缺陷检测方法、设备及存储介质技术

本公开提供一种缺陷检测方法、设备及存储介质。缺陷检测方法执行至少一个预设功能层检测步骤，预设功能层检测步骤包括：于晶圆上形成预设功能层；对预设功能层进行电性测试，得到预设功能层的电性参数；根据预设功能层的电性参数，确定预设功能层对应的加工工艺是否存在缺陷。通过电性测试得到晶圆的电性参数，能够确定出预设功能层对应的加工工艺是否存在缺陷，降低了缺陷检测的复杂性。同时，由于在一个预设功能层形成后，进行电性测试确定对应的加工工艺是否存在缺陷，能够追溯到存在缺陷的加工工艺从而提高了缺陷检测的效率。并且，由于无需制成完整的流片即可检测出加工工艺是否存在缺陷，降低了缺陷检测所需的时间。降低了缺陷检测所需的时间。降低了缺陷检测所需的时间。

【技术实现步骤摘要】
缺陷检测方法、设备及存储介质


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种缺陷检测方法、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]目前，随着半导体产品制程工艺的发展，电路的致密性越来越高，半导体产品的生产工艺存在缺陷的可能性逐渐增加。但是，当前确定生产工艺是否存在缺陷时，需要专用的机台进行检测，检测的过程复杂，而且成本较高。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供一种缺陷检测方法、设备及存储介质。
[0005]根据本公开实施例的第一方面，提供一种缺陷检测方法，所述缺陷检测方法执行至少一个预设功能层检测步骤，所述预设功能层检测步骤包括：
[0006]于晶圆上形成预设功能层；
[0007]对所述预设功能层进行电性测试，得到所述预设功能层的电性参数；
[0008]根据所述预设功能层的电性参数，确定所述预设功能层对应的加工工艺是否存在缺陷。
[0009]根据本公开的一些实施例，所述电性参数包括所述预设功能层的测试阻值；所述根据所述预设功能层的电性参数，确定所述预设功能层对应的加工工艺是否存在缺陷，包括：
[0010]确定所述预设功能层对应的版图信息；
[0011]根据所述版图信息及所述预设功能层的结构信息，确定参考阻值；
[0012]若所述测试阻值与所述参考阻值相匹配，则确定所述预设功能层对应的加工工艺不存在缺陷；
[0013]若所述测试阻值与所述参考阻值不匹配，则确定所述预设功能层对应的加工工艺存在缺陷。
[0014]根据本公开的一些实施例，所述缺陷检测方法包括执行多个所述预设功能层检测步骤，各所述预设功能层检测步骤分别用于对不同的所述预设功能层对应的加工工艺进行缺陷检测；
[0015]其中，多个所述预设功能层包括：
[0016]多个第一预设功能层，各所述第一预设功能层由前道工序制成；和/或，
[0017]多个第二预设功能层，各所述第二预设功能层由中间工序制成；和/或，
[0018]多个第三预设功能层，各所述第三预设功能层由电容制作工序制成；和/或，
[0019]多个第四预设功能层，各所述第四预设功能层由后道工序制成。
[0020]根据本公开的一些实施例，所述前道工序制成的各所述第一预设功能层共用一个
所述晶圆；和/或，
[0021]所述中间工序制成的各所述第二预设功能层共用一个所述晶圆；和/或，
[0022]所述电容制作工序制成的各所述第三预设功能层共用一个所述晶圆；和/或，
[0023]所述后道工序制成的各所述第四预设功能层共用一个所述晶圆。
[0024]根据本公开的一些实施例，在执行至少一个预设功能层检测步骤之前，预先确定存在缺陷的加工工艺，对与所述加工工艺对应的预设功能层执行所述预设功能层检测步骤；或，按照前道工序、中间工序、电容制作工序和后道工序的顺序，对各工序中的各预设功能层按顺序依次执行所述预设功能层检测步骤。
[0025]根据本公开的一些实施例，在所述于晶圆上形成预设功能层之前，所述缺陷检测方法还包括：
[0026]生成测试光罩信息，所述测试光罩信息包括与各所述预设功能层对应的光罩图案信息；
[0027]基于所述测试光罩信息，得到测试光罩；
[0028]其中，所述测试光罩包括多个光罩区域，每个所述光罩区域对应一个所述预设功能层。
[0029]根据本公开的一些实施例，所述于晶圆上形成预设功能层，包括：
[0030]确定所需检测的预设功能层；
[0031]确定与所述预设功能层对应的光罩区域；
[0032]根据确定的所述光罩区域，在所述晶圆上形成所述预设功能层。
[0033]根据本公开的一些实施例，所述测试光罩信息包括阵列排布的光罩单元，每个所述光罩单元均包括各所述预设功能层对应的光罩图案信息，不同的所述光罩单元中的光罩图案信息的形状对应相同，关键尺寸不同。
[0034]本公开的第二方面提供一种缺陷检测设备，所述缺陷检测设备包括：
[0035]处理器；
[0036]用于存储处理器可执行指令的存储器；
[0037]其中，所述处理器被配置为执行如上所述的缺陷检测方法。
[0038]根据本公开实施例的第三方面，提供一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由缺陷检测设备的处理器执行时，使得缺陷检测设备能够执行如上所述的缺陷检测方法。
[0039]本公开实施例所提供的缺陷检测方法、设备及存储介质中，执行至少一个预设功能层检测步骤，确定至少一个预设功能层对应的加工工艺是否存在缺陷。在预设功能层检测步骤中，通过加工工艺，于晶圆上形成预设功能层。由于加工工艺中的缺陷会使晶圆中混入微小的颗粒影响电性参数，对预设功能层进行电性测试，得到预设功能层的电性参数。根据预设功能层的电性参数，判断电性参数是否受颗粒的影响而发生变化，确定预设功能层对应的加工工艺是否存在缺陷。通过电性测试得到晶圆的电性参数，能够确定出预设功能层对应的加工工艺是否存在缺陷，降低了缺陷检测的复杂性。同时，由于在一个预设功能层形成后，进行电性测试确定对应的加工工艺是否存在缺陷，能够快速追溯到存在缺陷的加工工艺从而提高了缺陷检测的效率。并且，由于无需制成完整的流片即可检测出加工工艺是否存在缺陷，降低了缺陷检测所需的时间。
[0040]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0041]并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
[0042]图1是一种存在缺陷的半导体产品的示意图；
[0043]图2是根据一示例性实施例示出的一种缺陷检测方法的流程图；
[0044]图3是根据另一示例性实施例示出的一种缺陷检测方法的流程图；
[0045]图4是根据另一示例性实施例示出的一种缺陷检测方法的流程图；
[0046]图5是根据一示例性实施例示出的一种光罩单元的示意图；
[0047]图6是根据一示例性实施例示出的一种版图信息的示意图；
[0048]图7是根据另一示例性实施例示出的一种缺陷检测方法的流程图；
[0049]图8是根据一示例性实施例示出的一种光罩单元的示意图；
[0050]图9是根据另一示例性实施例示出的一种缺陷检测方法的流程图；
[0051]图10是根据一示例性实施例示出的一种缺陷检测设备的框图。
具体实施方式
[0052]为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷检测方法执行至少一个预设功能层检测步骤，所述预设功能层检测步骤包括：于晶圆上形成预设功能层；对所述预设功能层进行电性测试，得到所述预设功能层的电性参数；根据所述预设功能层的电性参数，确定所述预设功能层对应的加工工艺是否存在缺陷。2.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述电性参数包括所述预设功能层的测试阻值；所述根据所述预设功能层的电性参数，确定所述预设功能层对应的加工工艺是否存在缺陷，包括：确定所述预设功能层对应的版图信息；根据所述版图信息及所述预设功能层的结构信息，确定参考阻值；若所述测试阻值与所述参考阻值相匹配，则确定所述预设功能层对应的加工工艺不存在缺陷；若所述测试阻值与所述参考阻值不匹配，则确定所述预设功能层对应的加工工艺存在缺陷。3.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷检测方法包括执行多个所述预设功能层检测步骤，各所述预设功能层检测步骤分别用于对不同的所述预设功能层对应的加工工艺进行缺陷检测；其中，多个所述预设功能层包括：多个第一预设功能层，各所述第一预设功能层由前道工序制成；和/或，多个第二预设功能层，各所述第二预设功能层由中间工序制成；和/或，多个第三预设功能层，各所述第三预设功能层由电容制作工序制成；和/或，多个第四预设功能层，各所述第四预设功能层由后道工序制成。4.根据权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述前道工序制成的各所述第一预设功能层共用一个所述晶圆；和/或，所述中间工序制成的各所述第二预设功能层共用一个所述晶圆；和/或，所述电容制作工序制成的各所述第三预设功能层共用一个所述晶圆；和/或，所述后道工...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昭皓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：