一种发光面板的制备设备及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种发光面板的制备设备及其制备方法，涉及显示装置制造技术领域。该设备包括制备设备包括：激光改质装置，用于将激光束聚焦晶圆内部，对晶圆进行改质加工；劈裂装置，用于以劈刀升降运动作用在激光改质后的晶圆的切割道上，得到若干单颗MiniLED芯粒；刺晶装置，用于将单粒的MiniLED芯粒转移到第一载板上，使得第一载板板上形成有多个MiniLED像素单元，每个MiniLED像素单元均包括R像素MiniLED芯粒，G像素MiniLED芯粒和B像素MiniLED芯粒；芯粒键合装置，将第一载板上良品的MiniLED像素单元键合到基板上；拼接装置，用于将多个良品的基板进行拼接，得到最终的发光面板。本发明专利技术能够提高MiniLED芯片的转移效率、良品率，且自动化程度更高。且自动化程度更高。且自动化程度更高。

【技术实现步骤摘要】
一种发光面板的制备设备及其制备方法


[0001]本专利技术涉及显示装置制造
，尤其涉及一种发光面板的制备设备及其制备方法。

技术介绍

[0002]次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode，简称Mini LED)显示技术的主要终端产品为LED显示屏，随着LED显示屏成本的下降，次毫米发光二极管显示屏在多个应用场景中正逐步替代LCD、投影等产品。但是，从微显示行业的技术发展来看，次毫米发光二极管仅仅是微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)的过渡产品，Micro LED显示技术在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
[0003]目前，Mini LED发光面板制备过程中，包括固晶工艺、回流焊工艺、点亮检测工艺、修复工艺等流程，固晶工艺过程中通常采用摆臂式固晶方案，然而摆臂式固晶方案从芯片大小、转移精度和效率方面，都不能很好满足Mini LED芯片转移要求，回流焊工艺中，Mini LED芯片的良率风险过高，后期需要花费的检测和修复时间成本也高，效率、精度和良率是Mini LED发光面板制备亟待突破的技术问题。
[0004]因此，有必要研究一种发光面板的制备设备及其制备方法来应对现有技术的不足，以解决或减轻上述一个或多个问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提供了一种发光面板的制备设备及其制备方法，能够提高Mini LED芯片的转移效率、良品率，且自动化程度更高。
[0006]一方面，本专利技术提供一种发光面板的制备设备，所述制备设备包括：
[0007]激光改质装置，用于将激光束聚焦晶圆内部，对晶圆进行改质加工；
[0008]劈裂装置，用于以劈刀升降运动作用在激光改质后的晶圆的切割道上，得到若干单颗Mini LED芯粒；
[0009]刺晶装置，用于将单粒的Mini LED芯粒转移到第一载板上，使得第一载板板上形成有多个Mini LED像素单元，每个Mini LED像素单元均包括R像素Mini LED芯粒，G像素Mini LED芯粒和B像素Mini LED芯粒；
[0010]芯粒键合装置，将第一载板上良品的Mini LED像素单元键合到基板上；
[0011]拼接装置，用于将多个良品的基板进行拼接，得到最终的发光面板。
[0012]在至少一个实施方式中，所述制备设备还包括：
[0013]承载件，用于承载劈裂得到的Mini LED芯粒；
[0014]检测分选装置，用于对劈裂得到的Mini LED芯粒进行检测，检测出良品的Mini LED芯粒并分选出来。
[0015]在至少一个实施方式中，所述制备设备还包括：
[0016]第一检测装置，用于对第一载板上的每个Mini LED像素单元进行坏点检测，确定出良品的Mini LED像素单元；
[0017]第二检测装置，用于对键合后的基板上Mini LED像素单元进行坏点检测，确定出像素缺陷信息；
[0018]修复装置，用于对像素缺陷进行激光修复，形成良品的基板。
[0019]在至少一个实施方式中，所述刺晶装置包括刺针轨迹设计单元；
[0020]所述刺针轨迹设计单元包括第一轨迹设计模块和第二轨迹设计模块，所述第一轨迹设计模块用于刺针Y方向运动轨迹设计，所述第二轨迹设计模块用于刺针Z方向运动轨迹曲线的设计。
[0021]在至少一个实施方式中，所述刺针在承载件上形成的运动轨迹为Z型或S型。
[0022]在至少一个实施方式中，刺针Z方向的运动轨迹曲线是：
[0023]Z＝IF(phase:(IF(MOD(time,cycle)
‑
phase
‑
T:α
‑
α*(cos(MOD(time,cycle)
‑
phase)/T*2*π)),0,IF(MOD(time,cycle)
‑
phase:0,0,α
‑
α*(cos((MOD(time,cycle)
‑
phase)/T*2*π)))),IF(MOD(time,cycle)
‑
T:α
‑
α*(cos(MOD(time,cycle)/T*2*π)),0,IF(MOD(time,cycle)
‑
phase:0,0,IF(MOD(time,cycle)
‑
phase
‑
T:α
‑
α*cos((MOD(time,cycle)
‑
phase)/T*2*π),0,0))))；
[0024]IF:循环内逻辑判断函数；
[0025]Phase:刺晶装置竖直向与水平向运动相位差；
[0026]MOD:周期时间内取余函数；
[0027]Time:设备运行的时刻；
[0028]Cycle:刺晶动作设定周期；
[0029]T:刺针升降总时间；
[0030]α:刺晶工艺高度。
[0031]本专利技术还提供了一种发光面板的制备方法，采用上述任一实施方式所述的发光面板的制备设备，其包括以下步骤：
[0032]S100：提供一LED晶圆，LED晶圆包含衬底以及位于衬底上表面的若干相互独立的Mini LED芯粒；
[0033]S200：对衬底下表面进行第一次减薄，以使衬底的初始厚度减薄至第一厚度；
[0034]S300：通过激光对衬底进行处理，以获得具有改质区的衬底，改质区位于相邻两个Mini LED芯粒之间；
[0035]S400：利用衬底中的改质区对衬底进行裂片，以获得多个Mini LED芯粒；
[0036]S500：对每个Mini LED芯粒进行坏点检测，以获取多个Mini LED芯粒中的坏点Mini LED芯粒；
[0037]S600：将多个Mini LED芯粒通过刺晶及键合的方式转移至基板上；
[0038]S700：对基板的Mini LED芯粒进行检测，确定出像素缺陷信息，并对像素缺陷进行激光修复；
[0039]S800：将多个基板进行拼接，以完成发光面板的制备。
[0040]在至少一个实施方式中，步骤S600包括以下步骤：
[0041]S601A：提供第一载板，将多个Mini LED芯粒通过刺晶方式转移至所述第一载板
上；
[0042]S602A：确定第一载板上芯粒缺失点，向芯粒缺失点补充良品Mini LED芯粒，直至第一载板上全部承载良品Mini LED芯粒；
[0043]S603A：重复S601A和S602A,向第一载板上转移不同类型的Mini LED芯粒，使得第一载板上全部承载上Mini LED像素单元，每个Mini LED像素单元均包括R像素Mini LED芯粒，G像素Mini LED芯粒和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光面板的制备设备，其特征在于，所述制备设备包括：激光改质装置，用于将激光束聚焦晶圆内部，对晶圆进行改质加工；劈裂装置，用于以劈刀升降运动作用在激光改质后的晶圆的切割道上，得到若干单颗Mini LED芯粒；刺晶装置，用于将单粒的Mini LED芯粒转移到第一载板上，使得第一载板板上形成有多个MiniLED像素单元，每个MiniLED像素单元均包括R像素Mini LED芯粒，G像素Mini LED芯粒和B像素Mini LED芯粒；芯粒键合装置，将第一载板上良品的Mini LED像素单元键合到基板上；拼接装置，用于将多个良品的基板进行拼接，得到最终的发光面板。2.根据权利要求1所述的发光面板的制备设备，其特征在于，所述制备设备还包括：承载件，用于承载劈裂得到的Mini LED芯粒；检测分选装置，用于对劈裂得到的Mini LED芯粒进行检测，检测出良品的Mini LED芯粒并分选出来。3.根据权利要求1所述的发光面板的制备设备，其特征在于，所述制备设备还包括：第一检测装置，用于对第一载板上的每个Mini LED像素单元进行坏点检测，确定出良品的Mini LED像素单元；第二检测装置，用于对键合后的基板上Mini LED像素单元进行坏点检测，确定出像素缺陷信息；修复装置，用于对像素缺陷进行激光修复，形成良品的基板。4.根据权利要求2所述的发光面板的制备设备，其特征在于，所述刺晶装置包括刺针轨迹设计单元；所述刺针轨迹设计单元包括第一轨迹设计模块和第二轨迹设计模块，所述第一轨迹设计模块用于刺针Y方向运动轨迹设计，所述第二轨迹设计模块用于刺针Z方向运动轨迹曲线的设计。5.根据权利要求4所述的发光面板的制备设备，其特征在于，所述刺针在承载件上形成的运动轨迹为Z型或S型。6.根据权利要求4所述的发光面板的制备设备，其特征在于，刺针Z方向的运动轨迹曲线是：Z＝IF(phase:(IF(MOD(time,cycle)
‑
phase
‑
T:α
‑
α*(cos(MOD(ti me,cyc le)
‑
phase)/T*2*π)),0,IF(MOD(time,cycle)
‑
phase:0,0,α
‑
α*(cos((MOD(time,cycle)
‑
phase)/T*2*π)))),IF(MOD(time,cycle)
‑
T:α
‑
α*(cos(MOD(time,cycle)/T*2*π)),0,IF(MOD(time,cycle)
‑
phase:0,0,IF(MOD(ti me,cycl e)
‑
phase
‑
T:α
‑
α*cos((MOD(time,cycle)
‑
phase)/T*2*π),0,0))))；IF:循环内逻辑判断函数；Phase:刺晶装置竖直向与水平向运动相位差；MOD:周期时间内取余函数；Time:设备运行的时刻；Cycle:刺晶动作设定周期；T:刺针升降总时间；
α:刺晶工艺高度。7.一种发光面板的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：王正根，陈万群，
申请(专利权)人：迈为技术珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：