电源芯片负载动态响应测试电路制造技术

本申请涉及电源测试领域，具体涉及一种电源芯片负载动态响应测试电路。电源芯片负载动态响应测试电路包括：驱动电路、选通电路、第一阶跃电流产生电路和第二阶跃电流产生电路；第一阶跃电流产生电路和第二阶跃电流产生电路通过选通电路连接驱动电路，驱动电路通过选通电路选择驱动第一阶跃电流产生电路或第二阶跃电流产生电路；第一阶跃电流产生电路包括NMOS管U2、连接NMOS管U2栅极的第一容阻网络和连接NMOS管U2漏极的第一阶跃电流调整回路；第二阶跃电流产生电路包括PMOS管U3、连接PMOS管U3栅极的第二容阻网络和连接PMOS管U3漏极的第二阶跃电流调整回路。该电源芯片负载动态响应测试电路能够使得阶跃电流的瞬态爬坡速满足要求。足要求。足要求。

【技术实现步骤摘要】
电源芯片负载动态响应测试电路


[0001]本申请涉及电源测试领域，具体涉及一种电源芯片负载动态响应测试电路。

技术介绍

[0002]负载动态响应是电源芯片重要的性能参数之一，一个性能好的电源芯片需要即使在负载电流发生瞬变时，输出电压也能维持在一个特定容差范围内，以确保整个电路的正常稳定的工作。
[0003]目前负载动态响应测试的方法常用的是电子负载或专用的负载动态响应测试板。在某些应用场景下，比如应用于数据存储、大算力AI芯片等场景的电源芯片，对负载动态响应的性能要求特别严苛，在评估这类电源芯片的负载动态响应性能时，要求模拟负载的阶跃电流的瞬态电流爬坡速度达到每微秒几个安培，甚至超过十个安培，目前市场上的电子负载无法达到这种性能要求，针对这种情况，一般由电源芯片厂商提供专门的测试治具。然而这类治具价格昂贵、通用性差，只能支持正电压输出的电源芯片，并且在负载电流过载时，测试治具易出现过温，如果不及时断电，测试治具会出现损坏的情况。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种电源芯片负载动态响应测试电路，该电源芯片负载动态响应测试电路能够使得阶跃电流的瞬态爬坡速满足要求。
[0005]为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种电源芯片负载动态响应测试电路，所述电源芯片负载动态响应测试电路包括：驱动电路、选通电路、第一阶跃电流产生电路和第二阶跃电流产生电路；
[0006]所述第一阶跃电流产生电路和所述第二阶跃电流产生电路通过所述选通电路连接所述驱动电路，所述驱动电路通过所述选通电路选择驱动所述第一阶跃电流产生电路或所述第二阶跃电流产生电路；
[0007]所述第一阶跃电流产生电路包括NMOS管U2、连接NMOS管U2栅极的第一容阻网络和连接NMOS管U2漏极的第一阶跃电流调整回路；
[0008]所述第二阶跃电流产生电路包括PMOS管U3、连接PMOS管U3栅极的第二容阻网络和连接PMOS管U3漏极的第二阶跃电流调整回路。
[0009]可选地，所述驱动电路包括：驱动电源产生电路和驱动电源调节电路；
[0010]所述驱动电源调节电路包括第一可调电阻R1和第四可调电阻R4，所述第一可调电阻R1的输出端和所述第四可调电阻R4的输出端相连并连接所述选通电路；
[0011]所述第一可调电阻R1的输入端连接所述驱动电源产生电路的正极输出端；
[0012]所述第四可调电阻R4的输入端连接所述驱动电源产生电路的负极输出端。
[0013]可选地，所述选通电路包括第一开关J1和第二开关J2；
[0014]所述第一开关J1的一端和所述第二开关J2的一端相连连接所述驱动电路；
[0015]所述第一开关J1的另一端连接所述第一阶跃电流产生电路；
[0016]所述第二开关J2的另一端连接所述第二阶跃电流产生电路。
[0017]可选地，所述第一阶跃电流调整回路包括：第二可调电阻R2和第三可调电阻R3；
[0018]所述第二可调电阻R2的一端连接所述NMOS管U2的漏极，另一端与所述第三可调电阻R3的一端相连，所述第三可调电阻R3的另一端接地；
[0019]所述第二可调电阻R2与所述第三可调电阻R3的相连端为所述电源芯片负载动态响应测试电路的第一输出端。
[0020]可选地，所述第二阶跃电流调整回路包括：第九可调电阻R9和第十可调电阻R10；
[0021]所述第九可调电阻R9的一端连接所述PMOS管U3的漏极，另一端与所述第十可调电阻R10的一端相连，所述第十可调电阻R10的另一端接地；
[0022]所述第九可调电阻R9与所述第十可调电阻R10的相连端为所述电源芯片负载动态响应测试电路的第二输出端。
[0023]可选地，所述第一容阻网络包括：第五电阻R5和第四电容C4；所述第五电阻R5的一端和所述第四电容C4的一端相连并连接所述NMOS管U2的栅极，所述第五电阻R5的另一端和所述第四电容C4的另一端均接地。
[0024]可选地，所述第二容阻网络包括：第八电阻R8和第二电容C2；所述第八电阻R8的一端和第二电容C2的一端相连并连接所述PMOS管的栅极，所述第八电阻R8的另一端和第二电容C2的另一端均接地。
[0025]可选地，所述电源芯片负载动态响应测试电路还包括温度检测电路，所述温度检测电路包括第一温度检测电路和第二温度检测电路；
[0026]所述第一温度检测电路包括第六电阻R6、第七热敏电阻R7和第五电容C5，所述第七热敏电阻R7与所述NMOS管U2接触，所述第七热敏电阻R7的一端接地，所述第七热敏电阻R7的另一端与所述第六电阻R6的一端相连并连接所述第五电容C5的一端，所述第五电容C5的另一端连接地，所述第六电阻R6另一端连接到电源；所述第七热敏电阻R7与所述第六电阻R6、所述第五电容C5相连的一端为第一温度采样输出端；
[0027]所述第二温度检测电路包括第十一热敏电阻R11、第十二电阻R12和第六电容C6，所述第十一热敏电阻R11与所述PMOS管U3接触，所述第十一热敏电阻R11的一端接地，所述第十一热敏电阻R11的另一端与所述第十二电阻R12的一端相连并连接所述第六电容C6的一端，所述第六电容C6的另一端连接地，所述第十二电阻R12另一端连接到电源；所述第十一热敏电阻R11与所述第十二电阻R12、所述第六电容C6相连的一端为第二温度采样输出端。
[0028]本申请技术方案，至少包括如下优点：本申请能够通过该电源芯片负载动态响应测试电路能够实现对正、负电压输出电源芯片的负载动态进行响应测试，且能够控制用于进行测试的阶跃电流的瞬态爬坡速度，使得该阶跃电流的瞬态爬坡速满足要求。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1示出了本申请一实施例提供的电源芯片负载动态响应测试电路示意图；
[0031]图2示出了一实施例提供的温度检测电路示意图。
具体实施方式
[0032]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0033]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源芯片负载动态响应测试电路，其特征在于，所述电源芯片负载动态响应测试电路包括：驱动电路、选通电路、第一阶跃电流产生电路和第二阶跃电流产生电路；所述第一阶跃电流产生电路和所述第二阶跃电流产生电路通过所述选通电路连接所述驱动电路，所述驱动电路通过所述选通电路选择驱动所述第一阶跃电流产生电路或所述第二阶跃电流产生电路；所述第一阶跃电流产生电路包括NMOS管U2、连接NMOS管U2栅极的第一容阻网络和连接NMOS管U2漏极的第一阶跃电流调整回路；所述第二阶跃电流产生电路包括PMOS管U3、连接PMOS管U3栅极的第二容阻网络和连接PMOS管U3漏极的第二阶跃电流调整回路。2.如权利要求1所述的电源芯片负载动态响应测试电路，其特征在于，所述驱动电路包括：驱动电源产生电路和驱动电源调节电路；所述驱动电源调节电路包括第一可调电阻R1和第四可调电阻R4，所述第一可调电阻R1的输出端和所述第四可调电阻R4的输出端相连并连接所述选通电路；所述第一可调电阻R1的输入端连接所述驱动电源产生电路的正极输出端；所述第四可调电阻R4的输入端连接所述驱动电源产生电路的负极输出端。3.如权利要求1所述的电源芯片负载动态响应测试电路，其特征在于，所述选通电路包括第一开关J1和第二开关J2；所述第一开关J1的一端和所述第二开关J2的一端相连连接所述驱动电路；所述第一开关J1的另一端连接所述第一阶跃电流产生电路；所述第二开关J2的另一端连接所述第二阶跃电流产生电路。4.如权利要求1所述的电源芯片负载动态响应测试电路，其特征在于，所述第一阶跃电流调整回路包括：第二可调电阻R2和第三可调电阻R3；所述第二可调电阻R2的一端连接所述NMOS管U2的漏极，另一端与所述第三可调电阻R3的一端相连，所述第三可调电阻R3的另一端接地；所述第二可调电阻R2与所述第三可调电阻R3的相连端为所述电源芯片负载动态响应测试电路的第一输出端。5.如权利要求1所述的电源芯片负载动态响应测试电路，其特征在于，所述第二阶跃电流调整回路包括：第九可调电阻R9和第十可调电阻R10...

【专利技术属性】
技术研发人员：范瑞玉，
申请(专利权)人：无锡前诺德半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：