层叠基板的制造方法和基板处理装置制造方法及图纸

层叠基板的制造方法包括下述(A)～(D)。(A)，在第一半导体基板的表面形成包含氧化层的接合层。(B)，使所述接合层的所述氧化层与第二半导体基板接触，并藉由所述接合层将所述第一半导体基板与所述第二半导体基板进行接合。(C)，在进行所述接合之后，通过激光光线来在将所述第一半导体基板沿厚度方向进行分割的预定的第一分割预定面形成改性层。(D)，通过以形成于所述第一分割预定面的改性层为起点将所述第一半导体基板进行分割，来使藉由所述接合层而与所述第二半导体基板进行了接合的所述第一半导体基板薄化。第一半导体基板薄化。第一半导体基板薄化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠基板的制造方法和基板处理装置


[0001]本公开涉及一种层叠基板的制造方法和基板处理装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1和2中记载了SOI基板的制造方法。专利文献1中记载的制造方法包括下述阶段(a)～(f)。(a)，在第一晶圆的规定深度位置处形成填埋氧化膜层之后，在所述第一晶圆上形成氧化膜。(b)，在比所述填埋氧化膜层更深的深度位置处的所述第一晶圆形成氢填埋层。(c)，使第二晶圆接合到所述氧化膜上。(d)，去除所述氢填埋层的下部的第一晶圆，以使得所述填埋氧化膜层与所述氢填埋层之间的第一晶圆露出。(e)，将通过(d)而露出的所述第一晶圆和所述填埋氧化膜层依次去除，以使得所述填埋氧化膜层与所述氧化膜之间的第一晶圆露出。(f)，将通过(e)而露出的所述第一晶圆去除规定厚度。
[0003]在专利文献2中记载的制造方法中，准备用于形成由硅单晶构成的活性层的硅基板，并在硅基板的表面形成填埋绝缘层。然后，通过藉由填埋绝缘层注入氢离子来形成剥离用的离子注入层，通过在离子注入层与填埋绝缘层之间注入Ar离子等来形成非晶形层。然后，藉由填埋绝缘层使硅基板与支承基板贴合。之后，通过进行加热处理来在离子注入层的位置处使用智能切割法使硅基板的一部分剥离，由此形成活性层，并且通过加热处理使非晶形层多晶化来形成作为吸杂位点发挥功能的多晶硅层。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2006
‑
173568号公报
[0007]专利文献2：日本特开2009
‑
218381号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]本公开的一个方式提供一种能够提高按半导体基板、氧化层、半导体层的顺序包括半导体基板、氧化层以及半导体层的层叠基板的生产率并且提高氧化层与半导体基板之间的剥离性的技术。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]本公开的一个方式所涉及的层叠基板的制造方法包括下述(A)～(D)。(A)，在第一半导体基板的表面形成包含氧化层的接合层。(B)，使所述接合层的所述氧化层与第二半导体基板接触，并藉由所述接合层将所述第一半导体基板与所述第二半导体基板进行接合。(C)，在进行所述接合之后，通过激光光线来在将所述第一半导体基板沿厚度方向进行分割的预定的第一分割预定面形成改性层。(D)，通过以形成于所述第一分割预定面的改性层为起点将所述第一半导体基板进行分割，来使藉由所述接合层而与所述第二半导体基板进行了接合的所述第一半导体基板薄化。
[0012]专利技术的效果
[0013]根据本公开的一个方式，能够提高按半导体基板、氧化层、半导体层的顺序包括半导体基板、氧化层以及半导体层的层叠基板的生产率，并且提高氧化层与半导体基板之间的剥离性。
附图说明
[0014]图1是表示一个实施方式所涉及的层叠基板的制造方法的流程图。
[0015]图2的(A)是表示S102的一例的截面图，图2的(B)是表示S103的一例的截面图，图2的(C)是接着图2的(B)继续表示S103的一例的截面图。
[0016]图3是表示继图1之后的处理的第一例的流程图。
[0017]图4的(A)是表示S201的一例的截面图，图4的(B)是表示S202的一例的截面图，图4的(C)是表示S203的一例的截面图，图4的(D)是接着图4的(C)继续表示S203的一例的截面图，图4的(E)是表示S204的一例的截面图。
[0018]图5是表示继图1之后的处理的第二例的流程图。
[0019]图6的(A)是表示S301的一例的截面图，图6的(B)是表示S302的一例的截面图，图6的(C)是表示S303的一例的截面图，图6的(D)是接着图6的(C)继续表示S303的一例的截面图，图6的(E)是表示S304的一例的截面图。
[0020]图7是表示继图1之后的处理的第三例的流程图。
[0021]图8的(A)是表示S401的一例的截面图，图8的(B)是表示S402的一例的截面图，图8的(C)是表示S403的一例的截面图，图8的(D)是接着图8的(C)继续表示S403的一例的截面图，图8的(E)是表示S404的一例的截面图。
[0022]图9是表示继图3之后的处理的一例的流程图。
[0023]图10的(A)是表示在S501之前准备的层叠基板的一例的截面图，图10的(B)是表示S501的一例的截面图，图10的(C)是表示S502的一例的截面图。
[0024]图11的(A)是表示S503的一例的截面图，图11的(B)是表示S504的一例的截面图，图11的(C)是接着图11的(B)继续表示S504的一例的截面图。
[0025]图12是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的俯视图。
具体实施方式
[0026]下面，参照附图来对本公开的实施方式进行说明。此外，有时对各附图中的相同或对应的结构标注相同的附图标记并省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向是互相垂直的方向。X轴方向和Y轴方向为水平方向，Z轴方向为铅垂方向。
[0027]参照图1和图2来对一个实施方式所涉及的层叠基板的制造方法进行说明。如图1所示，层叠基板的制造方法例如包括步骤S101～S107。此外，层叠基板的制造方法至少包括S101～S103即可。另外，S104～S107的顺序不限定于图1的顺序，例如也可以在S107之后实施S106。
[0028]步骤S101包括在第一半导体基板10的表面形成接合层11。接合层11包括氧化层11a。氧化层11a例如是通过热氧化法形成的热氧化层。热氧化法通过使加热后的第一半导体基板10的表面暴露在氧或水蒸气中，来使氧化层11a从第一半导体基板10的表面朝向内部生长。根据热氧化法，相比于后述的CVD法等而言，能够得到更致密的氧化层11a，能够得
到绝缘性优异的氧化层11a。以能够容易地进行后述的激光剥离的方式设定氧化层11a的厚度。
[0029]第一半导体基板10例如是硅晶圆，氧化层11a例如是硅氧化层。此外，第一半导体基板10不限定于硅晶圆，也可以是化合物半导体晶圆等。另外，氧化层11a也可以通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法或ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)法等来形成。
[0030]如图2的(A)所示，步骤S102包括藉由接合层11将第一半导体基板10与第二半导体基板20进行接合。在第二半导体基板20的表面没有形成氧化层等，第二半导体基板20与接合层11的氧化层11a直接接触。第二半导体基板20例如是硅晶圆。能够得到包括第一半导体基板10、接合层11以及第二半导体基板20的层叠基板T。
[0031]在进行第一半导体基板10与第二半导体基板20的接合之前，可以通过等离子体等使第二半导体基板20的表面和接合层11的氧化层1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种层叠基板的制造方法，包括：在第一半导体基板的表面形成包含氧化层的接合层；使所述接合层的所述氧化层与第二半导体基板接触，并藉由所述接合层将所述第一半导体基板与所述第二半导体基板进行接合；在进行所述接合之后，通过激光光线来在将所述第一半导体基板沿厚度方向进行分割的预定的第一分割预定面形成改性层；以及通过以形成于所述第一分割预定面的改性层为起点将所述第一半导体基板进行分割，来使藉由所述接合层而与所述第二半导体基板进行了接合的所述第一半导体基板薄化。2.根据权利要求1所述的层叠基板的制造方法，还包括：通过激光光线来在设定于所述第一分割预定面的周缘的环状的第二分割预定面形成改性层；以及通过以形成于所述第一分割预定面和所述第二分割预定面的改性层为起点将所述第一半导体基板进行分割，来使藉由所述接合层而与所述第二半导体基板进行了接合的所述第一半导体基板薄化，并且去除所述第一半导体基板的斜面。3.根据权利要求1或2所述的层叠基板的制造方法，其中，所述接合层的所述氧化层是通过对所述第一半导体基板的表面进行热氧化而形成的热氧化层。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的层叠基板的制造方法，其中，所述第一半导体基板和所述第二半导体基板的各半导体基板是硅晶圆，所述接合层的所述氧化层是硅氧化层。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的层叠基板的制造方法，还包括：在进行了所述薄化后的所述第一半导体基板的表面形成第一器件层；在形成所述第一器件层之后，通过透过所述第二半导体基板的激光光线来在所述第二半导体基板与所述接合层的界面或者所述接合层的内部形成改性层；以及以形成于所述第二半导体基板与所述接合层的界面或者所述接合层的内部的改性层为起点，将所述第二半导体基板与所述接合层剥离。6.根据权利要求5所述的层叠基板的制造方法，其中，还包括：在形成所述第一器件层之后且在所述第二半导体基板与所述接合层的界面或者所述接合层的内部形成改性层之前，使所述第一器件层与形成于第三半导体基板的第二器件层相向并接合。7.根据权利要求6所述的层叠基板的制造方法，其中，还包括：在将所述第二半导体基板与所述接合层剥离之后，去除所述接合层。8.根据权利要求6所述的层叠基板的制造方法，其中，还包括：在将所述第二半导体基板与所述接合层剥离之后、或者形成所述第一器件层之前，在所述接合层和所述第一半导体基板形成通孔。9.根据权利要求5所述的层叠基板的制造方法，其中，还包括：在形成所述第一器件层之后且在所述第二半导体基板与所述接合层的界面或者所述接合层的内部形成改性层之前，使所述第一器件层与载体基板相向并接合。10.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下阳平，沟本康隆，田之上隼斗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：