一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及晶体生长设备技术领域，具体涉及一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置，包括捕捉器主体和升降机构；捕捉器主体设置在晶体炉内，且设置在坩埚上方；升降机构安装在晶体炉上，与捕捉器主体连接；升降机构用于通过控制捕捉器主体的升降，来控制捕捉器主体对原料熔体表面漂浮物的捕捉。本实用新型专利技术通过升降机构以及设置在晶体炉内，并与升降连接的捕捉器主体的设置，对漂浮在坩埚内原料熔体表面的漂浮物进行捕捉；通过对原料熔体表面漂浮物的捕捉，消除了漂浮物对晶体生长过程尤其是引晶阶段的不利影响；通过捕捉器的结构设计，最大限度保护籽晶在生长前期表面不被炉内挥发物污染，提高引晶部位质量，有利于提高晶体生长后的质量。体生长后的质量。体生长后的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置


[0001]本技术涉及晶体生长设备
，具体涉及一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置。

技术介绍

[0002]晶体炉在工作过程中，内部温度较高。在晶体生长过程中，原料会蒸发。一般的，晶体炉内坩埚上方会设置有盖板等保温材料，保温材料会挥发。原料中的杂质或者由于保温材料挥发产生的杂质，会漂浮在原料熔体的表面产生漂浮物，并附着在籽晶表面污染籽晶表面，或者直接附着在籽晶表面，影响晶体生长后晶体的质量。
[0003]此外，除了上述原因外，晶体在晶体炉内生长的过程中，反应气氛或者原料的配比误差，也会产生多余的杂质，造成原料熔体表面漂浮物增多，影响晶体生长后晶体的质量。
[0004]原料熔体表面的漂浮物增多会极大增加引晶的难度。即使通过籽晶旋转下杵处理漂浮物成功之后，漂浮物很大概率会再次凝聚出现在熔体表面。而不去处理并任由漂浮物粘结在籽晶或者刚生长出来的晶体上，会使晶体质量受到很大负面影响，例如气泡、位错、多晶等。籽晶表面不洁净会使引晶部分位错增加，引晶部位易开裂。严重时接触液面会出现漂浮物，甚至籽晶内部熔化，而籽晶表面因为附着的漂浮物导致熔点升高，籽晶表面不熔化等情况，使得引晶人员对当前温度判断错误，引晶工作难以进行。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的问题，本技术的目的在于提供一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置，以解决现有技术中坩埚内原料在熔体表面形成漂浮物、炉内挥发物粘结在籽晶表面，影响晶体生长的问题。
[0006]一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置，包括捕捉器主体和升降机构；
[0007]所述捕捉器主体设置在晶体炉内，且设置在坩埚上方；所述升降机构安装在晶体炉上，与所述捕捉器主体连接；
[0008]所述升降机构用于通过控制捕捉器主体的升降，来控制捕捉器主体对原料熔体表面漂浮物的捕捉。
[0009]进一步，还包括挡板；所述捕捉器主体中部设置有用于籽晶穿过的开孔；所述挡板与所述升降机构连接，且设置在所述捕捉器主体底部，用于打开或者封闭所述开孔。
[0010]进一步，所述捕捉器主体外侧开有捕捉槽，所述捕捉槽中部设置有捕捉孔。
[0011]进一步，所述捕捉槽中部向远离所述开孔一侧倾斜；所述捕捉器主体开孔处向上延伸有籽晶保护罩；所述捕捉器主体为石墨制成。
[0012]进一步，所述升降机构包括固定安装在晶体炉顶面的安装板，所述安装板上设置有驱动电机，所述驱动电机通过蜗轮蜗杆驱动竖向设置的传动螺杆转动，所述传动螺杆顶部螺纹连接有升降平台，所述升降平台上设置有与所述捕捉器主体连接的第一传动杆组件，以及与所述挡板连接的第二传动杆组件。
[0013]进一步，所述第二传动杆组件包括顶部设置有旋钮，且与所述升降平台通过轴承连接的第三传动杆；与所述第三传动杆螺纹连接，且设置在所述晶体炉内的第四传动杆；所述第四传动杆底部穿过所述捕捉器主体，并与所述挡板固定连接。
[0014]进一步，所述第一传动杆组件包括与所述升降平台螺纹连接的第一传动杆；与所述第一传动杆底端螺纹连接，且设置在晶体炉内的第二传动杆；所述第二传动杆与所述捕捉器主体螺纹连接。
[0015]进一步，所述第二传动杆为石墨杆；所述第四传动杆为石墨杆。
[0016]进一步，所述升降机构还包括与所述驱动电机电连接的控制器。
[0017]进一步，所述升降平台一端固定连接有水平设置的传动杆，传动杆上固定连接有竖向设置的标尺。
[0018]有益效果：本技术通过升降机构以及设置在晶体炉内，并与升降机构连接的捕捉器主体的设置，对漂浮在坩埚内原料熔体表面的漂浮物进行捕捉；通过对原料熔体表面漂浮物的捕捉，消除了晶体生长前期漂浮物对晶体生长的不利影响。通过可开合保护罩的结构设计，基本消除了籽晶在引晶前被挥发物污染的可能性，有利于提高引晶阶段的质量，从而为整个晶体生长的良好质量打下基础。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本技术实施例的现有技术对照图；
[0021]图2为本技术实施例的安装示意图；
[0022]图3为2中捕捉器的剖视图。
[0023]附图标记说明：
[0024]101、炉壁；102、保温层；103、加热器；104、坩埚；105、坩埚轴；106、拉杆；107、籽晶；108、观察窗口；
[0025]2、捕捉器主体；201、捕捉槽；202、捕捉孔；
[0026]3、挡板；
[0027]401、安装板；402、驱动电机；403、传动螺杆；404、升降平台；405、第一传动杆组件；4051、第一传动杆；4052、第二传动杆；406、第二传动杆组件；4061、旋钮；4062、第三传动杆；4063、第四传动杆；
[0028]501、连接杆；502、标尺。
具体实施方式
[0029]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0031]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0032]此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0033]如图1所示的现有技术中的晶体炉，包括炉壁101，炉壁101顶部和底部分别设置有开口；炉壁101上侧开口处设置有竖向设置的拉杆106，拉杆106底部设置有籽晶107；炉壁101下侧开口处设置有竖向设置的坩埚轴105，坩埚轴105顶部固定安装有坩埚104，坩埚104位置正对籽晶107；坩埚104两侧设置有加热器103，加热本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置，其特征在于，包括捕捉器主体和升降机构；所述捕捉器主体设置在晶体炉内，且设置在坩埚上方；所述升降机构安装在晶体炉上，与所述捕捉器主体连接；所述升降机构用于通过控制捕捉器主体的升降，来控制捕捉器主体对原料熔体表面漂浮物的捕捉。2.根据权利要求1所述的一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置，其特征在于，还包括挡板；所述捕捉器主体中部设置有用于籽晶穿过的开孔；所述挡板与所述升降机构连接，且设置在所述捕捉器主体底部，用于打开或者封闭所述开孔。3.根据权利要求2所述的一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置，其特征在于，所述捕捉器主体外侧开有捕捉槽，所述捕捉槽中部设置有捕捉孔。4.根据权利要求3所述的一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置，其特征在于，所述捕捉槽中部向远离所述开孔一侧倾斜；所述捕捉器主体开孔处向上延伸有籽晶保护罩；所述捕捉器主体为石墨制成。5.根据权利要求2所述的一种晶体生长漂浮物捕捉和籽晶保护装置，其特征在于，所述升降机构包括固定安装在晶体炉顶面的安装板，所述安装板上设置有驱动电机，所述驱动电机通过蜗轮蜗杆驱动竖向设置的传动螺杆转动，所述传动螺杆顶部螺纹连接有升降...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘景峰，
申请(专利权)人：北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：