镀锡液和镀锡方法技术

本发明专利技术涉及电子元器件技术领域，特别涉及一种镀锡液和镀锡方法。镀锡液包括亚锡盐、添加剂和水，所述添加剂包括具有式(I)所示结构的化合物。本发明专利技术的镀锡液不仅能够提高锡层平滑度和结晶致密度，同时，还不易起泡，并且不易产生沉淀，可应用于旋转电镀中，提高镀液稳定性和长期使用性。性和长期使用性。性和长期使用性。性和长期使用性。

【技术实现步骤摘要】
镀锡液和镀锡方法


[0001]本专利技术涉及电子元器件
，特别涉及一种镀锡液和镀锡方法。

技术介绍

[0002]为了提高电子元器件的可焊性，往往需要对电子元器件的电极进行镀锡。随着电子整机小型化、轻量化、薄型化的快速发展，电子元器件将朝着小型化、高可靠性、多规格方向发展。为了在较小的电子元器件的电极进行镀锡，通常采用旋转电镀的方法。
[0003]采用旋转电镀法进行镀锡时，通常将电子元器件浸没于镀锡液中，在导电环的传到下，镀锡液中的亚锡离子在电子元器件电极端发生电沉积，从而使电子元器件的电极表面形成一层锡层。
[0004]然而，在实践中，传统镀锡液在旋转电镀过程中，容易产生较丰富的泡沫，且镀液易浑浊，导致其无法持续使用。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术提供一种镀锡液和镀锡方法，以解决传统镀锡液泡沫丰富且易浑浊的问题。
[0006]本专利技术第一方面提供一种镀锡液，其技术方案如下：
[0007]一种镀锡液，包括亚锡盐、添加剂和水，所述添加剂包括具有式(I)所示结构的化合物：
[0008][0009]其中，X选自
[0010]R1、R2、R3、R4和R5各自独立地选自C1‑
10
亚烷基；
[0011]n1、n2、n3、n4和m各自独立地选自0～15之间的整数，且当X选自时，n1、n2、n3和n4不同时为0；当X选自时，n1、n2、n3、n4和m不同时为0。
[0012]在其中一些实施例中，所述式(I)化合物的重均分子量为160～3600。
[0013]在其中一些实施例中，所述式(I)化合物在所述镀锡液中的浓度为0.1g/L～25g/
L。
[0014]在其中一些实施例中，所述亚锡盐中的亚锡离子在所述镀锡液中的浓度为5g/L～30g/L。
[0015]在其中一些实施例中，所述亚锡盐选自无机酸的亚锡盐或有机酸的亚锡盐。
[0016]在其中一些实施例中，所述添加剂还包括导电剂、络合剂和抗氧化物中的一种或多种。
[0017]在其中一些实施例中，所述导电剂选自甲烷磺酸和其盐、乙烷磺酸和其盐、丙烷磺酸和其盐、2
‑
羟基乙烷
‑1‑
磺酸和其盐、2
‑
羟基丙烷
‑1‑
磺酸和其盐、1
‑
羟基丙烷
‑
2磺酸和其盐、盐酸和其盐以及硫酸和其盐中的一种或多种的组合。
[0018]在其中一些实施例中，所述络合剂选自葡萄糖酸和其盐、柠檬酸和其盐、丙二酸和其盐、丁二酸和其盐以及酒石酸和其盐中的一种或多种的组合。
[0019]在其中一些实施例中，所述抗氧化剂选自对苯二酚、邻苯二酚、间苯二酚、间苯三酚、邻苯三酚、对苯二酚、磺酸和其盐以及抗坏血酸和其盐中的一种或多种的组合。
[0020]在其中一些实施例中，所述导电剂在所述镀锡液的浓度为50g/L～300g/L。
[0021]在其中一些实施例中，所述络合剂在所述镀锡液的浓度为50g/L～250g/L。
[0022]在其中一些实施例中，所述抗氧化剂在所述镀锡液的浓度为0.1g/L～20g/L。
[0023]在其中一些实施例中，所述镀锡液的pH值为4～8。
[0024]本专利技术第二方面提供一种镀锡方法，其技术方案如下：
[0025]一种镀锡方法，包括以下步骤：
[0026]利用上述镀锡液，通过滚镀或旋转电镀于待镀件表面形成锡层。
[0027]在其中一些实施例中，所述滚镀的转速为8转每分钟～25转每分钟。
[0028]在其中一些实施例中，所述旋转电镀的旋转转速为300转每分钟～600转每分钟。
[0029]与传统方案相比，本专利技术具有以下有益效果：
[0030]为了使镀锡液性能更加完善，通常在镀锡液中加入添加剂。例如传统镀锡液中，为了提高镀锡层平滑度和结晶致密度，在镀锡液中加入表面活性剂。区别于传统镀锡液中的表面活性剂，本专利技术的镀锡液中，加入了式(I)化合物，其不仅能够提高锡层平滑度和结晶致密度，同时，还不易起泡，并且不易产生沉淀，可应用于滚镀或旋转电镀中，提高镀液稳定性和长期使用性。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案、更完整地理解本专利技术及其有益效果，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对本领域技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为实施例1的锡层的SEM图；
[0033]图2为实施例2的锡层的SEM图；
[0034]图3为实施例3的锡层的SEM图；
[0035]图4为对比例1的锡层的SEM图；
[0036]图5为对比例2的锡层的SEM图；
[0037]图6为对比例3的锡层的SEM图；
[0038]图7为对比例4的锡层的SEM图；
[0039]图8为各实施例和对比例的测试项目2的结果实况图；
[0040]图9为各实施例和对比例的测试项目3的结果实况图。
具体实施方式
[0041]以下结合具体实施例对本专利技术作进一步详细的说明。本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本专利技术公开内容理解更加透彻全面。
[0042]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。
[0043]术语
[0044]除非另外说明或存在矛盾之处，本文中使用的术语或短语具有以下含义：
[0045]本专利技术中，涉及“和/或”、“或/和”、“及/或”的选择范围包括两个或两个以上相关所列项目中任一个项目，也包括相关所列项目的任意的和所有的组合，所述任意的和所有的组合包括任意的两个相关所列项目、任意的更多个相关所列项目、或者全部相关所列项目的组合。需要说明的是，当用至少两个选自“和/或”、“或/和”、“及/或”的连词组合连接至少三个项目时，应当理解，该技术方案毫无疑问地包括均用“逻辑与”连接的技术方案，还毫无疑问地包括均用“逻辑或”连接的技术方案。比如，“A及/或B”包括A、B和A+B三种并列方案。又比如，“A，及/或，B，及/或，C，及/或，D”的技术方案，包括A、B、C、D中任一项(也即均用“逻辑或”连接的技术方案)，也包括A、B、C、D的任意的和所有的组合，也即包括A、B、C、D中任两项或任三项的组合，还包括A、B、C、D的四项组合(也即均用“逻辑与”连接的技术方案)。
[0046]本专利技术中，涉及“多个”、“多种”、“多次”、“多元”等，如无特别限定，指在数量上大于2或等于2。例如，“一种或多种”表示一种或大于等于两种。
[0047]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀锡液，其特征在于，包括亚锡盐、添加剂和水，所述添加剂包括具有式(I)所示结构的化合物：其中，X选自R1、R2、R3、R4和R5各自独立地选自C1‑
10
亚烷基；n1、n2、n3、n4和m各自独立地选自0～15之间的整数，且当X选自时，n1、n2、n3和n4不同时为0；当X选自时，n1、n2、n3、n4和m不同时为0。2.根据权利要求1所述的镀锡液，其特征在于，所述式(I)化合物的重均分子量为160～3600。3.根据权利要求1所述的镀锡液，其特征在于，所述式(I)化合物在所述镀锡液中的浓度为0.1g/L～25g/L。4.根据权利要求1至3任一项所述的镀锡液，其特征在于，所述亚锡盐中的亚锡离子在所述镀锡液中的浓度为5g/L～30g/L；和/或所述亚锡盐选自无机酸的亚锡盐或有机酸的亚锡盐。5.根据权利要求1至3任一项所述的镀锡液，其特征在于，所述添加剂还包括导电剂、络合剂和抗氧化物中的一种或多种。6.根据权利要求5所述的镀锡液，其特征在于，所述导电剂选自甲烷磺酸和其盐、乙烷磺酸和其盐、丙烷磺酸和其盐、2
‑
羟基乙烷
‑1‑
磺酸和其盐、2
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：陈成，谢丽虹，赖少媚，肖定军，洪朝辉，刘彬云，
申请(专利权)人：光华科学技术研究院广东有限公司，
类型：发明
国别省市：