共聚物、成型体、注射成型体和被覆电线制造技术

本发明专利技术提供一种共聚物，其含有四氟乙烯单元和全氟(丙基乙烯基醚)单元，全氟(丙基乙烯基醚)单元的含量相对于全部单体单元为3.3质量％～4.2质量％，372℃的熔体流动速率为27.0g/10分钟～35.0g/10分钟，官能团数相对于每106个主链碳原子数为20个以下。个主链碳原子数为20个以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】共聚物、成型体、注射成型体和被覆电线


[0001]本专利技术涉及共聚物、成型体、注射成型体和被覆电线。

技术介绍

[0002]专利文献1中记载了一种被覆电线，其特征在于，其是将TFE系共聚物被覆于芯线而成的，上述TFE系共聚物具有来自四氟乙烯[TFE]的TFE单元和来自全氟(烷基乙烯基醚)[PAVE]的PAVE单元，上述PAVE单元超过全部单体单元的5质量％且为20质量％以下，不稳定末端基团相对于每1
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106个碳原子数小于10个，该TFE系共聚物的熔点为260℃以上。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009
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059690号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]本专利技术的目的在于提供一种共聚物，其能够通过注射成型法以高生产率得到表面平滑性优异的注射成型体，能够得到水蒸气低透过性非常优异、150℃耐磨耗性、氮低透过性、试剂低透过性、高温拉伸蠕变特性、对反复载荷的耐劣化性、高温时刚性和耐臭氧性优异、即使在高温下也不易变形、即使在与试剂接触的情况下也不易产生龟裂、氟离子不易溶出到双氧水等试剂中的成型体。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]根据本专利技术，提供一种共聚物，其含有四氟乙烯单元和全氟(丙基乙烯基醚)单元，全氟(丙基乙烯基醚)单元的含量相对于全部单体单元为3.3质量％～4.2质量％，372℃的熔体流动速率为27.0g/10分钟～35.0g/10分钟，官能团数相对于每106个主链碳原子数为20个以下。
[0010]本专利技术的共聚物优选372℃的熔体流动速率为27.0g/10分钟～33.0g/10分钟。
[0011]另外，根据本专利技术，提供一种注射成型体，其含有上述共聚物。
[0012]另外，根据本专利技术，提供一种被覆电线，其具备含有上述共聚物的被覆层。
[0013]另外，根据本专利技术，提供一种成型体，其为含有上述共聚物的成型体，其中，上述成型体为晶片载具、垫圈或电线被覆。
[0014]专利技术的效果
[0015]根据本专利技术，能够提供一种共聚物，其能够通过注射成型法以高生产率得到表面平滑性优异的注射成型体，能够得到水蒸气低透过性非常优异、150℃耐磨耗性、氮低透过性、试剂低透过性、高温拉伸蠕变特性、对反复载荷的耐劣化性、高温时刚性和耐臭氧性优异、即使在高温下也不易变形、即使在与试剂接触的情况下也不易产生龟裂、氟离子不易溶出到双氧水等试剂中的成型体。
具体实施方式
[0016]以下，对本专利技术的具体实施方式进行详细说明，但本专利技术不限定于下述实施方式。
[0017]本专利技术的共聚物含有四氟乙烯(TFE)单元和全氟(丙基乙烯基醚)(PPVE)单元。
[0018]含有TFE单元和PPVE单元的共聚物(PFA)的耐化学药品性优异，因此被用作在搬运、保管、清洗、干燥晶片时等使用的晶片载具的形成材料。近年来，使用口径更大的晶片，另外，为了改善半导体制造的生产效率，需要大型的晶片载具。另外，由于晶片载具与晶片直接接触，因此对晶片载具要求不污染晶片的高清洁性。进而，晶片载具要求即使反复进行利用水或试剂的清洗及利用加热的干燥也不会损伤的高耐久性。在使用旋转干燥机使容纳于晶片载具的晶片干燥的情况下，也要求对离心力的耐久性。
[0019]专利文献1中记载了：在具有来自四氟乙烯[TFE]的TFE单元和来自全氟(烷基乙烯基醚)[PAVE]的PAVE单元的TFE系共聚物中，PAVE单元超过全部单体单元的5质量％，由此熔融加工性变好，耐裂纹性提高。但是，尚不知道能够提供具有高清洁性并且具有高耐久性的成型体的共聚物。
[0020]发现：通过适当地调整含有TFE单元和PPVE单元的共聚物的PPVE单元的含量、熔体流动速率(MFR)和官能团数，共聚物的成型性显著提高，同时水蒸气低透过性非常优异，可得到能够得到150℃耐磨耗性、氮低透过性、试剂低透过性、高温拉伸蠕变特性、对反复载荷的耐劣化性、高温时刚性和耐臭氧性优异、即使在高温下也不易变形、即使在与试剂接触的情况下也不易产生龟裂、不易使氟离子溶出到双氧水等试剂中的成型体。因此，通过使用本专利技术的共聚物，能够以高生产率制造表面平滑性优异的大型晶片载具。进而，使用本专利技术的共聚物得到的晶片载具不易污染晶片，即便反复进行利用水、臭氧水或试剂的清洗及利用加热的干燥也不易损伤，即便负载大的离心力也不易损伤。
[0021]进而，本专利技术的共聚物通过挤出成型法能够在不引起被覆断开的情况下以高速度在直径小的芯线上形成薄且无缺陷的被覆层。这样，本专利技术的共聚物不仅能够用作晶片载具的材料，而且能够用于电线被覆等广泛的用途。
[0022]本专利技术的共聚物为熔融加工性的氟树脂。熔融加工性是指能够使用挤出机和注射成型机等现有的加工设备将聚合物熔融并加工。
[0023]共聚物的PPVE单元的含量相对于全部单体单元为3.3质量％～4.2质量％。共聚物的PPVE单元的含量优选为3.4质量％以上，更优选为3.5质量％以上，进一步优选为3.6质量％以上，特别优选为3.7质量％以上，优选为4.1质量％以下，更优选为4.0质量％以下，进一步优选为3.9质量％以下。若共聚物的PPVE单元的含量过多，则在高温下容易变形，水蒸气低透过性、氮低透过性、试剂低透过性、高温拉伸蠕变特性和高温时刚性差。若共聚物的PPVE单元的含量过少，则在与试剂接触的情况下容易产生龟裂，或者150℃耐磨耗性、对反复载荷的耐劣化性及耐臭氧性差。
[0024]共聚物的TFE单元的含量相对于全部单体单元优选为95.8质量％～96.7质量％，更优选为95.9质量％以上，进一步优选为96.0质量％以上，更优选为96.6质量％以下，进一步优选为96.5质量％以下，特别优选为96.4质量％以下，最优选为96.3质量％以下。若共聚物的TFE单元的含量过少，则有可能在高温下容易变形，或者水蒸气低透过性、氮低透过性、试剂低透过性、高温拉伸蠕变特性和高温时刚性差。若共聚物的TFE单元的含量过多，则在与试剂接触的情况下容易产生龟裂，150℃耐磨耗性、对反复载荷的耐劣化性和耐臭氧性有
可能变差。
[0025]本专利技术中，共聚物中的各单体单元的含量通过
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F
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NMR法测定。
[0026]共聚物也可以含有来自能够与TFE和FAVE共聚的单体的单体单元。此时，相对于共聚物的全部单体单元，能够与TFE和PPVE共聚的单体单元的含量优选为0～0.9质量％，更优选为0.05质量％～0.6质量％，进一步优选为0.1质量％～0.5质量％。
[0027]作为能够与TFE和PPVE共聚的单体，可以举出六氟丙烯(HFP)、CZ1Z2＝CZ3(CF2)
n
Z4(式中，Z1、Z2和Z3相同或不同，表示H或F，Z4表示H、F或Cl，n表示2～10的整数)所示的乙烯基单体、CF2＝CF
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种共聚物，其含有四氟乙烯单元和全氟(丙基乙烯基醚)单元，全氟(丙基乙烯基醚)单元的含量相对于全部单体单元为3.3质量％～4.2质量％，372℃的熔体流动速率为27.0g/10分钟～35.0g/10分钟，官能团数相对于每106个主链碳原子数为20个以下。2.如权利要求1所述的共聚物，其中，37...

【专利技术属性】
技术研发人员：井坂忠晴，善家佑美，山本有香里，津田早登，滨田博之，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：