本发明专利技术提供一种液处理装置、液处理方法以及存储介质，适当地对向基板供给的处理液进行除电来抑制涂布有处理液的基板的膜厚产生偏差。抗蚀剂涂布装置(1)具备：涂布液喷嘴(41)；以及待机槽(50)，其设置于基板(W)的上方的空间的外侧的区域即待机区域(90)，在不进行液处理的非处理时，待机槽(50)收容涂布液喷嘴(41)。待机槽(50)具有：绝缘构件(51)，其配置为包围涂布液喷嘴(41)；以及导电构件(52)，其配置于比涂布液喷嘴(41)的前端靠下方的位置，并且导电构件(52)接地。而且，如图3所示那样以贯通绝缘构件(51)和导电构件(52)的方式形成有用于使抗蚀剂通过的贯通孔(TH)。用于使抗蚀剂通过的贯通孔(TH)。用于使抗蚀剂通过的贯通孔(TH)。
【技术实现步骤摘要】
液处理装置、液处理方法以及存储介质
[0001]本公开涉及一种液处理装置、液处理方法以及存储介质。
技术介绍
[0002]在专利文献1中，公开了以下技术：在向基板喷出药液之前使喷嘴移动到基板外，在基板外的位置处喷出药液数秒，之后使喷嘴移动到基板上并喷出药液，由此防止由于带电而对基板上的图案造成损伤，从而使半导体装置的制造成品率提高。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2010
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87326号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]在此，有时仅进行上述的液处理前的喷出无法充分地对液喷出线路内(供给管和喷嘴内)的处理液进行除电。由于处理液带电，可能会使涂布有处理液的基板的膜厚产生偏差。
[0008]本公开提供一种适当地对向基板供给的处理液进行除电来抑制涂布有处理液的基板的膜厚产生偏差的液处理装置。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本公开的一个侧面所涉及的液处理装置具备：处理液喷出喷嘴，其构成为能够对基板喷出处理液；以及待机槽，其设置于基板的上方的空间的外侧的区域即待机区域，在不进行液处理的非处理时，所述待机槽收容处理液喷出喷嘴。待机槽具有：绝缘构件，所述绝缘构件配置为在处理液喷出喷嘴被收容的状态下包围处理液喷出喷嘴；以及第一导电构件，所述第一导电构件配置于在处理液喷出喷嘴被收容的状态下比处理液喷出喷嘴的前端靠下方的位置，并且所述第一导电构件接地。以贯通绝缘构件和第一导电构件的方式形成有用于使从处理液喷出喷嘴喷出的处理液通过的贯通孔。
[0011]专利技术的效果
[0012]根据本公开，能够适当地对向基板供给的处理液进行除电来抑制涂布有处理液的基板的膜厚产生偏差。
附图说明
[0013]图1是示出本实施方式所涉及的抗蚀剂涂布装置的概要结构的图。
[0014]图2是示意性地示出图1所示的抗蚀剂涂布装置所包括的待机槽的图。
[0015]图3是待机槽的收容部的纵剖侧视图。
[0016]图4是变形例所涉及的待机槽的收容部的一部分的纵剖视图。
[0017]图5是变形例所涉及的待机槽的收容部的一部分的俯视图。
[0018]图6是变形例所涉及的待机槽的收容部的一部分的纵剖视图。
[0019]图7是变形例所涉及的待机槽的收容部的一部分的纵剖视图。
[0020]图8是例示出控制部的硬件结构的示意图。
具体实施方式
[0021]图1是示出本实施方式所涉及的抗蚀剂涂布装置1的概要结构的图。抗蚀剂涂布装置1是对基板W实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光以及该感光性覆膜的显影的基板处理系统所包括的装置(基板处理装置)。关于作为处理对象的基板W，能够列举出半导体晶圆、玻璃基板、掩模基板或FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。基板W包括在预处理中在半导体晶圆等上形成有覆膜等的基板。在由基板处理系统所包括的曝光装置(未图示)进行曝光处理之前，抗蚀剂涂布装置1进行在基板W的表面形成抗蚀剂膜的处理。更具体而言，抗蚀剂涂布装置1向基板W的表面供给抗蚀剂膜形成用涂布液，来形成上述烘烤前抗蚀剂膜。另外，抗蚀剂涂布装置1当在基板W的表面形成烘烤前抗蚀剂膜之后，通过向基板W的周缘部供给去除液来去除烘烤前抗蚀剂膜的周缘部。
[0022]如图1所示，抗蚀剂涂布装置1具备涂布处理部1a、喷嘴单元40、待机槽50、移动机构3以及控制部7。抗蚀剂涂布装置1也可以具备彼此相邻地排列配置的两个以上的涂布处理部，但是，在此仅说明一个涂布处理部1a。另外，抗蚀剂涂布装置1也可以具备去除液喷嘴、去除液喷嘴用待机槽以及处理空间用摄像机等作为其它结构，但是在此省略说明。
[0023]如图1所示，涂布处理部1a具备旋转保持盘(chuck)12a，该旋转保持盘12a是对基板W的背面中央部进行吸附来将基板W水平地保持并使基板W旋转的旋转保持部。旋转保持盘12a经由旋转轴13a而与旋转驱动机构14a连接。旋转保持盘12a构成为经由旋转驱动机构14a在保持了基板W的状态下绕铅垂轴旋转自如，并设定为基板W的中心位于该旋转保持盘12a的旋转轴上。旋转驱动机构14a接收来自控制部7的控制信号来控制旋转保持盘12a的旋转速度。
[0024]在旋转保持盘12a的周围以包围旋转保持盘12a上的基板W的方式设置有在上方侧具备开口部20a的杯21a。杯21a的侧周面上端侧形成向内侧倾斜的倾斜部22a。在杯21a的底部侧例如设置有呈凹部状的液接收部23a。液接收部23a在基板W的周缘下方侧被隔壁24a遍及整个圆周地划分为外侧区域和内侧区域。在外侧区域的底部设置有用于排出所贮存的抗蚀剂等的排液口25a，在内侧区域的底部设置有用于排出处理气氛气体的排气口26a、26a。
[0025]在排气口26a、26a处连接有排气管110的一端，排气管110的另一端经由排气缓冲器而与工厂的排气源(参照图1)连接。像这样，排气管110与杯21a的排气口26a连接并与排气源连接。
[0026]在杯21a内设置有三根升降销15a(在图1中，方便起见仅示出两根)。通过升降机构16a进行升降，升降销15a能够在向抗蚀剂涂布装置1搬送基板W的未图示的基板搬送机构与旋转保持盘12a之间进行基板W的交接。
[0027]喷嘴单元40安装于后述的移动机构3的喷嘴臂的前端部。如图1所示，喷嘴单元40具有多个涂布液喷嘴41(处理液喷出喷嘴)，所述多个涂布液喷嘴41(处理液喷出喷嘴)构成为能够对基板W喷出多种(例如10种)抗蚀剂。另外，喷嘴单元40具有处理液喷嘴42，该处理液喷嘴42构成为能够喷出使抗蚀剂容易在基板W上扩散的稀释剂。涂布液喷嘴41和处理液
喷嘴42具有向铅锤下方开口的喷出口。从涂布液喷嘴41和处理液喷嘴42喷出的药液通过离心力向基板W的周缘部扩散即进行所谓的旋转涂覆，由此被涂布到基板W的整个表面。
[0028]如图1所示，涂布液喷嘴41和处理液喷嘴42从药液供给单元43(处理液供给部)接收药液的供给。药液供给单元43具有抗蚀剂供给机构44，该抗蚀剂供给机构44具备：罐，其用于贮存向涂布液喷嘴41供给的药液；以及送液机构，其用于将罐内进行加压来向涂布液喷嘴输送该罐内的药液。抗蚀剂供给机构44设置有与涂布液喷嘴41相同的数量。另外，药液供给单元43具有稀释剂供给机构6，该稀释剂供给机构6具备：罐，其用于贮存向处理液喷嘴42供给的药液；以及送液机构，其将罐内进行加压来向处理液喷嘴42输送该罐内的药液。
[0029]以将涂布液喷嘴41与抗蚀剂供给机构44连接并且将处理液喷嘴42与稀释剂供给机构6连接的方式设置有药液供给线路45。在药液供给线路45中设置有包括阀46的流量控制部47。根据来自控制部7的控制信号来对各阀46进行开闭控制，由此向基板W切换地供给各种抗蚀剂和稀释剂。
[0030]在涂布液喷嘴41及处理液喷嘴本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种液处理装置，其特征在于，具备：处理液喷出喷嘴，其构成为能够对基板喷出处理液；以及待机槽，其设置于所述基板的上方的空间的外侧的区域即待机区域，在不进行液处理的非处理时，所述待机槽收容所述处理液喷出喷嘴，其中，所述待机槽具有：绝缘构件，所述绝缘构件配置为在所述处理液喷出喷嘴被收容的状态下包围所述处理液喷出喷嘴；以及第一导电构件，所述第一导电构件配置于在所述处理液喷出喷嘴被收容的状态下比所述处理液喷出喷嘴的前端靠下方的位置，并且所述第一导电构件接地，在液处理装置中，以贯通所述绝缘构件和所述第一导电构件的方式形成有用于使从所述处理液喷出喷嘴喷出的处理液通过的贯通孔。2.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，所述第一导电构件配置于所述绝缘构件的正下方，所述绝缘构件与所述第一导电构件的边界面位于在所述处理液喷出喷嘴被收容的状态下比所述处理液喷出喷嘴的前端靠下方的位置。3.根据权利要求1或2所述的液处理装置，其特征在于，构成所述贯通孔的所述第一导电构件的内壁形成为比构成所述贯通孔的所述绝缘构件的内壁更接近从所述处理液喷出喷嘴喷出的处理液的液柱。4.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，在比所述绝缘构件的内壁的表层靠内侧的位置还具备接地的第二导电构件。5.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，还具备第三导电构件，该第三导电构件从包围所述贯通孔的所述第一导电构件的内壁朝向所述贯通孔的内侧延伸。6.根据权利要求5所述的液处理装置，其特征在于，所述第三导电构件设置于所述第一导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：成东周，平尾刚，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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