发光二极管制造技术

本公开提供了一种发光二极管，涉及半导体技术领域。该发光二极管包括衬底、发光结构和第一分布式布拉格反射镜层，所述衬底具有相对的承载面和出光面，所述发光结构位于所述承载面上，所述第一分布式布拉格反射镜层位于所述出光面上，所述第一分布式布拉格反射镜层远离所述衬底的表面包括第一区域和第二区域，所述第一区域所在的平面和所述第二区域所在的平面呈钝角，且所述钝角的开口朝向远离所述衬底的方向。该发光二极管能够增加以较大的出射角度向发光二极管的边缘方向出射的光，使发光二极管具有较大的出光角度，并且还能够减少光线的反射次数来降低光损耗，保证发光二极管具有较高的出光效率和亮度。较高的出光效率和亮度。较高的出光效率和亮度。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管


[0001]本公开涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于显示设备中。
[0003]发光二极管通常包括衬底和位于衬底的承载面上的发光结构。相关技术中，在以衬底远离发光结构的一面作为出光面的发光二极管中，衬底远离发光结构的表面上会设置有DBR(Distributed Bragg Reflection，分布式布拉格反射镜)层，以增大出光角度。
[0004]设置DBR层后，虽然相比于没有DBR层的情况，增大了出光角度，但是为了获得比较大的出光角度，DBR的层数会设置的比较多，这导致光线在离开发光二极管前，会经过DBR的多次反射，光线在离开发光二极管之前产生的光损失也越多，从而影响发光二极管的出光效率和亮度。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种发光二极管，可以解决相关技术中在追求较大出光角度时，导致出光效率和亮度受到影响的问题。所述技术方案如下：
[0006]本公开实施例提供了一种发光二极管，该发光二极管包括衬底、发光结构和第一分布式布拉格反射镜层，所述衬底具有相对的承载面和出光面，所述发光结构位于所述承载面上，所述第一分布式布拉格反射镜层位于所述出光面上，所述第一分布式布拉格反射镜层远离所述衬底的表面包括第一区域和第二区域，所述第一区域所在的平面和所述第二区域所在的平面呈钝角，且所述钝角的开口朝向远离所述衬底的方向。
[0007]可选地，所述第一区域和所述第二区域相连。
[0008]可选地，所述第一分布式布拉格反射镜层远离所述衬底的表面包括多个所述第一区域和多个所述第二区域，多个所述第一区域沿第一方向从所述承载面的中部向边缘依次分布，多个所述第二区域沿第二方向从所述承载面的中部向边缘依次分布，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述承载面，且所述第一方向和所述第二方向相反。
[0009]可选地，所述衬底的出光面包括第三区域与第四区域，所述第三区域平行于所述第一区域，且所述第三区域和所述第一区域在所述承载面的正投影重合，所述第四区域平行于所述第二区域，且所述第四区域和所述第二区域在所述承载面的正投影重合。
[0010]可选地，所述第一分布式布拉格反射镜层具有多个凹槽，在所述第一分布式布拉格反射镜层的厚度方向上，所述凹槽贯穿所述第一分布式布拉格反射镜层，所述凹槽位于以下至少一处：相邻的所述第一区域之间；相邻的所述第二区域之间。
[0011]可选地，所述凹槽的宽度不大于1μm。
[0012]可选地，所述钝角的大小为120
°
～170
°
。
[0013]可选地，所述第一区域和所述第二区域一一对应布置，所述第一区域所在的平面和对应的所述第二区域所在的平面的交线在所述承载面的正投影与所述承载面的中心线重合。
[0014]可选地，所述衬底的厚度为50μm～300μm。
[0015]可选地，所述发光二极管还包括第二分布式布拉格反射镜层，所述第二分布式布拉格反射镜层位于所述发光结构远离所述衬底的表面。
[0016]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0017]由发光二极管的发光结构发出的光线射向第一分布式布拉格反射镜层后，由于第一分布式布拉格反射镜层远离衬底承载面的第一区域与第二区域所在平面呈钝角，因此光线在被第一分布式布拉格反射镜层反射时，以较大的反射角反射到靠近发光二极管的边缘的光线增加，而以较小的反射角反射回发光二极管中央区域的光线减少。这能够增加以较大的出射角度向发光二极管的边缘方向出射的光，使发光二极管具有较大的出光角度，并且还能够减少光线的反射次数，降低光损耗，保证发光二极管具有较高的出光效率和亮度。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本公开实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；
[0020]图2是本公开实施例提供的一种发光二极管的光线传播示意图；
[0021]图3是本公开实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；
[0022]图4是本公开实施例提供的三种第一分布式布拉格反射镜层的结构示意图；
[0023]图5是本公开实施例提供的一种第一分布式布拉格反射镜层的结构示意图。
具体实施方式
[0024]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
[0025]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
[0026]图1是本公开实施例提供的一种发光二极管的结构示意图，如图1所示，该发光二极管的结构包括衬底1、发光结构2和第一分布式布拉格反射镜层3。衬底1具有相对的承载
面4和出光面5，发光结构2位于承载面4上，第一分布式布拉格反射镜层3位于出光面5上。第一分布式布拉格反射镜层3远离衬底1的表面包括第一区域6和第二区域7，第一区域6所在的平面和第二区域7所在的平面呈钝角α，且钝角α的开口朝向远离衬底1的方向。
[0027]衬底1具有承载面4和出光面5，承载面4用于支撑发光结构2，是发光结构2的载体。发光结构2包括N型半导体层12、发光层13、P型半导体层14，发光结构2在发光时，发出的光线经过出光面5后进入到第一分布式布拉格反射镜层3中，经过一定次数的反射后从第一分布式布拉格反射镜层3中射向发光二极管外。光线从射向第一分布式布拉格反射镜层3，到从第一分布式布拉格反射镜层3射向发光二极管外，所经历的反射次数越少，反射引起的光损耗也就越小，在发光二极管内传播的路径也越短，对于光线的吸收也越少，这样发光二极管的出光效率和亮度也就越高。
[0028]图2是本公开实施例提供的一种发光二极管的光线传播示意图。图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括衬底(1)、发光结构(2)和第一分布式布拉格反射镜层(3)，所述衬底(1)具有相对的承载面(4)和出光面(5)，所述发光结构(2)位于所述承载面(4)上，所述第一分布式布拉格反射镜层(3)位于所述出光面(5)上，所述第一分布式布拉格反射镜层(3)远离所述衬底(1)的表面包括第一区域(6)和第二区域(7)，所述第一区域(6)所在的平面和所述第二区域(7)所在的平面呈钝角(α)，且所述钝角(α)的开口朝向远离所述衬底(1)的方向。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一区域(6)和所述第二区域(7)相连。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射镜层(3)远离所述衬底(1)的表面包括多个所述第一区域(6)和多个所述第二区域(7)，多个所述第一区域(6)沿第一方向从所述承载面(4)的中部向边缘依次分布，多个所述第二区域(7)沿第二方向从所述承载面(4)的中部向边缘依次分布，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述承载面(4)，且所述第一方向和所述第二方向相反。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底(1)的出光面(5)包括第三区域(8)与第四区域(9)，所述第三区域(8)平行于所述第一区域(6)，且所述第三区域(8)和所述第一区域(6)在所述承载面(4)的正投影重合，所述第四区域(...

【专利技术属性】
技术研发人员：张奕，龚逸品，梅劲，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：新型
国别省市：