一种提高ＣＭＯＳ图像传感器动态范围的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种提高互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器动态范围的装置和方法，包括：像素单元阵列、时序控制电路、双采样电路、模拟前端处理电路、Ａ／Ｄ转换器以及存储单元，其中，所述像素单元阵列中具有多种类型的像素单元，每种类型的像素单元的ＦＤ区域的面积是不同的。当采用ＣＭＯＳ图像传感器拍摄图像时，利用面积大的ＦＤ区域的像素单元对光的敏感度较低、面积小的ＦＤ区域的像素单元对光的敏感度较高的原理，面积大的ＦＤ区域的像素单元能够感知图像中光强的部分、而面积小的ＦＤ区域的像素单元则能够感知光弱的部分，从而使得合成后的图像动态范围较大，也即使得ＣＭＯＳ图像传感器动态范围得到显著的提高，而且实现简单。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高互补金属氧化物半导体ＣＭＯＳ图像传感器动态范围的装置，该装置包括：像素单元阵列、时序控制电路、双采样电路、模拟前端处理电路、模拟／数字Ａ／Ｄ转换器以及存储单元，其中，所述像素单元阵列用于在所述时序控制电路的控制下采集图像光信号、并输出不同的电压信号供所述双采样电路进行采集以得到图像电压信号，所述图像电压信号发送给所述模拟前端处理电路和所述Ａ／Ｄ转换器进行处理和转换、得到数字形式的图像电压信号，其特征在于，所述像素单元阵列中具有多种类型的像素单元，每种类型的像素单元的ＦＤ区域的面积是不同的，且每种ＦＤ区域的面积不同的像素单元在所述像素单元阵列中是间隔分布的。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡文阁，汪立，刘坤，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]