太阳能电池及其制造方法、光伏组件技术

本公开实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件，太阳能电池的制造方法包括：提供基底，基底具有相对的正面以及背面，基底的正面具有发射极，发射极内掺杂有第一掺杂离子；将两个基底的正面正对，采用单槽双插工艺，同时在两个基底的背面形成半导体层，且在基底的正面形成绕镀层；在形成半导体层之后，在正面形成掩膜层，且掩膜层覆盖绕镀层表面；进行掺杂处理，掺杂处理用于向半导体层中掺杂第二掺杂离子，以形成导电掺杂层，第一掺杂离子与第二掺杂离子不同；去除掩膜层以及绕镀层。至少可以在提高太阳能电池制造的效率的同时，保证制造出的太阳能电池的性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制造方法、光伏组件


[0001]本公开实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件。

技术介绍

[0002]隧穿氧化钝化接触(TOPCon，Tunnel Oxide Passivated Contact)电池依靠“隧穿效应”实现后表面钝化，因其优异的高效性及兼容性，越来越受市场的关注，成为N型高效电池产业化的切入点。
[0003]现有的TOPCon电池后表面结构从内向外依次为半导体衬底、隧穿层、掺杂导电层以及后表面钝化层。TOPCon电池正表面通过硼扩散形成硼硅玻璃(BSG，Boron Silicon Glass)，作为电池正面的发射极。
[0004]然而，目前太阳能电池的制造方法还存在无法兼顾生产效率与产品性能的问题。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件，至少有利于在提高太阳能电池制造的效率的同时，保证制造出的太阳能电池的性能。
[0006]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种太阳能电池的制造方法，包括：提供基底，所述基底具有相对的正面以及背面，所述基底的所述正面具有发射极，所述发射极内掺杂有第一掺杂离子；将两个所述基底的所述正面正对，采用单槽双插工艺，同时在两个所述基底的所述背面形成半导体层，且在所述基底的正面形成绕镀层；在形成所述半导体层之后，在所述正面形成掩膜层，且所述掩膜层覆盖所述绕镀层表面；进行掺杂处理，所述掺杂处理用于向所述半导体层中掺杂第二掺杂离子，以形成导电掺杂层，所述第一掺杂离子与所述第二掺杂离子不同；去除所述掩膜层以及所述绕镀层。
[0007]在一些实施例中，所述掺杂处理的工艺为热扩散工艺，所述掺杂处理的工艺温度为800℃
‑
1000℃。
[0008]在一些实施例中，所述掺杂处理包括，向所述半导体层表面通入掺杂源气体，所述掺杂源气体中包括所述第二掺杂离子，所述掺杂源气体的流量为900sccm
‑
3000sccm。
[0009]在一些实施例中，采用低压化学气相沉积法形成所述半导体层。
[0010]在一些实施例中，所述掺杂处理包括：将两个所述基底的所述掩膜层正对，采用单槽双插工艺，同时在两个所述基底背面的所述半导体层中掺杂所述第二掺杂离子，以形成所述导电掺杂层。
[0011]在一些实施例中，所述掺杂处理在所述基底正面的部分区域中形成绕扩区，所述绕扩区中具有所述第二掺杂离子，所述绕扩区位于所述掩膜层和/或所述绕镀层中。
[0012]在一些实施例中，所述绕镀层还位于所述基底的侧面。
[0013]在一些实施例中，去除所述掩膜层以及所述绕镀层包括：将所述基底的正面浸入第一清洗液中，以去除至少部分所述掩膜层以及至少部分所述绕镀层，去除的所述绕镀层至少位于所述基底的侧面；将所述基底的正面浸入第二清洗液中，以去除所述掩膜层以及
所述绕镀层。
[0014]在一些实施例中，所述第一清洗液为酸性清洗液；所述第二清洗液为碱性清洗液。
[0015]在一些实施例中，形成的所述掩膜层的材料包括硅、氮化硅以及氧化硅中的一种或多种。
[0016]在一些实施例中，形成的所述掩膜层的厚度为40nm
‑
70nm。
[0017]在一些实施例中，在所述基底背面形成所述半导体层前，还包括：对所述基底的背面进行抛光处理。
[0018]在一些实施例中，在所述正面形成所述掩膜层包括：将两个所述基底的所述背面正对，使用单槽双插工艺，同时在两个所述基底的所述正面形成所述掩膜层。
[0019]根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种太阳能电池，通过上述实施例所述的太阳能电池的制造方法制得，包括：基底，所述基底具有相对的正面以及背面，所述基底的所述正面具有发射极，所述发射极内掺杂有第一掺杂离子；导电掺杂层，所述导电掺杂层位于所述基底的所述背面。
[0020]根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种光伏组件，包括：电池串，由上述实施例所述的太阳能电池连接而成；封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。
[0021]本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
[0022]本公开实施例提供的太阳能电池的制造方法中，首先提供具有相对的正面以及背面的基底，基底的正面具有发射极，发射极内掺杂有第一掺杂离子；将两个基底正面正对，采用单槽双插工艺同时在两基底背面形成半导体层，且会在正面形成绕镀层；在正面形成掩膜层，掩膜层覆盖绕镀层表面；进行掺杂处理，向半导体层内掺杂第二掺杂离子，以形成导电掺杂层，第一掺杂离子与第二掺杂离子不同；去除掩膜层以及绕镀层。首先，使用单槽双插工艺同时在两基底背面形成半导体层可以提高太阳能电池制造工艺的产能，使得太阳能电池的生产效率大大提高；其次，若发射极中掺杂进第二掺杂离子，发射极与去绕镀的刻蚀环境的反应速率会得到极大的提高，很容易在去绕镀过程中对发射极产生过刻蚀而对基底造成破坏，本公开形成的掩膜层可以覆盖绕镀层的表面以及发射极的表面，在对半导体层进行掺杂处理时，绕扩的第二掺杂离子会掺杂进掩膜层中，而不会掺杂进发射极内，能够避免在去绕镀的过程中产生过刻蚀，避免基底被破坏，从而能够避免制造出的太阳能电池的性能受到影响；另外，先在基底背面形成半导体层，后在基底正面形成掩膜层，可以提高基底背面形成的半导体层的质量，避免基底背面在形成半导体层之前出现氧化或污染，也能够避免出现在基底正面形成掩膜层时，掩膜层绕镀到基底背面使得基底背面被污染而影响半导体层的质量的情况，从而能够进一步提高制造出的太阳能电池的性能。
附图说明
[0023]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本公开实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本公开提供的太阳能电池的制造方法中提供基底步骤对应的结构示意图；
[0025]图2为本公开提供的太阳能电池的制造方法中对基底正面进行制绒步骤对应的结构示意图；
[0026]图3为本公开提供的太阳能电池的制造方法中对基底背面进行抛光处理步骤对应的结构示意图；
[0027]图4为本公开提供的太阳能电池的制造方法中形成半导体层步骤对应的一种结构示意图；
[0028]图5为本公开提供的太阳能电池的制造方法中形成半导体层步骤对应的另一种结构示意图；
[0029]图6为本公开提供的太阳能电池的制造方法中形成半导体层步骤对应的又一种示意图；
[0030]图7为本公开提供的太阳能电池的制造方法中形成掩膜层步骤对应的结构示意图；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有相对的正面以及背面，所述基底的所述正面具有发射极，所述发射极内掺杂有第一掺杂离子；将两个所述基底的所述正面正对，采用单槽双插工艺，同时在两个所述基底的所述背面形成半导体层，且在所述基底的正面形成绕镀层；在形成所述半导体层之后，在所述正面形成掩膜层，且所述掩膜层覆盖所述绕镀层表面；进行掺杂处理，所述掺杂处理用于向所述半导体层中掺杂第二掺杂离子，以形成导电掺杂层，所述第一掺杂离子与所述第二掺杂离子不同；去除所述掩膜层以及所述绕镀层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述掺杂处理的工艺为热扩散工艺，所述掺杂处理的工艺温度为800℃
‑
1000℃。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述掺杂处理包括，向所述半导体层表面通入掺杂源气体，所述掺杂源气体中包括所述第二掺杂离子，所述掺杂源气体的流量为900sccm
‑
3000sccm。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用低压化学气相沉积法形成所述半导体层。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述掺杂处理包括：将两个所述基底的所述掩膜层正对，采用单槽双插工艺，同时在两个所述基底背面的所述半导体层中掺杂所述第二掺杂离子，以形成所述导电掺杂层。6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述掺杂处理在所述基底正面的部分区域中形成绕扩区，所述绕扩区中具有所述第二掺杂离子，所述绕扩区位于所述掩膜层和/或所述绕镀层中。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述绕镀层还位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：林全键，
申请(专利权)人：晶科能源上饶有限公司，
类型：发明
国别省市：