本发明专利技术提供一种聚焦环以及等离子体处理装置，在耐等离子体性和相对于高频电场的屏蔽性双方均优异。该聚焦环是安装在配设于实施等离子体处理的处理室内的电极的周缘部上的、层叠介电常数不同的多个介电体的多层结构聚焦环，介电常数低的低介电常数介电体（６ａ）被配置在电极（５）一侧，介电常数为低介电常数介电体（６ａ）的介电常数以上并且比低介电常数介电体（６ａ）的耐等离子体性高的耐等离子体性介电体（６ｂ）被配置在处理室的处理空间一侧。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及安装在电极的周缘部的聚焦环以及具备安装有该聚焦 环的电极的等离子体处理装置。
技术介绍
为了对平板等离子体用基板(以下称为FPD用玻璃基板)等的被 处理体实施蚀刻等处理而使用等离子体处理装置。对于等离子体装置而言，例如，如专利文献l中所述，具有对被 处理体实施等离子体处理的处理室，在该处理室内，配置有互相相对 的上部电极和兼做载置被处理体的载置台的下部电极。向上部电极和 下部电极之间施加高频电力从而在上部电极和下部电极之间的处理空 间产生等离子体。在下部电极的周缘部安装有用于使高频电场向被处 理体的上方集中的聚焦环。聚焦环由陶瓷构成，通常，由氧化铝烧制 体构成。氧化铝烧制体具有在耐等离子体性方面优异、并且难以被腐 蚀的优点。专利文献1日本特开2003-115476号公报然而，氧化铝烧制体的相对介电常数为9 10，比较高，相对于高 频电场的屏蔽性较弱。因此，若反复进行高频电场的施加，则聚焦环 的表面被削减，成为颗粒源。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种在耐等离子体性和相对于高频电场的 屏蔽性双方均优异的聚焦环以及具有该聚焦环的等离子体处理装置。 为了解决上述问题，本专利技术的第一方面所涉及的聚焦环，其特征在于该聚焦环是安装在配设于实施等离子体处理的处理室内的电极 的周缘部上的、层叠介电常数不同的多个介电体而形成的多层结构聚 焦环，介电常数低的低介电常数介电体被配置在上述电极一侧，介电常数为上述低介电常数介电体的介电常数以上并且比上述低介电常数 介电体的耐等离子体性高的耐等离子体性介电体被配置在上述处理室 的处理空间一侧。本专利技术第二方面所涉及的等离子体处理装置，其特征在于，包括: 对被处理体实施等离子体处理的处理室；配置在上述处理室内的上部 电极；和在上述处理室内的、与上述上部电极相对配置的、安装有上 述第一方面所涉及的聚焦环的下部电极。根据本专利技术，能够提供一种在耐等离子体性和相对于高频电场的 屏蔽性双方均优异的聚焦环以及具有该聚焦环的等离子体处理装置。附图说明图1是简要表示第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的一个 例子的截面图。图2是放大表示聚焦环及其周围的截面图。图3A是表示第二实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的立体图， 图3B是沿着图3A中的3B-3B线的截面图。图4是表示接合处(joint)的变形例的立体图。图5是表示变形例所涉及的接合处应用于第二实施方式的聚焦环 时的立体图。图6是表示第三实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的截面图。 图7是表示第三实施方式所涉及的聚焦环的另一个例子的截面图。 图8是表示第三实施方式所涉及的聚焦环的再一个例子的截面图。 图9是表示第四实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的截面图。 图IO是表示第五实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的截面图。 图11是表示第五实施方式所涉及的聚焦环的另一个例子的截面图。 图12是表示参考例所涉及的聚焦环的截面图。 图13是表示第六实施方式所涉及的聚焦环的一个例子的截面图。 图14是表示第六实施方式所涉及的聚焦环的另一个例子的截面图。 图15是表示第六实施方式所涉及的聚焦环的另一个例子的截面图。 图16是表示第六实施方式所涉及的聚焦环的另一个例子的截面图。 图17是表示第七实施方式所涉及的聚焦环的第一例的截面图。图18是表示第七实施方式所涉及的聚焦环的第二例的截面图。 图19是表示第七实施方式所涉及的聚焦环的第三例的截面图。标号说明2:处理腔室(处理室)；5:基材(下部电极)；5a:凸部；5b:法 兰部；6:聚焦环；6a:低介电常数介电体；6al 6a4:分割部件；6b: 耐等离子体性介电体；6bl 6b4:分割部件；7:绝缘环；9:分割部件6al 6a4的接合处(joint); 10:分割部件6M 6b4的接合处(joint、knot); 20:喷淋头(上部电极)；51:介电体密封部件；52:介电体隔件(space); 61:耐等离子体性涂覆层具体实施例方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。对于全部的参照 附图，对相同的部分标注相同的参考标号。 第一实施方式图1是简要表示本专利技术的第一实施方式所涉及的等离子体处理装 置的一个例子的截面图。图1所示的等离子体处理装置1是对FPD用玻璃基板G进行规定 处理的装置的一个例子，构成为电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装 置。此处，作为FPD，例示有液晶显示器(LCD)、场致发光(electro luminescence: EL)显示器、等离子体显示器(PDP)等。等离子体处理装置1具有成型为角筒形状的处理腔室(处理室)2， 该处理腔室2例如由表面经过防蚀氧化处理((alumite)阳极氧化处理) 的铝构成。在该处理腔室2内的底部设置有用于载置作为被处理基板 的玻璃基板G的载置台3。载置台3经由绝缘部件4被支撑在处理腔室2的底部。载置台3 具有导电性的基材5，该导电性的基材5具有凸部5a以及位于该凸部 5a的周围的法兰部(凸缘部)5b。对于基材5的周缘部，在本例子中， 在法兰部5b上设置有包围凸部5a的周围的框架状(帽檐状)的聚焦 环6，而且，在基材5的周围，本例子中是在法兰部5b的侧面，设置 有包围法兰部5b的周围的绝缘环7。基材5的表面由绝缘性的涂覆层 8所覆盖，例如经铝溅射或者防蚀氧化处理而被覆盖。基材5与用于供给高频电力的供电线12连接，该供电线12与匹 配器13以及高频电源14连接。从高频电源14向载置台3的基材5供 给例如频率为13.56MHz的高频电力。由此，基材5起到下部电极的作 用。在上述载置台3的上方，以与该载置台3平行相对的方式设置有 作为上部电极的喷淋头20。喷淋头20被支撑在处理腔室2的上部，其 内部具有内部空间21并且在与载置台3的相对面上形成有喷出处理气 体的多个喷出孔22。该喷淋头20接地，与作为下部电极的载置台3 一起构成一对平行平板电极。在喷淋头20的上面设置有气体导入口 24，该气体导入口 24与处 理气体供给管25连接，该处理气体供给管25与处理气体供给源28连 接。此外，在处理气体供给管25上插装有幵闭阀26和质量流量控制 器27。从处理气体供给源28供给用于等离子体处理例如等离子体蚀刻 的处理气体。作为处理气体，可以使用卤素气体、02气体、Ar气体、 在本领域通常所使用的气体。在处理腔室2的底部形成有排气管29，该排气管29与排气装置 30连接。排气装置30具有涡轮分子泵等的真空泵，由此，构成为能够 将处理腔室2内抽真空至规定的减压氛围。在处理腔室2的侧壁设置有基板搬入搬出口 31，该基板搬入搬出 口 31能够通过门阀32进行开闭。能够在该门阀32处于打开状态下利 用搬送装置(图未示出)对FPD用玻璃基板G进行搬入搬出。图2A是放大表示聚焦环6及其周围的截面图。如图2A所示，本例子中的聚焦环6为多层结构的聚焦环。多层结 构的聚焦环6被安装在法兰部5b以及绝缘环7上。其中，绝缘环7在 本例子中表示为组合内侧环7a和外侧环7b而构成的多重绝缘环。在 本例子中，作为多层结构的聚焦环6的一个例子，表示出层叠上部介 电体和下部介电体而构成的双层结构的聚焦环。而且，在本例子中，配置在法兰部5b—侧的下部介电体为介电常 数较低的低介电常数介电体本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种聚焦环，其特征在于： 该聚焦环是安装在配设于实施等离子体处理的处理室内的电极的周缘部上且层叠介电常数不同的多个介电体而形成的多层结构的聚焦环，其中， 介电常数低的低介电常数介电体被配置在所述电极一侧， 介电常数为所述低 介电常数介电体的介电常数以上并且耐等离子体性比所述低介电常数介电体的耐等离子体性高的耐等离子体性介电体被配置在所述处理室的处理空间一侧。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：南雅人，佐佐木芳彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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