半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S1)～(S6)，并进一步在工序(S5)之后包括下述工序(SD)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置的制造方法。更具体而言，本专利技术涉及利用先切割工艺将晶片单片化而得到芯片、并且在芯片背面形成保护膜的半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，已使用被称为所谓倒装(face down)方式的安装法进行了半导体装置的制造。在倒装方式中，通过将在电路面具备凸块的半导体芯片和该半导体芯片搭载用基板以使该半导体芯片的电路面与该基板相对的方式层叠，从而将该半导体芯片搭载在该基板上。
[0003]需要说明的是，该半导体芯片通常是将在电路面具备凸块的半导体晶片进行单片化而得到的。
[0004]近年来，伴随着电子设备等IC嵌入产品的小型化及薄型化的发展，对于半导体芯片(以下，也称为“芯片”)等半导体装置的小型化及薄型化也越来越提出了进一步要求。为此，在由半导体晶片(以下，也称为“晶片”)制造半导体装置的过程中，晶片被磨削至数十～数百μm这样的厚度。在对上述那样的在电路面具备凸块等突出部的半导体晶片进行磨削时，特别是由于凸块等突出部的存在，在磨削中发生晶片的变形、破损的风险增高。
[0005]为此，已采用了例如在对晶片的形成有凸块一侧的面(以下，也称为“凸块形成面”)粘贴所谓的背磨片，然后对晶片的与形成有凸块一侧的面为相反侧的面(以下，也称为“背面”)进行磨削的方法。
[0006]另外，与使用背磨片的工艺不同，还提出了通过在凸块形成面与支撑基材之间填充树脂层并使其固化而使凸块、晶片端部附近的具有倾斜的部分埋入固化物层，并在具备该固化物层的状态下进行磨削的方法。通过采用这样的方法，还采用了得到厚度精度高、裂纹等少的晶片的方法。例如，在专利文献1中公开了下述方法：对于晶片的具有突出部的一面，以使突出部埋入的方式设置保护膜、固化性树脂及载体，在使该固化性树脂固化之后，对晶片的与具有突出部的一面为相反侧的面进行磨削。
[0007]另外，已采用了下述所谓的先切割工艺：预先在晶片的凸块形成面设置槽、或者预先在晶片内部利用激光等设置改性区域，在对晶片背面磨削时使磨削面到达槽、或者利用磨削时的振动以改性区域为起点将晶片劈开，由此将晶片单片化为芯片的工艺。先切割工艺减少了以一个一个的芯片状态进行处理的工序，适合于更薄芯片的制造。需要说明的是，先切割工艺一般而言是指预先在凸块形成面设置槽的工艺，但在本说明书中，采取在磨削工序之前先进行用于将晶片单片化的预备处理这样的广泛含义，视为也包括预先在晶片内部设置改性区域的工艺。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1：日本专利第6312343号公报

技术实现思路

[0011]专利技术要解决的问题
[0012]另一方面，在上述的倒装方式中，由于形成的是芯片的与凸块形成面为相反侧的表面露出的结构，因此，为了得到更加不易产生裂纹等损伤的芯片，优选在芯片的背面设置保护膜，希望以与芯片相对应的形状简便地形成保护膜。
[0013]本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其课题在于提供半导体装置的制造方法，该方法能够以与芯片相对应的形状简便地得到形成于芯片的与凸块形成面为相反侧的表面的保护膜等。
[0014]解决问题的方法
[0015]本专利技术人等想到，通过在上述的磨削工序之后另外地设置将设于芯片的背面的保护膜等切断的工序，保护膜也能够以与芯片相对应的形状获得，进而完成了本专利技术的制造方法。
[0016]即，本专利技术涉及下述[1]～[10]。
[0017][1]一种半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S1)～(S6)，
[0018]·
工序(S1)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其上述凸块及上述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)的工序，所述晶片具有设置于上述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域；
[0019]·
工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与上述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；
[0020]·
工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序；
[0021]·
工序(S4)：对上述晶片的与上述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将上述晶片沿着上述槽或上述改性区域单片化为多个芯片的工序；
[0022]·
工序(S5)：在上述多个芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；
[0023]·
工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序，
[0024]进一步，在工序(S5)之后，包括下述工序(SD)，
[0025]·
工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着上述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。
[0026][2]上述[1]所述的半导体装置的制造方法，其中，
[0027]工序(S2)是在第一固化性树脂层(X1)上进一步层叠支撑基材(Y1)的工序。
[0028][3]上述[1]或[2]所述的半导体装置的制造方法，其中，
[0029]在工序(SD)中，利用激光将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)切断、或者通过在第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的与层叠有多个芯片的一面为相反侧的表面粘贴伸长性膜并使该伸长性膜伸长而将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)切断。
[0030][4]上述[1]～[3]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其进一步在工序(S5)之后包括下述工序(SP)，
[0031]·
工序(SP)：将磨削用固化物层(p1)从经过了单片化后的多个芯片剥离的工序。
[0032][5]上述[4]所述的半导体装置的制造方法，其在工序(S6)之后包括工序(SP)。
[0033][6]上述[1]～[5]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其在工序(S1)之前进
一步包括下述工序(SC)，
[0034]·
工序(SC)：在上述凸块形成面上形成易剥离层(p2)的工序。
[0035][7]上述[6]所述的半导体装置的制造方法，其中，
[0036]易剥离层(p2)为易剥离层膜(p2f)。
[0037][8]上述[6]所述的半导体装置的制造方法，其中，
[0038]上述晶片为具有设置于上述凸块形成面的槽的晶片，在工序(SC)中，将形成易剥离层(p2)的易剥离层形成用组合物填充于上述晶片的槽的内部而形成易剥离层(p2)。
[0039][9]上述[4]～[8]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
[0040]在工序(SP)中，粘合片粘贴于第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的与粘贴于多个芯片的一面为相反侧的面。
[0041][10]一种半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S11)～本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S1)～(S6)，
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工序(S1)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其所述凸块及所述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)的工序，所述晶片具有设置于所述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域；
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工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与所述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；
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工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序；
·
工序(S4)：对所述晶片的与所述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将所述晶片沿着所述槽或所述改性区域单片化为多个芯片的工序；
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工序(S5)：在所述多个芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；
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工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序，进一步，在工序(S5)之后，包括下述工序(SD)，
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工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着所述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，工序(S2)是在第一固化性树脂层(X1)上进一步层叠支撑基材(Y1)的工序。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，在工序(SD)中，利用激光将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)切断、或是通过在第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的与层叠有多个芯片的一面为相反侧的表面粘贴伸长性膜并使该伸长性膜伸长而将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)切断。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其进一步在工序(S5)之后包括下述工序(SP)，
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工序(SP)：将磨削用固化物层(p1)从经过了单片化后的多个芯片剥离的工序。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其在工序(S6)之后包括工序(SP)。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：篠田智则，根本拓，加太章生，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：