本发明专利技术提供发光装置、面光源及发光装置用封装件的制造方法。本发明专利技术的发光装置在基板的上方具有射出光的半导体装置及多个外部连接端子，还具备：光反射层，其形成于所述基板上，反射来自所述半导体装置的射出光；被覆层，其至少被覆所述光反射层，且使在所述光反射层反射的光透过。另外，所述半导体装置形成于所述被覆层上，并且，经由连接部与所述外部连接端子进行电连接，以覆盖所述半导体装置和所述连接部的方式用密封树脂密封。从而，所述发光装置的光的取出效率高，且能够防止反射层的变质、劣化、及反射率的降低。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具备发光二极管(LED)芯片、和用于将来自该LED芯 片的光效率良好地向外部取出的反射层的发光装置，尤其涉及防止上述反 射层的变质、劣化、及反射率的降低的发光装置。
技术介绍
图11是表示使用了 LTCC (低温同时烧成陶瓷Low Temperature Co 一fired Ceramics)基板的以往的发光装置的剖面图(参照专利文献l)。上 述发光装置包括LTCC基板50、银环氧物52、反射阻挡层51、透明环 氧物53、及LED块(英文LCD dies) 54。在本以往例中，自LED块54 的射出光被反射阻挡层51反射，射出光的损失减少。另外，自LED块54 的热量通过反射阻挡层51向关联的热扩散部(未图示)、及LTCC基板50 散热。使用了 LTCC基板的发光装置的LTCC封装件尤其适合将由稠密地 塞满的LED块或LED阵列产生的热量分散。图12是表示具有引线接合的LTCC芯片载体的剖面图(参照专利文 献2)。该LTCC芯片载体在母板65上依次具备散热片67、第二层LTCC61 、 及顶部层LTCC60。顶部层LTCC60在中央具有空洞。在空涧内使第二层 LTCC61贯通地形成的导热孔62上用粘接剂等固定有一个LED芯片4。 LED芯片4利用金属线90与在第二层LTCC61上形成的第二层端子64引 线接合连接。第二层端子64经由导孔68与在顶部层LTCC60上形成的顶 部端子63连接。进而，顶部端子63利用金属线91与在母板65上形成的 外部端子66引线接合连接。顶部端子63、第二层端子64、外部端子66、 及散热片67利用能够同时烧成的导体来形成。利用环氧树脂69或其他有 机材料，密封包含LED芯片的顶部层LTCC60内的空洞。进而，为了热 量散失，在母板65的下侧利用各种方法设置有吸热设备70。LTCC具有比有机材料高的固有的热传导率。另外，通过具备导热孔62及金属化的导体面，能够进一步提高热传导率，能够改进发光装置的散 热性。另外，作为用于提高LED的发光效率的技术，提出了在LED的发光 层和支撑基板之间设置金属反射层的技术(参照非专利文献l)。其中，通 过金属反射层反射从LED照射的向支撑基板侧的光，能够提高LED的发、 专利文献1特表2007 — 533082号公报(2007年11月15日公布) 专利文献2特开2007 — 129191号公报(2007年5月24日公开) 非专利文献1日立电线(日立电线株式会社、"开发65流明/瓦特的高亮度红色LED 芯片"、新闻发行制品、、2007年12月17日、日立电线株式会 社 、、互联网 (http:〃www.hitachi-cable.co.jp/products/news/20071217.html)然而，在上述以往的结构中，产生下述问题。LTCC基板是包括陶瓷和玻璃的复合材料的基板。根据材料，LTCC 基板使来自LED芯片的光透过或被吸收，由此导致发光输出的降低。然 而，专利文献l、 2中举出的上述以往的结构中，对于LTCC基板表面上 的光反射及光透过对策，没有采取任何对策。另外，在上述以往的结构中， 形成为在LED芯片搭载面的横向具有段差的结构，因此，导致射出光的 损失。因此，上述以往的结构不成为实现高功率LED的结构。另外，在非专利文献l所示的结构中，上述金属反射层存在如下所述 问题，即例如，由于外界的水分或氧等，导致变质或劣化、进而由此引 起的反射率的降低。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而做成的，其目的在于提供提高光的取出效 率，且防止反射层的变质、劣化、及反射率的降低的发光装置。本专利技术的发光装置在基板的上方具有射出光的半导体装置及多个外部连接端子，还具有光反射层，其形成于所述基板上，反射来自所述半 导体装置的射出光；被覆层，其至少被覆所述光反射层，且使在所述光反 射层反射的光透过，所述半导体装置形成于所述被覆层上，并且，经由连 接部与所述外部连接端子电连接，以覆盖所述半导体装置和所述连接部的 方式用密封树脂密封。根据上述结构可知，通过光反射层反射从半导体装置向下侧(基板侧) 的射出光，能够减少射出光的损失，有效地利用。因此，能够提高发光装 置的发光量。另外，用被覆层被覆光反射层，因此，发光装置抑制光反射 层的变质及劣化。进而，发光装置抑制变质或劣化引起的反射率的降低。本专利技术的发光装置具备发光二极管芯片；封装件，其具备芯片载置 部、和反射所述发光二极管芯片的射出光的银反射层，所述发光二极管芯 片管芯焊接于所述芯片载置部；密封树脂，其被覆所述发光二极管芯片，所述银反射层被玻璃层被覆。本专利技术的发光装置用封装件的制造方法依次包括准备以氧化铝为主的材料的多个印刷电路基板的工序；进行在所述多个印刷电路基板上开设 孔的加工的工序；在所述多个印刷电路基板的孔中填充金属浆料或玻璃浆 料的至少一方的工序；以使所述金属浆料被所述玻璃浆料被覆的方式，层叠并烧成所述多个印刷电路基板的工序。根据本专利技术的发光装置可知，通过光反射层反射从半导体装置向下侧 (基板侧)的射出光，能够减少射出光的损失，有效地利用。因此，能够 提高发光装置的发光量。另外，用被覆层被覆光反射层，因此，发光装置 抑制光反射层的变质及劣化。进而，发光装置抑制变质或劣化引起的反射 率的降低。另外，本专利技术的发光装置利用被覆层充分地保护上述光反射层。因此， 作为密封树脂，可以适用二甲基硅酮或甲基橡胶。二甲基硅酮或甲基橡胶 有时玻璃密封性略低，但耐热性高，与玻璃的密接性高。在本专利技术的发光装置用封装件的制造方法中，烧成层叠了印刷电路基 板的基板原材料的同时，烧成反射层和被覆该反射层的被覆层，制造发光 装置用封装件。因此，烧成工序为一次即可，从而成本低。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式的发光装置的概略俯视图。图2是表示上述发光装置的发光部的配线图案的概略俯视图。图3 (a) 图3 (d)是表示上述发光装置的制造工序的概略剖面图。图4是表示上述发光装置的概略剖面图。图5是表示使用了上述发光装置的荧光灯形LED照明器具的立体图。 图6是表示使用了上述发光装置的电灯泡形LED照明器具的侧面图。 图7 (a)是表示本专利技术的另一实施方式中的发光装置的概略剖面图。 图7 (b)是表示上述发光装置的概略俯视图。 图8是表示本专利技术的又另一实施方式中的发光装置的概略剖面图。 图9是表示本专利技术的又另一实施方式中的发光装置的概略剖面图。 图IO是表示本专利技术的又另一实施方式中的发光装置的概略剖面图。 图11是表示以往的发光装置的概略剖面图。 图12是表示以往的发光装置的概略剖面图。图13 (a)是表示本专利技术的又另一实施方式中的发光装置的结构的概 略俯视图。图13 (b)是表示上述发光装置的概略剖面图。 图14是表示上述发光装置的制造方法的流程图。 图15 (a) 图15 (d)是表示层叠体的结构的概略剖面图。 图16 (a) 图16 (d)是表示上述发光装置的制造方法的概略剖面图。 图17是表示本专利技术的又另一实施方式中的发光裴置的结构的概略剖 面图。图18是表示本专利技术的又另一实施方式中的发光装置的结构的概略剖 面图。图19 (a)是表示本专利技术的又另一实施方式中的面光源的结构的示意图。图19 (b本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，其在基板的上方具有射出光的半导体装置及多个外部连接端子，还具备： 光反射层，其形成于所述基板上，反射来自所述半导体装置的射出光； 被覆层，其至少被覆所述光反射层，且使由所述光反射层反射的光透过； 所述半导体装 置形成于所述被覆层上，并且，经由连接部与所述外部连接端子进行电连接， 以覆盖所述半导体装置和所述连接部的方式用密封树脂进行密封。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：小西正宏，近藤正树，堀尾隆昭，松尾孝信，幡俊雄，太田清久，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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