一种含硒发光化合物及在电子器件中的应用制造技术

本发明专利技术涉及有机电致发光技术领域，特别涉及一种含硒发光化合物及在电子器件中的应用。本发明专利技术的含硒发光材料具有如下式I所示的结构，引入刚性共轭的二苯并硒吩单元，可以通过重原子效应降低器件的效率滚降；同时刚性共轭基团可以提升载流子的传输能力，促进主体材料和客体材料直接的能量传输。另外，通过引入联苯基、三苯基、二苯胺等大位阻基团，有效抑制发光分子间的相互作用，从而提高器件效率。本发明专利技术含硒发光材料可以用作有机电致发光器件的发光层掺杂材料，用于提升器件的发光效率和寿命。命。命。

【技术实现步骤摘要】
一种含硒发光化合物及在电子器件中的应用


[0001]本专利技术属于电致发光器件制备
，具体涉及一种含硒发光化合物及在电子器件中的应用。

技术介绍

[0002]随着多媒体技术的发展及信息化要求的提高，对面板显示器性能的要求越来越高。其中， OLED具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列的优点，在新一代显示器和照明技术中的潜在应用而引起广泛注意，应用前景十分广阔。有机电致发光器件是自发的发光器件，OLED发光的机理是在外加电场作用下，电子和空穴分别从正负两极注入后在有机材料中迁移、复合并衰减而产生发光。OLED的典型结构包括阴极层、阳极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、空穴传输层、空穴注入层和发光层中的一种或几种功能层。尽管有机电致发光的研究进展非常迅速，但仍有很多亟待解决的问题，例如高效长寿命的蓝光材料一直是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是针对现有技术不足，提供一种含硒发光化合物及在电子器件中的应用。本专利技术通过引入刚性共轭的二苯并硒吩基团，一方面利用重原子效应有效降低器件的效率滚降，另一方面刚性共轭结构具有较好的载流子传输能力，可提升主体和客体之间的能量传输性能，从而实现高效长寿命的蓝光材料。含硒发光化合物在有机发光装置中具有重要应用。
[0004]为了实现本专利技术的目的，本专利技术的技术方案如下：本专利技术提供了一种含硒发光化合物，所述发光化合物具有如下式I所示通式结构：一种含硒发光化合物，其特征在于，所述含硒发光化合物选自如下所示化学结构中的任意一种，其中“D”表示氘：
。
[0005]在另一方面，本专利技术还提供了如上式I所示通式结构的含硒发光化合物在电子器件中的应用。
[0006]进一步地，所述的电子器件包括有机光伏器件、有机电致发光器件（OLED）、有机集
成电路（O
‑
IC）、有机场效应晶体管（O
‑
FET）、有机薄膜晶体管（O
‑
TFT）、有机发光晶体管（O
‑
LET）、有机太阳能电池（O
‑
SC）、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件（O
‑
FQD）、发光电化学电池（LEC）及有机激光二极管（O
‑
laser）。
[0007]在另一方面，本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括如上式I所示通式结构的含硒发光化合物。
[0008]进一步地，所述的有机电致发光器件包括阴极、阳极和介于两者之间的至少一个有机功能层；所述有机功能层包含发光层，发光层中包含有如上式I所示通式结构的含硒发光化合物。所述含硒发光化合物的质量百分数在0.1％
‑
50％。
[0009]在另一方面，本专利技术还提供了一种有机光电器件，包括第一电极；面对第一电极的第二电极；以及设置在第一电极和第二电极之间的发光材料层，其中，发光材料层包含有如上式I所示通式结构的含硒发光化合物。例如，含硒发光化合物可以作为掺杂剂包含在发光材料层中。
[0010]本专利技术还提供了一种组合物，所述组合物包含有如上式I所示通式结构的含硒发光化合物。
[0011]本专利技术还提供了一种制剂，所述制剂包含有如上式I所示通式结构的含硒发光化合物或如上所述的组合物和至少一种溶剂。所述的溶剂没有特别限制，可以使用本领域技术人员熟知的例如甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢化萘、十氢萘、双环己烷、正丁基苯、仲丁基苯、叔丁基苯等不饱和烃溶剂、四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤化饱和烃溶剂，氯苯、二氯苯、三氯苯等卤化不饱和烃溶剂，四氢呋喃、四氢吡喃等醚溶剂，苯甲酸烷基酯等酯类溶剂。
[0012]本专利技术还提供了一种显示或照明装置，所述装置包含有如上所述有机电致发光器件中的一种或多种。
[0013]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0014]本专利技术引入刚性共轭的二苯并硒吩单元，可以通过重原子效应降低器件的效率滚降；同时刚性共轭基团可以提升载流子的传输能力，促进主体材料和客体材料直接的能量传输。另外，通过引入联苯基、三苯基、二苯胺等大位阻基团，有效抑制发光分子间的相互作用，从而提高器件效率。具体表现为用本专利技术的含硒发光化合物作为功能层，尤其作为发光层制作的有机电致发光器件其电流效率提升，同时器件的寿命有较大提升，说明大部分电子和空穴复合后，能量都有效地传递给所述的含硒发光化合物用于发光，而非发热。
具体实施方式
[0015]以下对本专利技术的内容进行详细说明。以下所记载的构成要件的说明有时是基于本专利技术的代表性实施方式或具体例而成，但本专利技术并不限定于此种实施方式或具体例。通过参考以下具体实施方式和其中包含的实施例，可以更容易地理解本公开。在公开和描述本专利技术的化合物、器件和/或方法之前，应当明白，除非另有说明，否则他们不限于具体的合成方法或者具体的试剂，因为这是可以变化的。也应当明白本专利技术中使用的术语仅是用于描述特定方面，并不旨在限制。尽管本专利技术描述的那些类似或者等价的任何方法和材料都可用于该实践或者试验，但现在描述了示例方法和材料。
[0016]本专利技术所述“C1～C24的烷基”是指有1
‑
24个碳原子的单价烷基，优选有1
‑
12个碳
原子， 更优选1
‑
6个碳原子。该术语的实例有：甲基，乙基，正丙基，异丙 基，正丁基，异丁基，正己基等。
[0017]本专利技术所述“C3～C24的环烷基”指有3
‑
24个碳原子并有一个单环或多环稠合的环形烷基，它可以任意被1
‑
3个烷基取代。这种环烷基包括，例如，单环结 构的如环丙基，环丁基，环戊基，环辛基，1
‑
甲基环丙基，和2
‑
甲基环戊基，2
‑
甲基环辛基等，或多环结构的如金刚烷基等。
[0018]本专利技术所述“C6～C30的芳基”指有6
‑
30个碳原子并具有单环(如苯基)或多环稠合(如萘基或蒽基)的未饱和芳香碳环。优选的芳基包括苯基，萘基等。除非对个别取代基另外定义，这种芳基可以任选被1
‑
3个下列取代基取代：羟基，酰基，酰氧基，烷基，烷氧基，链烯基，炔基，氨 基，氨基酰基，芳基，芳氧基，羧基，羧基酯，氨基羧基酯，氰基， 卤素，硝基，杂芳基，杂环，硫代烷氧基，三卤代甲基等。优选的取代基包括烷基，烷氧基，卤素，氰基，硝基，三卤代甲基和硫代烷氧基。但不限于此。
[0019]在说明书和所附权利要求中所用的术语单数形式“一种”、“一个”和“所述”包含复数指代，否则上下文中会另有明确指出。除非另有说明，以下试验中所涉及到的所有商业试剂购买后直接使用。
[0020]在本专利技术的一种优选实施方式中，本专利技术的OLED器件中含有空穴传输层，空穴传输材料可以优选自已知或未本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含硒发光化合物，其特征在于，所述发光化合物具有如下式I所示通式结构：，式I中，环A为六元环或五元杂环；R1、R2、R3、R4、R5各自独立地为单取代基到可能最大数目的取代基或无取代基，任何相邻取代基任选地接合或稠合成环；R1、R2、R3、R4、R5各自独立地选自H、氘、C1
‑
C24的烷基、取代或未取代的C3
‑
C24的环烷基、取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、取代或未取代的C12
‑
C30的二芳胺基、取代或非取代的C6
‑
C30的稠环芳烃基，及所组成的组。2.根据权利要求1所述的含硒发光化合物，其特征在于，式I中的环A是苯基、含S、O或Se的五元杂环。3.根据权利要求1所述的含硒发光化合物，其特征在于，式I中的R1、R3各自独立地选自H、氘、C1
‑
C14的烷基、取代或未取代的C6
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C18的芳基、取代的C6
‑
C18的稠环芳烃基，及所组成的组。4.根据权利要求1所述的含硒发光化合物，其特征在于，式I中的R2、R4各自独立地选自H、氘、C1
‑
C14的烷基、取代或未取代的C3
‑
C14的环烷基、取代或未取代的C6
‑
C18的芳基，及所组成的组。5.根据权利要求1所述的含硒发光化合物，其特征在于，式I中的R5选自叔丁基、叔丁基苯基、无取代的或由叔丁基、氘代叔丁基取代的二苯胺基,甲基取代的稠合环己基，甲基取代的苯基环戊基。6.根据权利要求1所述的含硒发光化合物，其特征在于，所述的R2选自叔丁基、苯基，甲基取代的稠合环己基...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓宇，张磊，高春吉，申屠晓波，刘运起，吴空物，孔祥贞，
申请(专利权)人：浙江华显光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：