有机发光显示装置制造方法及图纸

公开了有机发光显示装置，该有机发光显示装置使用混合型薄膜晶体管。该有机发光显示装置在半导体图案的上边缘中包括相比于无机薄膜具有更高的耐蚀刻性的导电图案，由此能够简化设置有分别包括多个层的混合型薄膜晶体管的阵列的基板的制造工序，并且改进形成在阵列基板上的薄膜晶体管的性能。由于包括氧化物半导体图案的驱动薄膜晶体管被设计成具有增加的s因子值，所以有机发光显示装置能够在低灰度呈现各种不同的灰度图像。度呈现各种不同的灰度图像。度呈现各种不同的灰度图像。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示装置


[0001]本公开涉及包括混合型薄膜晶体管的显示装置，并且更具体地涉及能够解决位于薄膜晶体管下方的半导体图案在制造工序期间被过度蚀刻的问题并且包括导电图案而非掺杂区域的有机发光显示装置。具体地，本公开涉及能够通过调节多个薄膜晶体管当中的至少一个特定薄膜晶体管的S因子来呈现宽范围的灰度图像并实现快速开
‑
关操作的有机发光显示装置。

技术介绍

[0002]近来，随着多媒体的发展，平板显示装置变得愈发地重要。为了满足对各种显示装置的需求，诸如液晶显示装置、等离子显示装置、有机发光显示装置等的平板显示装置已经被开发和商业化。有机发光显示装置相对于其它平板显示装置具有诸如更快的响应速度、更高的发光效率、更广的视角等的优点，因此越来越受欢迎。
[0003]在此种有机发光显示装置中，多个像素可以布置成矩阵图案。每个像素可以包括以有机发光层为代表的发光元件部和以至少一个薄膜晶体管为代表的像素电路部。像素电路部可以包括诸如用于提供驱动电流以操作有机发光元件的驱动薄膜晶体管(TFT)和用于向驱动TFT提供选通信号的开关TFT等的多个TFT。
[0004]此外，用于向像素提供选通信号的选通驱动器可以设置在有机发光显示装置的非显示区中。

技术实现思路

[0005]如上所述，由于设置在像素(例如，子像素)的像素电路部和选通驱动器中的多个薄膜晶体管可以执行不同的功能，因此，可能需要它们的电特性彼此不同。为了使设置在像素中的多个薄膜晶体管具有不同的电特性，例如，多个薄膜晶体管可以被配置成具有不同的结构或包括不同的半导体材料。在该示例中，包括这些半导体材料的层可能需要形成在不同的层中，并且在蚀刻工序中可能暴露在不同的蚀刻条件下，因此，半导体材料当中的包括在一个或更多个相对低的层中的一个或更多个半导体材料可能会被过度蚀刻。
[0006]本公开的一个或更多个示例实施方式可以提供一种具有以下结构的有机发光显示装置，其中，不会为了形成源区和漏区而执行掺杂工序，并且另外，包括在像素中的薄膜晶体管的性能可以稳定地提供，同时防止或至少减少位于每个像素中的一个或更多个相对低的层中的半导体图案的过度蚀刻。
[0007]根据本公开的一个实施方式的有机发光显示装置包括：基板，该基板包括显示区和位于显示区的外部的非显示区；第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管在基板上，第一薄膜晶体管包括第一半导体图案、第一栅极、第一源极和第一漏极；第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管在基板上，第二薄膜晶体管包括第二半导体图案、第二栅极、第二源极和第二漏极；导电图案，该导电图案在第一半导体图案或第二半导体图案中的至少一者的上表面上；以及第一遮光图案，该第一遮光图案与第二半导体图案交叠，第一遮光图案连接至第二源
极，其中，第一半导体图案包括多晶半导体图案，并且第二半导体图案包括氧化物半导体图案。
[0008]在一个实施方式中，一种有机发光显示装置包括：基板，在基板上设置有显示区和位于显示区的外部的非显示区；第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管设置在显示区中，并且包括包含第一导电图案的第一半导体图案、第一栅极、第一源极和第一漏极；第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管设置在显示区中，并且包括包含第二导电图案的第二半导体图案、第二栅极、第二源极和第二漏极；第一遮光图案，该第一遮光图案位于第一半导体图案下方并且与第一半导体图案交叠，使得第一遮光图案比第一半导体图案靠近基板；以及第二遮光图案，该第二遮光图案与第二半导体图案交叠，其中，第一半导体图案与第一遮光图案之间的垂直距离比第二半导体图案与第二遮光图案之间的垂直距离小。
[0009]在一个实施方式中，一种发光显示装置包括：基板，该基板包括显示区和在显示区周围的非显示区；第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管在显示区中，第一薄膜晶体管包括第一漏极、第一源极、第一栅极和第一半导体图案，第一半导体图案具有第一沟道区、在第一沟道区的第一端处的第一源区、以及在第一沟道区的与第一端相对的第二端处的第一漏区；第一导电图案，该第一导电图案在第一半导体图案上，并且第一导电图案包括与第一源区的上表面接触并交叠的第一导电部以及与第一漏区的上表面接触并交叠的第二导电部；以及发光元件，该发光元件被配置成发射光，并且发光元件连接至第一薄膜晶体管。
[0010]在根据本公开的一个或更多个示例实施方式的有机发光显示装置中，由于能够省略对源区和漏区进行掺杂的工序，因此能够在同一层中或同一层上设置一个或更多个晶体管的一个或更多个栅极、源极和漏极，并且因此掩膜的数量或使用一个或更多个掩膜的次数能够减少。
附图说明
[0011]附图被包括以提供本公开的进一步理解并且被并入且构成本公开的一部分，附图例示了本公开的多个方面，并且与具体实施方式一起用于解释本公开的原理。在附图中：
[0012]图1A例示了根据本公开的一个实施方式的示例有机发光显示装置；
[0013]图1B为根据本公开的一个实施方式的沿着图1中的线“G
‑
G
’”
截取的显示装置的示例截面图；
[0014]图2例示了根据本公开的一个实施方式的有机发光显示装置的示例子像素；
[0015]图3为根据本公开的一个实施方式的有机发光显示装置的子像素的示例电路图；
[0016]图4A为根据本公开的一个实施方式的有机发光显示装置的设置在非显示区中的选通驱动器中的薄膜晶体管、以及设置在显示区中的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的示例截面图；
[0017]图4B为根据本公开的一个实施方式的作为有机发光显示装置的非显示区的一部分的弯曲区的示例截面图；
[0018]图5为根据本公开的一个实施方式的有机发光显示装置的设置在非显示区中的选通驱动器中的薄膜晶体管、以及设置在显示区中的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的另一示例截面图；
[0019]图6为根据本公开的一个实施方式的有机发光显示装置的设置在非显示区中的选
通驱动器中的薄膜晶体管、以及设置在显示区中的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的又一示例截面图；以及
[0020]图7为根据本公开的一个实施方式的有机发光显示装置的设置在非显示区中的选通驱动器中的薄膜晶体管、以及设置在显示区中的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的再一示例截面图。
具体实施方式
[0021]现在将详细参照本公开的实施方式，其示例可以在附图中例示。本公开的优点和特征、以及其实现方法将通过以下参照附图描述的示例实施方式来阐明。在下面的描述中，除非另有说明，否则本文描述的结构、实施方式、实现方式、方法和操作不限于本文阐述的具体示例并且可以如本领域已知的那样改变。本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在本文阐述的示例实施方式。相反，提供这些示例实施方式，使得本公开可以足够透彻和完整以帮助本领域技术人员充分理解本公开的范围。此外，本公开的保护范围由权利要求及其等同物所限定。
[0022]在附图中例示以描述本公开的各种示例实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：基板，所述基板包括显示区和位于所述显示区的外部的非显示区；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管在所述基板上，所述第一薄膜晶体管包括第一半导体图案、第一栅极、第一源极和第一漏极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管在所述基板上，所述第二薄膜晶体管包括第二半导体图案、第二栅极、第二源极和第二漏极；导电图案，所述导电图案在所述第一半导体图案或所述第二半导体图案中的至少一者的上表面上；以及第一遮光图案，所述第一遮光图案与所述第二半导体图案交叠，所述第一遮光图案连接至所述第二源极，其中，所述第一半导体图案包括多晶半导体图案，并且所述第二半导体图案包括氧化物半导体图案。2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管在所述非显示区中，并且所述第二薄膜晶体管在所述显示区中。3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一栅极和所述第二栅极在不同的层中，并且所述第一栅极和所述第二栅极分别在所述第一半导体图案和所述第二半导体图案上方。4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一半导体图案包括第一沟道区、第一源区和第一漏区，使得所述第一沟道区插置在所述第一源区与所述第一漏区之间，其中，所述第二半导体图案包括第二沟道区、第二源区和第二漏区，使得所述第二沟道区插置在所述第二源区与所述第二漏区之间，并且其中，所述导电图案在所述第一源区和所述第一漏区、以及所述第二源区和所述第二漏区中的至少一者的上表面上。5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述导电图案为与所述第一半导体图案和所述第二半导体图案中的至少一者接触的金属图案。6.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述第一遮光图案在所述第二半导体图案下方，使得所述第一遮光图案比所述第二半导体图案靠近所述基板。7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管在所述显示区中，所述第三薄膜晶体管包括包含氧化物半导体图案的第三半导体图案、第三栅极、第三源极和第三漏极；以及第二遮光图案，所述第二遮光图案与所述第三半导体图案交叠，其中，所述第二半导体图案与所述第一遮光图案之间的垂直距离比所述第三半导体图案与所述第二遮光图案之间的垂直距离小。8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述第二薄膜晶体管为像素中的驱动薄膜晶体管且所述驱动薄膜晶体管被配置成驱动包括在所述像素中的发光元件，并且所述第三薄膜晶体管为所述像素中的开关薄膜晶体管且所述第三薄膜晶体管连接至所述第二薄膜晶体管。9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：下缓冲层，所述下缓冲层在所述基板与所述第一半导体图案之间；以及
上缓冲层，所述上缓冲层在所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间，其中，所述第一遮光图案在所述上缓冲层的内部。10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一源极、所述第一漏极、所述第二栅极、所述第二源极和所述第二漏极在同一层中。11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一源极和所述第一漏极与所述第二源极和所述第二漏极在不同的层上，其中，至少一个绝缘层插置在所述第一源极和所述第一漏极与所述第二源极和所述第二漏极之间。12.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极在同一层中，并且所述第二栅极在所述第二半导体图案与所述第二源极之间。13.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述第一源极和所述第一漏极在所述第一栅极上方，使得至少一个绝缘层插置在所述第一栅极与所述第一源极和所述第一漏极之间，并且所述第一源极和所述第一漏极与所述第一遮光图案在同一层中。14.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述导电图案在所述第二源区和所述第二漏区的上边缘上。15.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述导电图案在所述第一源区和所述第一漏区的上边缘上，并且所述导电图案还在所述第二源区和所述第二漏区的上边缘上。16.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述第一源区和所述第一漏区、以及所述第二源区和所述第二漏区中的至少一者包括本征半导体图案。17.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：基板，在所述基板上设置有显示区和位于所述显示区的外部的非显示区；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述显示区中，并且包括包含第一导电图案的第一半导体图案、第一栅极、第一源极和第一漏极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述显示区中，并且包括包含第二导电图案的第二半导体图案、第二栅极、第二源极和第二漏极；第一遮光图案，所述第一遮光图案位于所述第一半导体图案下方并且与所述第一半导体图案交叠，使得所述第一遮光图案比所述第一半导体图案靠近所述基板；以及第二遮光图案，所述第二遮光图案与所述第二半导体图案交叠，其中，所述第一半导体图案与所述第一遮光图案之间的垂直距离比所述第二半导体图案与...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜旻求，崔承灿，高永贤，崔义贤，张宰满，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：