显示装置和用于制造显示装置的方法制造方法及图纸

提供了一种显示装置和用于制造显示装置的方法。所述显示装置包括：第一电极和第二电极，在基体层上；第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；堤，在第一绝缘层上；发光元件，在被堤围绕的区域中；以及第二绝缘层，在堤上。第二绝缘层形成使堤的表面暴露的开口。缘层形成使堤的表面暴露的开口。缘层形成使堤的表面暴露的开口。

【技术实现步骤摘要】
显示装置和用于制造显示装置的方法
[0001]本申请要求于2022年4月12日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
‑
0045345号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用被包含于此。


[0002]公开总地涉及一种显示装置和用于显示装置的制造方法。

技术介绍

[0003]近来，随着对信息显示的兴趣的增加，显示装置的研究和开发已经在连续地进行。
[0004]应当理解的是，技术部分的该
技术介绍
部分地意图提供用于理解技术的有用的
技术介绍
。然而，技术部分的该
技术介绍
也可以包括不是在这里公开的主题的对应有效提交日期之前由相关领域的技术人员已知或理解的内容的部分的想法、构思或认识。

技术实现思路

[0005]实施例提供了一种显示装置和用于该显示装置的制造方法，其中，可以改善发光元件的对准程度并且可以简化工艺。
[0006]根据公开的方面，提供了一种显示装置，所述显示装置可以包括：第一电极和第二电极，设置在基体层上；第一绝缘层，设置在第一电极和第二电极上；堤，设置在第一绝缘层上；发光元件，设置在被堤围绕的区域中；以及第二绝缘层，设置在堤上，其中，第二绝缘层形成使堤的表面暴露的开口。
[0007]开口在平面图中可以围绕包括发光元件的区域的至少一部分。
[0008]堤可以在基体层的厚度方向上突出，并且形成与包括发光元件的区域相邻的台阶差。
[0009]堤可以包括第一堤和第二堤。在平面图中，开口可以与第一堤叠置，并且可以不与第二堤叠置。第一堤可以包括第1_1堤和第1_2堤。第二堤可以设置在第1_1堤与第1_2堤之间。
[0010]第一堤可以包括具有第一厚度的第一堤区域和具有第二厚度的第二堤区域。第二厚度可以比第一厚度小。第二堤区域可以比第一堤区域更邻近发光元件。
[0011]显示装置还可以包括电连接到发光元件的连接电极。连接电极可以通过穿透第一绝缘层的接触孔电连接到第一电极，并且可以通过由第二绝缘层形成的开口接触堤。
[0012]在平面图中，堤的表面的至少一部分可以是凹入的，并且在与由第二绝缘层形成的开口叠置的区域中形成空腔。
[0013]空腔和第二绝缘层在平面图中可以彼此不叠置。
[0014]堤可以包括有机材料，并且第二绝缘层可以包括无机材料。
[0015]第一绝缘层和第二绝缘层可以包括相同的材料。
[0016]根据公开，提供了一种用于制造显示装置的方法，所述方法可以包括：在基体层上设置第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极上设置第一基体绝缘层；在第一基体绝
缘层上形成堤；设置覆盖堤的至少一部分的第二基体绝缘层；通过蚀刻第一基体绝缘层来设置第一绝缘层；通过蚀刻第二基体绝缘层来设置第二绝缘层；在基体层上提供包括发光元件的墨；以及使发光元件在第一电极与第二电极之间对准，其中，设置第二绝缘层的步骤可以包括形成使堤的至少一部分暴露的开口，并且在提供墨的步骤中，基于第二绝缘层的开口的位置，墨容纳在通过堤限定的空间中。
[0017]开口在平面图中可以围绕包括发光元件的区域的至少一部分。
[0018]在设置第二基体绝缘层的步骤中，堤的外表面可以被第一基体绝缘层和第二基体绝缘层覆盖。
[0019]在提供墨的步骤中，在其中供应墨的区域的边缘可以对应于第二绝缘层的开口的位置。
[0020]使发光元件在第一电极与第二电极之间对准的步骤可以包括：将第一对准信号供应到第一电极；以及将第二对准信号供应到第二电极。
[0021]形成堤的步骤可以包括：在第一基体绝缘层上形成基体堤层；在基体堤层上形成光致抗蚀剂层；使用包括全色调区域的二元掩模通过使光致抗蚀剂层图案化来制备蚀刻掩模；以及通过使用蚀刻掩模来蚀刻基体堤层。在制备蚀刻掩模的步骤中，二元掩模的全色调区域可以对应于包括堤的区域。
[0022]堤可以包括具有第一厚度的第一堤区域和具有第二厚度的第二堤区域。第二厚度可以比第一厚度小。第二堤区域可以比第一堤区域更邻近发光元件。形成堤的步骤可以包括：在第一基体绝缘层上形成基体堤层；在基体堤层上形成光致抗蚀剂层；使用包括全色调区域和半色调区域的掩模通过使光致抗蚀剂层图案化来制备蚀刻掩模；以及通过使用蚀刻掩模来蚀刻基体堤层。在制备蚀刻掩模的步骤中，掩模的全色调区域可以对应于包括第一堤区域的区域，并且掩模的半色调区域可以对应于包括第二堤区域的区域。
[0023]所述方法还可以包括：对堤和第二绝缘层执行等离子体表面处理工艺，使得堤的与开口对应的表面与第二绝缘层相比具有疏水性。
[0024]设置第一绝缘层的步骤和设置第二绝缘层的步骤可以通过相同的工艺执行。
[0025]根据公开，提供了一种显示装置，所述显示装置可以包括：电极，设置在基体层上；第一绝缘层，设置在电极上；发光元件，在第一绝缘层上；堤，在第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置在堤的面对发光元件的侧表面上，其中，第二绝缘层不设置在堤的顶表面的至少一部分上，并且堤形成与发光元件相邻的台阶差。
附图说明
[0026]通过参照附图来详细地描述公开的实施例，公开的上述以及其它方面和特征将变得更清楚，在附图中：
[0027]图1是示出根据实施例的发光元件的示意性透视图。
[0028]图2是示出根据实施例的发光元件的示意性剖视图。
[0029]图3是示出根据实施例的显示装置的示意性平面图。
[0030]图4是根据实施例的像素的等效电路的示意图。
[0031]图5是示出根据实施例的子像素的示意性平面图。
[0032]图6是示出根据实施例的子像素的示意性平面图并且是示出第二绝缘层形成的开
口的示意性平面图。
[0033]图7是示出根据实施例的子像素的视图并且是沿着图5中所示的线A
‑
A
’
截取的示意性剖视图。
[0034]图8是沿着图5中所示的线B
‑
B
’
截取的示意性剖视图。
[0035]图9是图7中所示的区域EA1的示意性放大图。
[0036]图10是示出根据实施例的第一子像素至第三子像素的示意性剖视图。
[0037]图11是示出根据实施例的子像素的视图并且是沿着图5中所示的线A
‑
A
’
截取的示意性剖视图。
[0038]图12至图21是示意性地示出根据实施例的用于显示装置的制造方法的工艺剖视图。
具体实施方式
[0039]公开可以应用于各种改变和形状，并且可以因此以不同的形式修改。因此，示例不限于特定形状，而是适用于所有改变和等同材料和替换。
[0040]现在将在下文中参照附图来更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得该公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达示例实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：第一电极和第二电极，设置在基体层上；第一绝缘层，设置在所述第一电极和所述第二电极上；堤，设置在所述第一绝缘层上；发光元件，设置在被所述堤围绕的区域中；以及第二绝缘层，设置在所述堤上，其中，所述第二绝缘层形成使所述堤的表面暴露的开口。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述开口在平面图中围绕包括所述发光元件的所述区域的至少一部分。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述堤在所述基体层的厚度方向上突出，并且形成与包括所述发光元件的所述区域相邻的台阶差。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述堤包括第一堤和第二堤，在平面图中，所述开口与所述第一堤叠置，并且不与所述第二堤叠置，所述第一堤包括第1_1堤和第1_2堤，并且所述第二堤设置在所述第1_1堤与所述第1_2堤之间。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一堤包括具有第一厚度的第一堤区域和具有第二厚度的第二堤区域，所述第二厚度比所述第一厚度小，并且所述第二堤区域比所述第一堤区域更邻近所述发光元件。6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：连接电极，电连接到所述发光元件，其中，所述连接电极通过穿透所述第一绝缘层的接触孔电连接到所述第一电极，并且通过由所述第二绝缘层形成的所述开口接触所述堤。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在平面图中，所述堤的所述表面的至少一部分是凹入的，并且在与由所述第二绝缘层形成的所述开口叠置的区域中形成空腔。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述空腔和所述第二绝缘层在平面图中彼此不叠置。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述堤包括有机材料，并且所述第二绝缘层包括无机材料。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括相同的材料。11.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：在基体层上设置第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极上设置第一基体绝缘层；在所述第一基体绝缘层上形成堤；设置覆盖所述堤的至少一部分的第二基体绝缘层；通过蚀刻所述第一基体绝缘层来设置第一绝缘层；
通过蚀刻所述第二基体绝缘层来设置第二绝缘层；在所述基体层上提供包括发光元件的墨；以及使所述发光元件在所述第一电极与所述第二电极之间对准，其中，设置所述第二绝缘层的步骤包括形成使所述堤的至少一部分暴露的开口，并且在提供所述墨的步骤中，基于所述第二绝缘层的所述开口的位置，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金珍泽，金显，朴浈洙，李宗璨，郑雄喜，洪晶银，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：