一种带过流和短路保护逆变电路制造技术

本申请提供一种带过流和短路保护逆变电路，涉及保护逆变电路领域，包括DC输入端、分压稳压单元、处理器、驱动单元、过流短路保护单元与AC输出端，所述DC输入端与所述分压稳压单元电性连接，所述分压稳压单元与所述处理器连接，所述处理器分别与所述驱动单元、所述过流短路保护单元电性连接，所述驱动单元、所述过流短路保护单元分别与所述AC输出端电性连接，本发明专利技术可通过分压稳压单元对电流进行分压稳压处理，通过处理器与驱动单元进行电压驱动型脉宽调制，之后通过过流短路保护单元对充电的设备进行过流与短路保护，防止在充电的过程中造成过流与短路，本发明专利技术的电路安全可靠，性能优于传统逆变电路。优于传统逆变电路。优于传统逆变电路。

【技术实现步骤摘要】
一种带过流和短路保护逆变电路


[0001]本申请涉及保护逆变电路领域，具体而言，涉及一种带过流和短路保护逆变电路。

技术介绍

[0002]随着电子科技的发展，越来越多的领域使用到了开关电源，而功放、按摩椅、医疗设备、台式电脑、显示屏等，在涉及至上述智能设备进行充电时，需要考虑在充电设备上增加逆变电路过流/短路保护，现有的充电设备一般增加保险丝，效果不理想，还有部分在使用的过程中驱动电路容易烧毁MOS管，因此需要对目前的电路进行改进。

技术实现思路

[0003]本申请实施例的目的在于提供一种带过流和短路保护逆变电路，其能够解决上述
技术介绍
中的问题。
[0004]本申请实施例提供一种带过流和短路保护逆变电路，包括DC输入端、分压稳压单元、处理器、驱动单元、过流短路保护单元与AC输出端，所述DC输入端与所述分压稳压单元电性连接，所述分压稳压单元与所述处理器连接，所述处理器分别与所述驱动单元、所述过流短路保护单元电性连接，所述驱动单元、所述过流短路保护单元分别与所述AC输出端电性连接。
[0005]作为优选，所述分压稳压单元包括电阻R111、电阻R112、电阻R113、电阻R114、电阻R115、电阻R116、电阻R117、电阻R118、电阻R119、电阻R120、电阻R121、电阻R122、三极管Q11、三极管Q12、三极管Q13、三极管Q14、电容C33、电容C34、电容C41、电容C42、二极管ZD5、二极管D18，所述电阻R111的一端、所述三极管Q12的E极分别与所述DC输入端连接，所述电阻R111的另一端与所述三极管Q11的B极连接，所述电容C33的一端、所述电阻R112的一端均与所述三极管Q11的B极连接，所述电容C33的另一端、所述电阻R112的另一端、所述三极管的E极均接地，所述三极管Q11的C极通过所述电阻R113与所述三极管Q12的B极连接，所述三极管Q12的E极通过所述电阻R114与所述三极管Q12的B极连接，所述电阻R115的一端与所述三极管Q12的C极连接，所述电阻R115的另一端与所述三极管Q13的C极连接，所述三极管Q13的C极通过所述电阻R116与所述三极管Q13的B极连接，所述二极管ZD5的输入端接地，所述二极管ZD5的输出端与所述三极管Q13的B极连接，所述三极管Q13的E极与所述电阻R119的一端连接，所述电阻R119的另一端与所述三极管Q14的C极连接，所述三极管Q14的B极分别通过所述电容C34、所述电阻R117接地，所述电阻R119的另一端、所述R118的一端分别与所述处理器连接，所述R118的另一端与所述三极管Q14的B极连接，所述电阻R122的一端、所述电容C41的一端、所述电容C42的一端均与所述三极管Q14的E极连接，所述电阻R122的另一端接地，所述电容C41的另一端与所述电容C42的另一端连接，所述二极管D18的输入端接地，所述二极管D18的输出端与所述电容C41的另一端连接，所述电阻R121的一端接地，所述电阻R121的另一端与所述电阻R120的一端连接，所述电阻R120的另一端与所述电容C42的另一端连接，所述电阻R120的另一端、所述电阻R121的另一端均与所述处理器连接。
[0006]作为优选，所述驱动单元包括电阻R144、电阻R145、电阻R146、电阻R147、电阻R148、电阻R149、二极管D20、二极管D22、二极管D23、二极管D24、三极管Q16、MOS管QL6、电容C45、电容C46，所述电阻R148的一端与所述处理器连接，所述电阻R148的另一端与所述三极管Q16的B极连接，所述三极管Q16的E极接地，所述三极管Q16的B极通过所述电阻R149与所述三极管Q16的E极接地，所述三极管Q16的C极与所述二极管D23的输出端连接，所述二极管D23的输入端与所述过流短路保护单元连接，所述二极管D24的输入端分别与所述电阻R146的一端、所述电阻R147的一端连接，所述二极管D24的输出端与所述三极管Q16的C极连接，所述电阻R146的另一端分别与所述电阻R145的一端、所述电容C45的一端、所述电容C46的一端连接，所述电阻R145的另一端、所述电容C45的另一端、所述电容C46的另一端均与所述二极管D22的输入端连接，所述二极管D22的输出端与所述MOS管QL6的G极连接，所述MOS管QL6的D极与所述DC输入端连接，所述MOS管QL6的S极与所述AC输出端连接。
[0007]作为优选，所述过流短路保护单元包括电阻R141、电阻R142、电阻R143、二极管D19、二极管D21、二极管D25、二极管D26、电阻R138、电阻R139、电阻R140、电阻R132、电阻R133、电阻R134、电阻R130、电阻R135、电阻R136、电阻R137、电容C47、电容C48、三极管Q15、MOS管QL7、MOS管QL8、MOS管QL9，所述电阻R142的一端与所述处理器连接，所述电阻R142的另一端与所述电阻R143的一端连接，所述电阻R143的另一端分别与所述二极管D25的输入端、所述电阻R141的一端连接，所述电阻R139的一端、所述电阻R138的一端均与所述处理器连接，所述电阻R139的另一端与所述电阻R140的一端连接，所述电阻R138的另一端、所述电阻R132的一端均与所述分压稳压单元连接，所述电阻R132的另一端与所述二极管D23的输入端连接，所述电阻R133的一端与所述电阻R132的另一端连接，所述电阻R133的另一端与所述MOS管QL9的G极连接，所述三极管Q15的C极与所述二极管D25的输出端、所述二极管D26的输出端连接，所述三极管Q15的E极接地，所述三极管Q15的B极通过所述电阻R140与所述三极管Q15的E极连接，所述二极管D26的输入端分别与所述电阻R137的一端、所述电阻R136的一端连接，所述电阻R137的另一端与所述MOS管QL8的G极连接，所述电阻R136的另一端分别与所述电阻R135的一端、所述电容C47的一端、所述电容C48的一端、所述二极管D19的输出端连接，所述电阻R135的另一端、所述电容C47的另一端、所述电容C48的另一端均与所述二极管D21的输入端连接，所述二极管D19的输入端与所述电阻R134的一端连接，所述电阻R134的另一端与所述分压稳压单元连接，所述MOS管QL8的D极与所述DC输入端连接，所述MOS管QL8的S极与所述MOS管QL9的D极连接，所述MOS管QL8的S极、所述MOS管QL9的D极均与所述AC输出端连接，所述MOS管QL9的S极通过所述电阻R130接地。
[0008]作为优选，所述驱动单元与所述AC输出端之间、所述过流短路保护单元与AC输出端设置有共轭线圈LF7与电容C12。
[0009]作为优选，所述处理器的型号为TL494。
[0010]本专利技术的有益效果：
[0011]本专利技术提供的一种带过流和短路保护逆变电路，包括DC输入端、分压稳压单元、处理器、驱动单元、过流短路保护单元与AC输出端，所述DC输入端与所述分压稳压单元电性连接，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带过流和短路保护逆变电路，其特征在于：包括DC输入端、分压稳压单元、处理器、驱动单元、过流短路保护单元与AC输出端，所述DC输入端与所述分压稳压单元电性连接，所述分压稳压单元与所述处理器连接，所述处理器分别与所述驱动单元、所述过流短路保护单元电性连接，所述驱动单元、所述过流短路保护单元分别与所述AC输出端电性连接。2.根据权利要求1所述的一种带过流和短路保护逆变电路，其特征在于：所述分压稳压单元包括电阻R111、电阻R112、电阻R113、电阻R114、电阻R115、电阻R116、电阻R117、电阻R118、电阻R119、电阻R120、电阻R121、电阻R122、三极管Q11、三极管Q12、三极管Q13、三极管Q14、电容C33、电容C34、电容C41、电容C42、二极管ZD5、二极管D18，所述电阻R111的一端、所述三极管Q12的E极分别与所述DC输入端连接，所述电阻R111的另一端与所述三极管Q11的B极连接，所述电容C33的一端、所述电阻R112的一端均与所述三极管Q11的B极连接，所述电容C33的另一端、所述电阻R112的另一端、所述三极管的E极均接地，所述三极管Q11的C极通过所述电阻R113与所述三极管Q12的B极连接，所述三极管Q12的E极通过所述电阻R114与所述三极管Q12的B极连接，所述电阻R115的一端与所述三极管Q12的C极连接，所述电阻R115的另一端与所述三极管Q13的C极连接，所述三极管Q13的C极通过所述电阻R116与所述三极管Q13的B极连接，所述二极管ZD5的输入端接地，所述二极管ZD5的输出端与所述三极管Q13的B极连接，所述三极管Q13的E极与所述电阻R119的一端连接，所述电阻R119的另一端与所述三极管Q14的C极连接，所述三极管Q14的B极分别通过所述电容C34、所述电阻R117接地，所述电阻R119的另一端、所述R118的一端分别与所述处理器连接，所述R118的另一端与所述三极管Q14的B极连接，所述电阻R122的一端、所述电容C41的一端、所述电容C42的一端均与所述三极管Q14的E极连接，所述电阻R122的另一端接地，所述电容C41的另一端与所述电容C42的另一端连接，所述二极管D18的输入端接地，所述二极管D18的输出端与所述电容C41的另一端连接，所述电阻R121的一端接地，所述电阻R121的另一端与所述电阻R120的一端连接，所述电阻R120的另一端与所述电容C42的另一端连接，所述电阻R120的另一端、所述电阻R121的另一端均与所述处理器连接。3.根据权利要求1所述的一种带过流和短路保护逆变电路，其特征在于：所述驱动单元包括电阻R144、电阻R145、电阻R146、电阻R147、电阻R148、电阻R149、二极管D20、二极管D22、二极管D23、二极管D24、三极管Q16、MOS管QL6、电容C45、电容C46，所述电阻R148的一端与所述处理器连接，所述电阻R148的另一端与所述三极管Q16的B极连接，所述三极管Q16的E极接地，所述三极管Q16的B极通过所述电阻R149与所述三极管Q16的E极接地，所述三极管Q16的C极与所述二极管D23的输出端...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗猛，郑阳辉，郭贵元，赵素芳，
申请(专利权)人：深圳市瑞必达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：