【技术实现步骤摘要】
一种手持式鼻炎半导体激光治疗仪及其工作方法
[0001]本专利技术涉及于激光治疗设备
,具体涉及一种手持式鼻炎半导体激光治疗仪及其工作方法。
技术介绍
[0002]鼻炎作为一个全球性的公共卫生问题,发病率呈上升趋势,引起社会越来越多的重视。鼻腔的炎性疾病,是病毒、细菌、变应原、各种理化因子以及某些全身性疾病引起的鼻腔黏膜的炎症,表现为鼻塞,多涕,嗅觉下降,头痛,头昏,食欲不振、易疲倦、记忆力减退及失眠。通常治疗鼻炎的方法包括药物治疗、鼻腔清洗以及手术治疗等。药物治疗采用激素类药物,长期的使用使患者的耐药性增加;鼻腔的清洗长期使用会对鼻腔内膜产生损害;而手术治疗鼻炎容易使鼻炎复发。
[0003]目前新型的鼻炎治疗方法是采用激光治疗仪治疗,市面上均采用低功率即650nm波长的激光进行鼻腔内照射,具有无创,无副作用等优点,可实现血管扩张,血流加快,细胞代谢增强等作用,从而增强细胞抗病能力,起到缓解鼻粘膜水肿,减少渗出等作用,但是市面上的鼻炎激光治疗设备产生的是低功率激光,功率小于5mW,起效慢,激光的穿透深度浅,作用范围小。采用鼻腔的内照射时,需要每次清洗鼻腔和激光发射端,并将鼻炎激光治疗设备的激光发射端插入到鼻腔内,使用麻烦。
技术实现思路
[0004]本专利技术所要解决的技术问题是现有鼻炎激光治疗仪的激光功率低,导致鼻炎治疗仪的作用范围小且使用麻烦,本专利技术提供一种手持式鼻炎半导体激光治疗仪及其工作方法,本专利技术采用了7
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10W的高功率的激光二极管,治疗激光功率远高 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种手持式鼻炎半导体激光治疗仪,其特征在于,包括:激光器(1),所述激光器(1)用于产生治疗激光,所述激光器(1)通过电缆(24)连接于控制板(10);指示器(2),所述指示器(2)产生可见指示激光,所述指示器(2)通过所述电缆(24)连接于所述控制板(10);热沉片(5),所述热沉片(5)上固定设置有所述激光器(1)和所述指示器(2),所述热沉片(5)用于对激光器(1)和指示器(2)的散热;光均化片(3),所述光均化片(3)位于所述热沉片(5)和整形透镜(4)之间,所述光均化片(3)背离所述整形透镜(4)的一端朝向所述激光器(1)和所述指示器(2),光均化片(3)用于激光器(1)所产生的激光投射到光均化片(3)上,光均化片(3)对投射的激光分布为能量均匀的激光光斑,所述指示器(2)指示所述激光光斑的位置;玻璃片(9),所述玻璃片(9)朝向于所述整形透镜(4)远离所述光均化片(3)的一端。2.根据权利要求1所述的一种手持式鼻炎半导体激光治疗仪,其特征在于,所述激光器(1)采用采用垂直腔面发射的半导体激光器,激光器(1)所产生的激光波长为808nm
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10nm、830nm
±
10nm、850nm
±
10nm、880nm
±
10nm,905nm
±
10nm、940nm
±
10nm或980nm
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10nm,激光器(1)所产生激光的功率达到10
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15W。3.根据权利要求1所述的一种手持式鼻炎半导体激光治疗仪,其特征在于,所述激光光斑为发散光斑,激光光斑的直径为2cm
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3cm,激光光斑的发散角为40
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50度。4.根据权利要求1所述的一种手持式鼻炎半导体激光治疗仪,其特征在于,所述指示器(2)采用垂直腔面发射的半导体激光器或者发光二极管,指示器(2)的波长为525nm、638nm或者其它可见激光的波长,指示器(2)的功率小于5mW。5.根据权利要求1所述的一种手持式鼻炎半导体激光治疗仪,其特征在于,所述整形透镜(4)对所述光均化片(3)发出的所述激光光斑进行整形,所述热沉片(5)为带有散热柱矩阵的铜基板,热沉片(5)上粘结有热敏电阻(6),所述热敏电阻(6)通过所述电缆(24)连接于所述控制板(10),热敏电阻(6)用于检测激光器(1)的温度。6.根据权利要求5所述的一种手持式鼻炎半导体激光治疗仪,其特征在于,所述控制板(10)通过所述电缆(24)连接于电容触碰传感器(7)和距离传感器(8);所述电容触碰传感器(7)用于检测鼻翼是否紧贴所述玻璃片(9),当鼻翼贴紧玻璃片(9)时,电容触碰传感器(7)输出高电平,否则输出低电平;所述距离传感器(8)检测鼻翼和玻璃片(9)之间的距离,当鼻翼距离玻璃片(9)小于0.1mm,距离传感器(8)输出高电平,否则输出低电平。7.根据权利要求5所述的一种手持式鼻炎半导体激光治疗仪,其特征在于,所述控制板(10)通过所述电缆(24)连接于光强调节器(17),所述光强调节器(17)用于打开激光器(1)和调节激光器(1)的激光强度;控制板(10)通过电缆(24)连接于安全锁(11),所述安全锁(11)为可拨动的机械开关,所述安全锁(11)打开的拨动力大...
【专利技术属性】
技术研发人员:于泓,王德田,赵一平,钟斌,李育新,李楠舟,康丽萍,
申请(专利权)人:锋迈厦门半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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