具有可变电阻结构的光电装置，包含：基板；以及光电元件阵列位于基板之上。光电元件阵列通过导线结构与可变电阻结构形成电连接，其中可变电阻结构中至少一电阻为断路。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电装置，尤其涉及一种具有可变电阻结构的光电装置。
技术介绍
光电元件包含许多种类，例如发光二极管(Light-emitting Diode ;LED)、太阳能 电池(Solar Cell)或光电二极管(Photo diode)等。以LED阵列为例，LED阵列具有许多 应用，例如照明装置或显示装置，而依其应用不同，所需的操作电压与电流也不相同。因此， LED阵列会电连接一些电阻以调整电压或电流。将电阻电连接到LED阵列之前，一般会采用激光修整(Laser Trimming)的方式先 调整电阻的电阻值。图7为激光在电阻上行经的路径示意图，如图7所示，为了能精确地调 整电阻70的电阻值，一般多采用原位点(In-Situ)测量测电阻70的电压或电流，同时根据 量测的结果，配合激光修整，决定激光修整电阻70所行走的路径72，直到电阻70量测的电 压或电流达到预计的数值，才停止激光修整的动作。然而同时进行点测和激光修整耗工费 时，使生产效率无法提升。上述光电元件可进一步地以基板经由焊块或胶材与基座连接，以形成发光装置或 吸光装置。另外，基座还具有至少一电路，经由导电结构，例如金属线，电连接光电元件的电 极。
技术实现思路
具有可变电阻结构的光电装置的第一实施例包含基板；光电元件阵列位于基板之 上，其中光电元件阵列包含第一光电元件、第二光电元件、第三光电元件与第四光电元件， 各光电元件之间为串联。光电元件阵列通过导线结构与第三电极及可变电阻结构形成电连 接，其中可变电阻结构中至少一电阻为断路。本专利技术的第二实施例与第一实施例相似，差异在于光电元件阵列的各光电元件之 间为并联。本专利技术的第三实施例，与第一实施例相似，差异在于第三实施例还包含基座与第 五电极，其中光电元件阵列的基板与其承载的光电元件阵列位于基座之上。可变电阻结构 亦位于基座之上，以第五电极与光电元件阵列形成电连接。附图说明附图用以促进对本专利技术的理解，为本说明书的一部分。附图的实施例配合实施方 式的说明以解释本专利技术的原理。图1为依据本专利技术的第一实施例的俯视图。图2A-2B为依据本专利技术的可变电阻结构的俯视图。图3为依据本专利技术的第二实施例的俯视图。图4为依据本专利技术的第三实施例的俯视图。3图5为示意图，显示利用本专利技术实施例所组成的光源产生装置的示意图。图6为示意图，显示利用本专利技术实施例所组成的背光模块的示意图。图7为示意图，显示激光在电阻上行经的路径示意图。图8依据本专利技术的第一光电元件的侧视图。附图标记说明基板10光电元件阵列12第二光电元件12b第四光电元件12d第二光电元件的第一电极14b第四光电元件的第一电极14d第二光电元件的第二电极16b第四光电元件的第二电极16d可变电阻结构2第二电阻20b第四电极22基座30光源51控制元件53 背光模块6光学元件61 电阻70激光行经的路径-J具体实施例方式本专利技术的实施例会被详细地描述，并且绘制于附图中，相同或类似的部分会以相 同的符号在各附图以及说明出现。如图1所示，具有可变电阻结构的光电装置1的第一实施例包含基板10 ；光电元 件阵列12形成于基板10之上，其中光电元件阵列12包含第一光电元件12a、第二光电元件 12b、第三光电元件12c与第四光电元件12d，此处光电元件阵列12的各光电元件之间以形 成串联为例，第一光电元件12a的第一电极14a、第二光电元件12b的第一电极14b与第三 光电元件12c的第一电极14c通过导线结构11，分别与第二光电元件12b的第二电极16b、 第三光电元件12c的第二电极16c与第四光电元件12d的第二电极16d形成电连接，其中 各第一电极与各第二电极的极性相异。第三电极18位于基板10之上，第一光电元件12a 的第二电极16a通过导线结构11与第三电极18形成电连接；可变电阻结构2位于基板10 之上，第四光电元件12d的第一电极14d通过导线结构11与可变电阻结构2形成电连接， 此处为串联，其中可变电阻结构2中至少一电阻为断路。上述四个光电元件的数量为例示， 可依应用需求而调整。各光电元件至少包含半导体叠层，如图8所示，第一光电元件12a的半导体叠层包 含第一半导体层122位于基板10之上；第二半导体层126位于第一半导体层122之上；与 活性层124位于第二半导体层126与第一半导体层122之间。半导体叠层用以产生光线，导线结构11第--光电元件12a第三三光电元件12c第--光电元件的第--电极:14a第三三光电元件的第--电极:14c第--光电元件的第二二电极16a第三三光电元件的第二二电极:16c第三三电极18第--电阻20a第三三电阻20c第五电极24 光源产生装置5 电源供应系统524材料包括选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、砷(As)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)与硒(Se) 所构成的群组的一种或多于一种的物质。如图2A所示，可变电阻结构2包含第一电阻20a、第二电阻20b与第三电阻20c， 其中第一电阻20a、第二电阻20b与第三电阻20c的电阻值可为相同或相异；第四电极22 与第一电阻20a、第二电阻20b与第三电阻20c形成电连接；以及第五电极24与第一电阻 20a、第二电阻20b与第三电阻20c形成电连接，其中第一电阻20a、第二电阻20b与第三电 阻20c之间形成并联。此实施例的第四电极22与第一电阻20a、第二电阻20b及第三电阻 20c的一端直接接触，第五电极24与第一电阻20a、第二电阻20b及第三电阻20c的另一端 直接接触，但电连接的方式不限于直接接触，例如可经由导线结构11形成电连接。上述三 个电阻的数量仅为示意，电阻数量可依据应用而做调整。此外，如图1所示，第二电极22与 光电元件阵列12电连接，第三电极24与外部电路(未显示)电连接，外部电路可为印刷电 路板。第一实施例可通过调整可变电阻结构2的电阻值以达到应用所需的操作电压或 电流的目的。为达到应用所需的操作电压，可先以定电流通入光电装置1，量测光电装置1 的电压值，然后依据量测到的电压值，调整可变电阻结构2的电阻值，达到光电装置1应用 上所需的操作电压。调整可变电阻结构2的电阻值的方法，例如以激光修整将可变电阻结 构2中的电阻形成断路，以达到调整电阻值的目的，如图2B所示。举例而言，光电装置1预 设的操作电压约为3. 2伏特，而以一定电流20毫安培通入光电装置1，量测光电装置1的电 压值约为3伏特。第一电阻20a、第二电阻20b与第三电阻值20c的电阻值分别为150欧 姆、50欧姆与100欧姆，三个电阻并联的可变电阻结构2的电阻值约为27. 3欧姆。以激光 修整将第三电阻20c切断形成断路后，第一电阻20a与第二电阻20b并联形成的可变电阻 结构2的电阻值约为37. 5欧姆。再以定电流20毫安培通入光电装置1，量测光电装置1的 电压值达到预设的操作电压3. 2伏特。上述光电元件阵列12与可变电阻结构2的电连接 的方式可依应用的需求为串联或并联。第三电极18、第四电极22与第五电极24可为金属材料，例如铜(Cu)、铝(Al)、 铟(In)、锡(Sn)、金(Au)、钼(Pt)、锌(Zn)、银(Ag)、钛(Ti)、铅(Pb)、钯(Pd)、锗本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有可变电阻结构的光电装置，包含：第一光电元件；以及可变电阻结构，与该第一光电元件电连接，包含多个电阻，其中该多个电阻中至少其一为断路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉良，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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