使用寿命。

技术实现思路

[0004]为了恢复损坏下部电极的性能和使用寿命，本申请提供一种下部电极半再生生产工艺。
[0005]本申请提供的一种下部电极半再生生产工艺采用如下的技术方案：一种下部电极半再生生产工艺，包括以下步骤：将回收来的下部电极进行拆卸，并检查受损情况；将受损的绝缘层进行剥离，漏出电极层，并将剩余部分清洗、烘干；对电极背面和侧面进行遮蔽，防止其在后续的喷砂和涂层工艺中受到损伤或附着绝缘涂层；对电极表面进行喷砂处理，增加电极表面的粗糙度；在喷砂后的电极表面涂覆一层绝缘材料，绝缘层的厚度为500
‑
800μm；采用封孔剂对绝缘层进行封孔处理，并进行加热固化；除去遮蔽材料，将封孔后的绝缘层表面进行研磨，使绝缘层表面平整；在绝缘层表面进行Emboss加工，形成Emboss涂层；将修复好的下部电极在60
‑
80℃下进行真空烘干，得到半再生下部电极。
[0006]通过采用上述技术方案，将受损绝缘层剥离后，重新涂覆绝缘材料，可以实现下部电极的再利用，在生产过程中，通过在电极表面进行喷砂，有利于提高电极表面的粗糙度，从而有利于绝缘涂层再电极表面的吸附性，本申请提供了一种砂料，有利于增强绝缘涂层
与电极之间的粘附性，增强下部电极的耐久性，在涂覆绝缘层后，通过封孔剂对绝缘层进行封孔处理，填充了绝缘材料之间缝隙，减小绝缘层中的气孔率，本申请提供的一种封孔剂，不仅增强了绝缘层的绝缘性，同时更有利于提高绝缘层的耐久性，延长下部电极的使用寿命；在绝缘层表面进行Emboss加工，形成Emboss涂层，有利于支撑蚀刻基板，给予背部冷却气体提供流通通道。
[0007]优选的，所述Emboss涂层的加工方法，包括以下步骤：用遮蔽材料对Emboss以外的地方进行遮蔽，防止其在后续的喷砂和涂层工艺中受到损伤或附着绝缘涂层；对电极表面进行喷砂，增加电极表面粗糙度；将Emboss定位器固定在电极表面，固定喷涂的区域和形状；在Emboss喷涂区喷覆绝缘材料；采用封孔剂对Emboss的绝缘材料进行封孔处理，并进行加热固化；除去遮蔽材料，将封孔后的Emboss表面进行研磨，使其表面平整。
[0008]通过采用上述技术方案，采用遮蔽材料对Emboss以外的地方进行遮蔽，可以防止其在后续的喷砂和涂层工艺中受到损伤或附着绝缘涂层，在电极表面进行喷砂，是为了增加电极表面的粗糙度，增强Emboss与绝缘层之间的吸附性，通过Emboss定位器，可以控制Emboss涂层的现状、大小以及涂层位置，喷涂后通过封孔剂可以填充Emboss涂层中的缝隙，减小气孔率。
[0009]优选的，所述Emboss涂层的高度为10
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180μm，宽度为5
‑
25mm。
[0010]优选的，所述喷砂的喷砂压力为0.2
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0.8kgf；喷砂后的表面粗糙度增加至3
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6μm。
[0011]优选的，所述绝缘层的材料为氧化铝陶瓷。
[0012]通过采用上述技术方案，采用氧化铝陶瓷作为绝缘材料，有利于提高下部电极绝缘层的绝缘性好耐久性。
[0013]优选的，所述封孔剂加热固化的温度为70
‑
90℃，时间为10
‑
18h。
[0014]优选的，所述喷砂用的砂料由以下重量份原料制得：石英砂5
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9份、膨润土15
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23份、纳米氧化锆92
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98份、铝氧粉18
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32份、牛脂胺4
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6份、碳酸锌1
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2份、乙醇200
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300份、水100
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200份。
[0015]通过采用上述技术方案，采用石英砂、膨润土、纳米氧化锆、铝氧粉混合作为下部电极喷砂用的砂料，不仅可以增加电极表面的粗糙度，同时有利于提高吸附性和粘结性，增强绝缘层与电极之间的粘附性；牛脂胺的加入可以防止砂料之间结块，增强各原料的分散性；碳酸锌的加入，有利于加强砂料的硬度和缓蚀能力，增强下部电极的使用寿命。
[0016]优选的，所述喷砂用的砂料的制备方法，包括以下步骤：将重量份为15
‑
23份膨润土、92
‑
98份纳米氧化锆加入200
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300份乙醇中，浸泡后于超声频率20
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25kHz、功率50
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100W下超声处理30
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40min，然后过滤、烘干、研磨，得到混合料A；将混合料A、5
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9份石英砂、18
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32份铝氧粉加入100
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200份水中，分散均匀后，在微波频率2300
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2500MHz、功率400
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500W下微波处理15
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25min，冷却后加入4
‑
6份牛脂胺、1
‑
2份碳酸锌，充分搅拌混合后研磨，并于110
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140℃下烘干，得到喷砂用砂料。
[0017]优选的，所述封孔剂由以下重量份原料制得：40
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60份双酚A环氧树脂、12
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18份聚氨酯、5
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11份固化剂、11
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17份钨酸钠、2
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6份铝氧粉、1
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3份消泡剂、3
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7份分散剂、50
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种下部电极半再生生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：将回收来的下部电极进行拆卸，并检查受损情况；将受损的绝缘层进行剥离，漏出电极层，并将剩余部分清洗、烘干；对电极背面和侧面进行遮蔽，防止其在后续的喷砂和涂层工艺中受到损伤或附着绝缘涂层；对电极表面进行喷砂处理，增加电极表面的粗糙度；在喷砂后的电极表面涂覆一层绝缘材料，绝缘层的厚度为500
‑
800μm；采用封孔剂对绝缘层进行封孔处理，并进行加热固化；除去遮蔽材料，将封孔后的绝缘层表面进行研磨，使绝缘层表面平整；在绝缘层表面进行Emboss加工，形成Emboss涂层；将修复好的下部电极在60
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80℃下进行真空烘干，得到半再生下部电极。2.根据权利要求1所述的一种下部电极半再生生产工艺，其特征在于：所述Emboss涂层的加工方法，包括以下步骤：用遮蔽材料对Emboss以外的地方进行遮蔽，防止其在后续的喷砂和涂层工艺中受到损伤或附着绝缘涂层；对电极表面进行喷砂，增加电极表面粗糙度；将Emboss定位器固定在电极表面，固定喷涂的区域和形状；在Emboss喷涂区喷覆绝缘材料；采用封孔剂对Emboss的绝缘材料进行封孔处理，并进行加热固化；除去遮蔽材料，将封孔后的Emboss表面进行研磨，使其表面平整。3.根据权利要求1或2所述的一种下部电极半再生生产工艺，其特征在于：所述Emboss涂层的高度为10
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180μm，宽度为5
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25mm。4.根据权利要求1或2所述的一种下部电极半再生生产工艺，其特征在于：所述喷砂的喷砂压力为0.2
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0.8kgf；喷砂后的表面粗糙度增加至3
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6μm。5.根据权利要求1或2所述的一种下部电极半再生生产工艺，其特征在于：所述绝缘层的材料为氧化铝陶瓷。6.根据权利要求1或2所述的一种下部电极半再生生产工艺，其特征在于：所述封孔剂加热固化的温度为70
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90℃，时间为10
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18h。7.根据权利要求1或2所述的一种下部电极半再生生产工艺，其特征在于：所述喷砂用的砂料由以下重量份原料制得：石英砂5
‑
9份、膨润土15
‑
23份、纳米氧化锆92
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98份、铝氧粉18
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32份、牛脂胺4
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6份、碳酸锌1
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2份、乙醇200
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300份、水100
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，韦孟德，朱应高，
申请(专利权)人：安徽高芯众科半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：